注：1）電壓范圍：用來調(diào)節(jié)頻率的電壓的可調(diào)范圍。常見的有0～3.3V,0.3～3.0V,0～5V,0.5～4.5V等。2）壓控范圍：壓控電壓在電壓范圍內(nèi)變化的時候，振蕩器的頻率能夠變化的范圍。3）極性：當振蕩器的頻率隨壓控電壓的增加而增加的時候，壓控極性為正極性，反之為負極性。晶振溫補晶振即溫度補償晶體振蕩器(TCXO)

變?nèi)荻O管D兩端所加電壓（即補償電壓）由溫補網(wǎng)絡(luò)輸出，溫補網(wǎng)絡(luò)隨溫度自動調(diào)節(jié)輸出電壓，變?nèi)荻O管容量隨之改變，以抵消諧振器頻率隨溫度的變化，可使輸出頻率基本不變。從以上原理分析可得溫補晶振補償過程如下：，是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。晶振并聯(lián)電路并聯(lián)諧振振蕩器電路是用晶體設(shè)計的，該晶體可以在特定的負載電容下工作。這會導(dǎo)致晶體振蕩器以高于串聯(lián)諧振頻率但低于真正的并聯(lián)諧振頻率的頻率工作。為了完成這種類型的電路中的反饋環(huán)路，必須設(shè)計通過晶振的路由。如果晶體失效，電路將不再振蕩。那么確定振蕩器頻率的“負載電容”從何而來呢?該電路實際上使用了一個孤立的逆變器，該逆變器在反饋環(huán)路中具有兩個電容，這些電容包含了負載電容。如果負載電容改變，振蕩器產(chǎn)生的頻率也會改變。

晶振隨著各種高端智能產(chǎn)品的火爆,電子元器件也從中分到了一杯羹.晶振是一個典型的例子.晶振是百分之八十以上電子產(chǎn)品的核心命脈.假如沒有晶振的支持絕大部分電子相關(guān)智能產(chǎn)品將會陷入癱瘓然而引起嚴重后果.隨著電子產(chǎn)品的變化晶振也在不斷的更新?lián)Q代.從以前的大體積到現(xiàn)在的超小超薄型貼片晶振成為市場主流2［頻域表征］⑴單邊相位噪聲功率譜密度，晶振輸出信號的頻譜中，用偏離載頻fHz處每Hz帶寬內(nèi)單邊相位噪聲功率與信號功率之比的分貝（dB）量，可寫作￡（f）單位為dB/Hz。⑵頻譜純度：是量度晶振內(nèi)部噪聲及雜散譜的尺度。通常用單邊噪聲功率譜密度來表示。,在整個變化中對于行業(yè)的技術(shù)來說是一項極大的挑戰(zhàn).由于市場的需求日本KDS、CITIZEN等大型品牌帶領(lǐng)整個行業(yè)邁向科技前沿,研發(fā)新型技術(shù),更新生產(chǎn)設(shè)備,制造高精度晶體來滿足市場需求.由于高端智能產(chǎn)品的涌現(xiàn),對于各種元器件的要求也是極高.溫補晶振、壓控晶振逐步被眾多高端市場所選用,但是溫補、壓控晶振使技術(shù)更加提升,成本也是相對增加.作為一名晶振銷售人員,很多采購并不知道在選擇晶振的時候該注意哪一些特性.才能夠在使用的過程中讓產(chǎn)品變得更加穩(wěn)定.在此我為大家對于一些重要的特性經(jīng)行了簡述:

晶振3、由于石英晶振是被動組件，它是由IC提供適當?shù)募罟β识９ぷ鞯模虼?，當激勵功率過低時，晶體不易起振，過高時，便形成過激勵，使石英芯片破損，引起停振晶振圖4.直接補償在隨后的開發(fā)中(圖5中所示的間接補償),熱敏電阻(RT1至RT3)和電阻(R1至R3)的網(wǎng)絡(luò)用于產(chǎn)生與溫度相關(guān)的電壓.對網(wǎng)絡(luò)的輸出電壓進行濾波,然后用于驅(qū)動變?nèi)荻O管,該變?nèi)荻O管改變晶振上的負載,再次導(dǎo)致頻率變化.。所以，應(yīng)提供適當?shù)募罟β?。另外，有功負載會消耗一定的功率，從而降低晶體Q值，從而使晶體的穩(wěn)定性下降，容易受周邊有源組件影響，處于不穩(wěn)定狀態(tài)，出現(xiàn)時振時不振現(xiàn)象，所以，外加有功負載時，應(yīng)匹配一個比較合適有功負載。