圖3.溫度補償實現(xiàn)這一目標(biāo)的方法隨著時間而改變.使用的第一種方法之一是直接補償技術(shù),其中使用熱敏電阻,電容器和電阻器網(wǎng)絡(luò)來直接控制振蕩器的頻率.溫度的變化導(dǎo)致熱敏電阻(圖4中的RT1和RT2)發(fā)生變化,這會導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)的等效串聯(lián)電容發(fā)生變化-這反過來會改變晶體上的電容負(fù)載,從而導(dǎo)致頻率的變化.振蕩器.高頻晶振溫補晶振是如何實現(xiàn)電路補償中國電子市場對壓電石英晶振的需求是越來越大了，從而使晶體行業(yè)達(dá)到膨脹式的發(fā)展，尤其是近幾年時間國內(nèi)的晶體廠家不斷更新研發(fā)，從而導(dǎo)致一些很基本的電子元件慢慢的被淘汰掉了高頻晶振

出經(jīng)過穩(wěn)壓后的精準(zhǔn)的電壓供壓控電壓用，這個精準(zhǔn)的電壓就是參考電壓。6）輸出波形（Outputwaveform）正弦:負(fù)載能力方波:上升沿時間、下降沿時間、占空比、高/低電平振蕩器工作時輸出的波形及波形的具體特性。，就拿我們晶振行業(yè)來說像32.768KHZ系列的音叉型表晶，慢慢的就被音叉貼片式替代了，已經(jīng)成為小型化的走向，而且現(xiàn)在的產(chǎn)品越做越精致，要求也越來越高，普通型的晶體已經(jīng)不能滿足市場的需求，所以各大生產(chǎn)廠商已經(jīng)向石英振蕩器的方向發(fā)展，而振蕩器里面的溫補晶振已經(jīng)成為了電子各大廠商的爭奪對象。高頻晶振而溫補晶振的開機(jī)特性較好。恒溫晶振就算采用現(xiàn)在最好的加熱元件，也需要一個加溫過程

晶振在生產(chǎn)的過程中，十幾道工序，每一道工序都不可掉以輕心，重要的工序之一必不可少的當(dāng)然是焊接，大家應(yīng)該都知道，石英晶振焊接方法與其封裝有著密切的聯(lián)系，插件和貼片的焊接方式是不一樣。而貼片晶振分手工焊接和自動焊接。插件晶振焊接也不是很復(fù)雜先用鑷子將晶振放在線路板上在用熱風(fēng)木倉將焊錫融化這樣就可以了比較單一。貼片晶振手工焊接相對有些復(fù)雜。。想達(dá)到-7量級，怎么也需要5分鐘左右，而達(dá)-9以上量級甚至需要一天高頻晶振。因此開機(jī)即需要工作的設(shè)備就不太適合。如武器。試想5分鐘導(dǎo)彈已經(jīng)到達(dá)目標(biāo)，你的晶振還沒正常工作怎么用？

高頻晶振（2）間接補償型間接補償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度－電壓變換電路，并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上，通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對晶體振子的非線性頻率漂移進(jìn)行補償高頻晶振TCXO晶振溫度穩(wěn)定性水平(從5ppm到50ppb)通常是必要的,因為振蕩器將獨立工作,無論是在沒有外部頻率參考的系統(tǒng)中的自由運行模式,還是作為固定頻率參考TCXO在開環(huán)中工作的合成器,用于驅(qū)動DDS(直接數(shù)字合成),而DDS而不是TCXO被“鎖定”到外部參考.。該補償方式能實現(xiàn)±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補償是在模擬式補償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級模/數(shù)（A/D）變換器，將模擬量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。該法可實現(xiàn)自動溫度補償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補償電路比較復(fù)雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺等要求高精度化的情況。