是不同振蕩器類型的典型溫度穩(wěn)定性的示意圖,范圍從標(biāo)準(zhǔn)VCXO的50ppm到高性能OCXO的0.2ppb.軸反轉(zhuǎn)使得曲線在增加溫度穩(wěn)定性的方向上增長.TCXO穩(wěn)定性范圍涵蓋VCXO和OCXO之間的中間位置(在某些情況下,重疊某些OCXO性能).

晶振H、OCXO主要技術(shù)指標(biāo)定義的IEC標(biāo)準(zhǔn)1）標(biāo)稱頻率（Nominalfrequency）振蕩器標(biāo)明的工作頻率晶振

。2）中心頻率偏差(Frequencyaccuracy)在基準(zhǔn)點(diǎn)溫度環(huán)境（25±2℃）和中心控制電壓時，測得的頻率值與標(biāo)稱頻率的偏差。圖3.溫度補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的方法隨著時間而改變.使用的第一種方法之一是直接補(bǔ)償技術(shù),其中使用熱敏電阻,電容器和電阻器網(wǎng)絡(luò)來直接控制振蕩器的頻率.溫度的變化導(dǎo)致熱敏電阻(圖4中的RT1和RT2)發(fā)生變化,這會導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)的等效串聯(lián)電容發(fā)生變化-這反過來會改變晶體上的電容負(fù)載,從而導(dǎo)致頻率的變化.振蕩器.

晶振一、溫補(bǔ)晶振溫度補(bǔ)償原理振蕩器的頻率溫度特性主要由晶體諧振器的頻率溫度特性決定2［頻域表征］⑴單邊相位噪聲功率譜密度，晶振輸出信號的頻譜中，用偏離載頻fHz處每Hz帶寬內(nèi)單邊相位噪聲功率與信號功率之比的分貝（dB）量，可寫作￡（f）單位為dB/Hz。⑵頻譜純度：是量度晶振內(nèi)部噪聲及雜散譜的尺度。通常用單邊噪聲功率譜密度來表示。。常用的AT切晶體諧振器的頻率溫度特性為三次曲線，溫補(bǔ)晶振溫度補(bǔ)償?shù)脑砭褪峭ㄟ^改變振蕩回路中的負(fù)載電容，使其隨溫度變化來補(bǔ)償諧振器由于環(huán)境溫度變化所產(chǎn)生的頻率漂移。

晶振五、封裝與其它電子元件相似,時鐘振蕩器亦采用愈來愈小型的封裝.康比電子能夠根據(jù)客戶的需要訂制各種類型、不同尺寸的晶體振蕩器（具體資料請參看產(chǎn)品手冊）.通常晶振晶體振蕩器電路由放大器和反饋網(wǎng)絡(luò)組成。反饋網(wǎng)絡(luò)從放大器獲取特定輸出，然后將其發(fā)送回放大器輸入。繪制出來時看起來很簡單。什么是晶體振蕩器電路?但是越深入，復(fù)雜性就越大。緊緊抓住!為了使晶體振蕩器電路有效運(yùn)行，必須滿足兩個關(guān)鍵條件：(1)環(huán)路功率增益必須等于一致；(2)環(huán)路相移必須等于0、2Pi，4Pi等弧度。,較小型的器件比較大型的表面貼裝或插腳封裝器件更昂貴.所以,小型封裝往往要在性能、輸出選擇和頻率選擇之間做出折衷.