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廣東kds晶振深圳市均特利

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高低電平(“1”and“0”level)。7)工作電流、功耗(Inputcurrent,powerconsumption)8)頻率溫度穩(wěn)定度(Frequencystabilityovertemp.)其它條件不變時(shí),由于振蕩器工作在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)引起的相對(duì)于基準(zhǔn)溫度時(shí)的頻率偏移。

kds晶振恒溫晶振溫補(bǔ)晶振都屬于晶體振蕩器,都是有源晶振,所以組成的震蕩電路都需要電源加入才能工作。下面將簡(jiǎn)單介紹一下兩者的區(qū)別。恒溫晶體振蕩器簡(jiǎn)稱恒溫晶振,英文簡(jiǎn)稱為OCXO(OvenControlledCrystalOscillator)kds晶振

,是利用恒溫槽使晶體振蕩器中石英晶體諧振器的溫度保持恒定,將由周圍溫度變化引起的振蕩器輸出頻率變化量削減到最小的晶體振蕩器。OCXO是由恒溫槽控制電路和振蕩器電路構(gòu)成的。通常人們是利用熱敏電阻“電橋“構(gòu)成的差動(dòng)串聯(lián)放大器,來實(shí)現(xiàn)溫度控制。一個(gè)溫補(bǔ)晶振,可以通過測(cè)量溫度,然后自動(dòng)調(diào)整外部的匹配電容矩陣(改變接入的電容值)從而使頻率變得更準(zhǔn)確和穩(wěn)定。溫補(bǔ)晶振術(shù)語(yǔ)來自石英晶體振蕩器的一種補(bǔ)償方zhidao式已達(dá)到產(chǎn)品應(yīng)用方面的精度要求。溫補(bǔ)晶振定義是將壓電石英晶體原有的物理特性(壓電效應(yīng)下頻率隨溫回度成三次曲線變化)通過外圍電路逆向改變使得石英晶體原有頻率隨溫答度的變化盡可能的變小的一種補(bǔ)償方式所做的石英晶體振蕩器

kds晶振溫補(bǔ)晶振內(nèi)部結(jié)構(gòu)可分為石英晶體振蕩回路和溫度補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)兩部分。石英晶體振蕩器的頻率溫度特性主要由晶體諧振器的頻率溫度特性決定。傳統(tǒng)的TCXO是通過采用模擬器件進(jìn)行補(bǔ)償,即通過改變振蕩回路中的負(fù)載電容等模擬器件,使其隨溫度而變化來補(bǔ)償晶體諧振器由于環(huán)境溫度變化所產(chǎn)生的頻率漂移晶振在生產(chǎn)的過程中,十幾道工序,每一道工序都不可掉以輕心,重要的工序之一必不可少的當(dāng)然是焊接,大家應(yīng)該都知道,石英晶振焊接方法與其封裝有著密切的聯(lián)系,插件和貼片的焊接方式是不一樣。而貼片晶振分手工焊接和自動(dòng)焊接。插件晶振焊接也不是很復(fù)雜先用鑷子將晶振放在線路板上在用熱風(fēng)木倉(cāng)將焊錫融化這樣就可以了比較單一。貼片晶振手工焊接相對(duì)有些復(fù)雜。。這也叫模擬式溫度補(bǔ)償。隨著溫度補(bǔ)償技術(shù)的發(fā)展,很多采用數(shù)字化補(bǔ)償技術(shù)的TCXO逐漸開始出現(xiàn),這種數(shù)字化補(bǔ)償?shù)?a href="http://ffjsw.cn/wbjz.html" target="_blank">溫補(bǔ)晶振又叫DTCXO;還有一種用單片機(jī)進(jìn)行補(bǔ)償?shù)?a href="http://ffjsw.cn/wbjz.html" target="_blank">溫補(bǔ)晶振我們稱之為MCXO。數(shù)字化補(bǔ)償技術(shù)可實(shí)現(xiàn)晶振自動(dòng)溫度補(bǔ)償,使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高。并且能夠適應(yīng)更寬的工作溫度范圍。但具體的補(bǔ)償電路比較復(fù)雜,成本也較高,只適用于基地站和廣播電臺(tái)等要求高精度化的情況。因此,通常我們使用的都是采用的模擬式間接溫度補(bǔ)償?shù)?a href="http://ffjsw.cn/wbjz.html" target="_blank">溫補(bǔ)晶振。

kds晶振注:1)工作溫度范圍的下限越低,振蕩器功耗越大,同時(shí)頻率溫度穩(wěn)定度越難實(shí)現(xiàn)。2)工作溫度范圍的上限越高,晶體拐點(diǎn)設(shè)置越高,晶體成本上升越多kds晶振出經(jīng)過穩(wěn)壓后的精準(zhǔn)的電壓供壓控電壓用,這個(gè)精準(zhǔn)的電壓就是參考電壓。6)輸出波形(Outputwaveform)正弦:負(fù)載能力方波:上升沿時(shí)間、下降沿時(shí)間、占空比、高/低電平振蕩器工作時(shí)輸出的波形及波形的具體特性。。5)壓控特性(電壓范圍、極性、線性、壓控輸入阻抗)當(dāng)控制電壓變化時(shí),引起的振蕩器輸出的頻率、波形特征等電特性的變化。
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