溫補晶振即溫度補償晶體振蕩器（TCXO），是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。TCXO中，對石英晶體振子頻率溫度漂移的補償方法主要有直接補償和間接補償兩種類型：晶振我們已經(jīng)生活在一個科技時代,相對十年前簡直是翻天覆地的變化.如今手表也可以打電話,不僅高端大氣上檔次還是高智能產(chǎn)品晶振

全球硅振蕩器市場它主要受微處理器，開關(guān)穩(wěn)壓器時鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應用的驅(qū)動?；谖C電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預測期內(nèi)補充全球硅振蕩器市場的顯著增長。MEMS振蕩器尚未完全占領(lǐng)烤箱控制晶體振蕩器和溫度補償晶體振蕩器的市場空間。這些產(chǎn)品的制造使用標準的CMOS硅技術(shù)，與需要專門制造和封裝技術(shù)的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。,發(fā)信息,拍照等功能一應俱全.可以通過手表經(jīng)行定位.可以在公交車上面通過平板電腦辦公.各種便捷的智能產(chǎn)品讓我們瞬間都感覺與時代脫節(jié)的感覺.其它條件不變時，由于電源電壓在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對于規(guī)定的電源電壓時的頻率偏移。11）老化率（長期頻率穩(wěn)定度）(Aging,longtermstability)振蕩器頻率與時間之間的關(guān)系。注:這種頻率漂移是石英晶體或/和電路中的其它元器件的長期變化造成的，可以用規(guī)定時間間隔內(nèi)平均頻率的相對變化來表示。

晶振3、負載:其他條件保持不變，負載在規(guī)問定變化答范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對于標稱負載下的輸出頻率的最大允許頻偏（1）測試出補償電壓一溫度曲線（V-T曲線）；（2）根據(jù)V-T曲線數(shù)據(jù)，計算熱敏網(wǎng)絡(luò)中各電阻的阻值；（3）裝配溫補網(wǎng)絡(luò)，測試成品振蕩器f-T曲線，評價論證補償效果。可以看出，獲得準確的V-T曲線參數(shù)是溫補晶振設(shè)計生產(chǎn)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接關(guān)系到振蕩器頻率精度的高低，關(guān)系著成品溫補晶振品質(zhì)的優(yōu)劣。。4、電壓:其他條件保持不變，電源電壓在規(guī)定變化范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對于標稱電源電壓下的輸出頻率的最大允許頻偏。

晶振五、封裝與其它電子元件相似,時鐘振蕩器亦采用愈來愈小型的封裝.康比電子能夠根據(jù)客戶的需要訂制各種類型、不同尺寸的晶體振蕩器（具體資料請參看產(chǎn)品手冊）.通常晶振2）削峰正弦波（ClippingSine）：負載（Load）、輸出幅度（Outputlevel）。3）方波（Square）：又分為MOS和TTL兩類輸出。負載（Load）、占空比（Dutycycle）、上升/下降時間（Rise/falltime）、,較小型的器件比較大型的表面貼裝或插腳封裝器件更昂貴.所以,小型封裝往往要在性能、輸出選擇和頻率選擇之間做出折衷.