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廣東KDS晶振是什么

發(fā)布時(shí)間:2020-12-20   點(diǎn)擊量:519

9)負(fù)載變化頻率穩(wěn)定度(FrequencystabilityVsvoltage+/-5%)其它條件不變時(shí),由于負(fù)載阻抗在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對(duì)于規(guī)定的負(fù)載條件時(shí)的頻率偏移。10)電源變化頻率穩(wěn)定度(FrequencystabilityVsLoad+/-10%)

KDS晶振H、OCXO主要技術(shù)指標(biāo)定義的IEC標(biāo)準(zhǔn)1)標(biāo)稱頻率(Nominalfrequency)振蕩器標(biāo)明的工作頻率KDS晶振

。2)中心頻率偏差(Frequencyaccuracy)在基準(zhǔn)點(diǎn)溫度環(huán)境(25±2℃)和中心控制電壓時(shí),測(cè)得的頻率值與標(biāo)稱頻率的偏差。(2)間接補(bǔ)償型間接補(bǔ)償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補(bǔ)償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度-電壓變換電路,并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上,通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化,對(duì)晶體振子的非線性頻率漂移進(jìn)行補(bǔ)償。該補(bǔ)償方式能實(shí)現(xiàn)±0.5ppm的高精度,但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補(bǔ)償是在模擬式補(bǔ)償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級(jí)模/數(shù)(A/D)變換器,將模擬量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。該法可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)溫度補(bǔ)償,使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高,但具體的補(bǔ)償電路比較復(fù)雜,成本也較高,只適用于基地站和廣播電臺(tái)等要求高精度化的情況。

KDS晶振有源晶振有4只引腳,是一個(gè)完整的振蕩器,里面除了石英晶體外,還有晶體管和阻容元件。有源晶振不需要DSP的內(nèi)部振蕩器,信號(hào)質(zhì)量好,比較穩(wěn)定,而且連接方式相對(duì)簡(jiǎn)單(主要是做好電源濾波,通常使用一個(gè)電容和電感構(gòu)成的PI型濾波網(wǎng)絡(luò),輸出端用一個(gè)小阻值的電阻過濾信號(hào)即可),不需要復(fù)雜的配置電路(1)直接補(bǔ)償型直接補(bǔ)償型TCXO是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補(bǔ)償電路,在振蕩器中與石英水晶振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時(shí),熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應(yīng)變化,從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移。該補(bǔ)償方式電路簡(jiǎn)單,成本較低,節(jié)省印制電路板(PCB)尺寸和空間,適用于小型和低壓小電流場(chǎng)合。但當(dāng)要求晶體振蕩器精度小于±1pmm時(shí),直接補(bǔ)償方式并不適宜。。相對(duì)于無源晶體,有源晶振的缺陷是其信號(hào)電平是固定的,需要選擇好合適輸出電平,靈活性較差,價(jià)格相對(duì)較高。對(duì)于時(shí)序要求敏感的應(yīng)用,還是有源的晶振好,因?yàn)榭梢赃x用比較精密的晶振,甚至是高檔的溫度補(bǔ)償晶振。有些DSP內(nèi)部沒有起振電路,只能使用有源的晶振,如TI的6000系列等。有源晶振相比于無源晶體通常體積較大,但現(xiàn)在許多有源晶振是表貼的,體積和晶體相當(dāng),有的甚至比許多晶體還要小。

KDS晶振未來溫補(bǔ)晶振的發(fā)展方向是向小型化、片式化、高精度和高穩(wěn)定度方向不斷發(fā)展,實(shí)現(xiàn)晶振的低噪聲、高頻化以及低功耗。近年來,國(guó)內(nèi)的溫補(bǔ)晶振產(chǎn)品水平得到了很大的提高,實(shí)現(xiàn)了在室溫下精度優(yōu)于±1ppm,第一年的頻率老化率為±1ppm,頻率(機(jī)械)微調(diào)≥±3ppm,電源功耗≤120mwKDS晶振晶振在生產(chǎn)的過程中,十幾道工序,每一道工序都不可掉以輕心,重要的工序之一必不可少的當(dāng)然是焊接,大家應(yīng)該都知道,石英晶振焊接方法與其封裝有著密切的聯(lián)系,插件和貼片的焊接方式是不一樣。而貼片晶振分手工焊接和自動(dòng)焊接。插件晶振焊接也不是很復(fù)雜先用鑷子將晶振放在線路板上在用熱風(fēng)木倉(cāng)將焊錫融化這樣就可以了比較單一。貼片晶振手工焊接相對(duì)有些復(fù)雜。。最高精度可達(dá)±0.05ppm。由此可見,TCXO晶振的技術(shù)水平還有很大的提升空間,創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力還很大。然而,科學(xué)技術(shù)的發(fā)展不能一蹴而就,它將伴隨整個(gè)電子行業(yè)的發(fā)展一同前行。
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