2）削峰正弦波（ClippingSine）：負載（Load）、輸出幅度（Outputlevel）。3）方波（Square）：又分為MOS和TTL兩類輸出。負載（Load）、占空比（Dutycycle）、上升/下降時間（Rise/falltime）、

壓控品振VCTCXOTCXO溫補晶振是通過其附加的溫度補償電路使周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器壓控品振VCTCXO

。它的溫度補償?shù)脑砟鼐褪峭ㄟ^改變振蕩回路中的負載電容，使copy其隨溫度變化來補償諧振器由于環(huán)境溫度變化所產(chǎn)生的頻率漂知移。這個想法是補償網(wǎng)絡驅(qū)動牽引網(wǎng)絡,然后調(diào)整振蕩器的頻率.圖3是發(fā)生了什么的概述-未補償?shù)木д耦l率響應溫度(紅色)就像一個三階多項式曲線(如果你采用振蕩器非線性效果,更像是第五個),所以目標是補償網(wǎng)絡是為了抵消溫度對晶體的影響而產(chǎn)生的電壓是有效的關(guān)于晶體曲線溫度軸的鏡像.補償電壓顯示為藍色,得到的頻率/溫度曲線以綠色顯示.

壓控品振VCTCXO晶振在應用具體起到的作用，微控制器的時鐘源可以分為兩類：基于機械諧振器件的時鐘源，如晶振、陶瓷諧振槽路；RC（電阻、電容）振蕩器。一種是皮爾斯振蕩器配置，適用于晶振和陶瓷諧振槽路。另一種為簡單的分立RC振蕩器?；诰д衽c陶瓷諧振槽路的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數(shù)。RC振蕩器能夠快速啟動，成本也比較低，但通常在整個溫度和工作電源電壓范圍內(nèi)精度較差，會在標稱輸出頻率的5%至50%范圍內(nèi)變化二、電源和負載石英晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定性亦受到振蕩器電源電壓變動以及振蕩器負載變動的影響.正確選擇振蕩器可將這些影響減到最少.設(shè)計者應在建議的電源電壓容差和負載下檢驗振蕩器的性能.不能期望只能額定驅(qū)動15pF的振蕩器在驅(qū)動50pF時會有好的表現(xiàn).在超過建議的電源電壓下工作的振蕩器亦會呈現(xiàn)較差的波形和穩(wěn)定性.對于需要電池供電的器件,一定要考慮功耗.引入3.3V的產(chǎn)品必然要開發(fā)在3.3V下工作的振蕩器.較低的電壓允許產(chǎn)品在低功率下運行.。但其性能受環(huán)境條件和電路元件選擇的影響。需認真對待振蕩器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時，陶瓷諧振槽路和相應的負載電容必須根據(jù)特定的邏輯系列進行優(yōu)化。具有高Q值的晶振對放大器的選擇并不敏感，但在過驅(qū)動時很容易產(chǎn)生頻率漂移（甚至可能損壞）。影響振蕩器工作的環(huán)境因素有：電磁干擾（EMI）、機械震動與沖擊、濕度和溫度。這些因素會增大輸出頻率的變化，增加不穩(wěn)定性，并且在有些情況下，還會造成振蕩器停振。上述大部分問題都可以通過使用振蕩器模塊避免。這些模塊自帶振蕩器、提供低阻方波輸出，并且能夠在一定條件下保證運行。最常用的兩種類型是晶振模塊和集成RC振蕩器（硅振蕩器）。晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。硅振蕩器的精度要比分立RC振蕩器高，多數(shù)情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當?shù)木取?p style='text-align:center;'>

壓控品振VCTCXO二、溫補晶振的發(fā)展趨勢低功耗、小型化和精度，一直是溫補晶振的研究課題。在小型化與片式化方面，溫補晶振面臨不少挑戰(zhàn)與困難，具體主要表現(xiàn)為兩點：一是小型化會使石英晶體振子的頻率可變幅度變小壓控品振VCTCXO圖3.溫度補償實現(xiàn)這一目標的方法隨著時間而改變.使用的第一種方法之一是直接補償技術(shù),其中使用熱敏電阻,電容器和電阻器網(wǎng)絡來直接控制振蕩器的頻率.溫度的變化導致熱敏電阻(圖4中的RT1和RT2)發(fā)生變化,這會導致網(wǎng)絡的等效串聯(lián)電容發(fā)生變化-這反過來會改變晶體上的電容負載,從而導致頻率的變化.振蕩器.，溫度補償更加困難;二是片式封裝后在其接作業(yè)中，由于焊接溫度遠高于溫補晶振的最大允許溫度，會使晶體振子的頻率發(fā)生變化，若不采限局部散熱降溫措施，難以將溫補晶振的頻率變化量控制在±0.5×10-6以下。