（2）間接補償型間接補償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度－電壓變換電路，并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變容二極管上，通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對晶體振子的非線性頻率漂移進行補償。該補償方式能實現(xiàn)±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補償是在模擬式補償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級模/數(shù)（A/D）變換器，將模擬量轉換成數(shù)字量。該法可實現(xiàn)自動溫度補償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補償電路比較復雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺等要求高精度化的情況。恒溫晶振我們已經(jīng)生活在一個科技時代,相對十年前簡直是翻天覆地的變化.如今手表也可以打電話,不僅高端大氣上檔次還是高智能產(chǎn)品恒溫晶振

晶體振蕩器電路由放大器和反饋網(wǎng)絡組成。反饋網(wǎng)絡從放大器獲取特定輸出，然后將其發(fā)送回放大器輸入。繪制出來時看起來很簡單。什么是晶體振蕩器電路?但是越深入，復雜性就越大。緊緊抓住!為了使晶體振蕩器電路有效運行，必須滿足兩個關鍵條件：(1)環(huán)路功率增益必須等于一致；(2)環(huán)路相移必須等于0、2Pi，4Pi等弧度。,發(fā)信息,拍照等功能一應俱全.可以通過手表經(jīng)行定位.可以在公交車上面通過平板電腦辦公.各種便捷的智能產(chǎn)品讓我們瞬間都感覺與時代脫節(jié)的感覺.圖3.溫度補償實現(xiàn)這一目標的方法隨著時間而改變.使用的第一種方法之一是直接補償技術,其中使用熱敏電阻,電容器和電阻器網(wǎng)絡來直接控制振蕩器的頻率.溫度的變化導致熱敏電阻(圖4中的RT1和RT2)發(fā)生變化,這會導致網(wǎng)絡的等效串聯(lián)電容發(fā)生變化-這反過來會改變晶體上的電容負載,從而導致頻率的變化.振蕩器.

恒溫晶振溫補晶振內部結構可分為石英晶體振蕩回路和溫度補償網(wǎng)絡兩部分。石英晶體振蕩器的頻率溫度特性主要由晶體諧振器的頻率溫度特性決定。傳統(tǒng)的TCXO是通過采用模擬器件進行補償，即通過改變振蕩回路中的負載電容等模擬器件，使其隨溫度而變化來補償晶體諧振器由于環(huán)境溫度變化所產(chǎn)生的頻率漂移（4）FLUKE45萬用表支持串口程控，用于獲取TCXO內部三端穩(wěn)壓器的輸出電壓VDD,為補償網(wǎng)絡分析計算輔助數(shù)據(jù)。2.2補償電壓自動測試過程根據(jù)系統(tǒng)硬件組成與測試目的要求，補償電壓自動測試過程如下：將未裝配補償網(wǎng)絡的待測半成品活件裝入高低溫箱，連接好各儀器設備，打開電源，運行程序，進行參數(shù)設置（如工作電壓為8V,中心頻率為19.2MHz,測試溫度范圍為-40~+70℃，10℃步進）；點擊開始按鈕，程序控制高低溫箱自動回0號參考工位，開始降溫至-40℃，保溫30min后，工位進1,根據(jù)1號位活件設置調節(jié)程控電源工作電壓輸出，獲取振蕩器頻率，變化E+,使振蕩器頻率越來越接近中心頻率，直到滿足要求，記錄此時程控電源的E+即為所測補償電壓結果，同時記錄振蕩器內為溫補網(wǎng)絡供電的穩(wěn)壓器輸出電壓VDD;然后高低溫箱輪位進1,移向2號位測量，直到所有工位測試完畢；開始升溫10℃至-30℃，保溫20min,測試記錄數(shù)據(jù)，完成所有工位測試；繼續(xù)升溫，保溫、測量，直至全部溫度點測試完畢，一個測試過程完成。。這也叫模擬式溫度補償。隨著溫度補償技術的發(fā)展，很多采用數(shù)字化補償技術的TCXO逐漸開始出現(xiàn)，這種數(shù)字化補償?shù)?a href="http://ffjsw.cn/wbjz.html" target="_blank">溫補晶振又叫DTCXO；還有一種用單片機進行補償?shù)?a href="http://ffjsw.cn/wbjz.html" target="_blank">溫補晶振我們稱之為MCXO。數(shù)字化補償技術可實現(xiàn)晶振自動溫度補償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高。并且能夠適應更寬的工作溫度范圍。但具體的補償電路比較復雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺等要求高精度化的情況。因此，通常我們使用的都是采用的模擬式間接溫度補償?shù)?a href="http://ffjsw.cn/wbjz.html" target="_blank">溫補晶振。

恒溫晶振3、由于石英晶振是被動組件，它是由IC提供適當?shù)募罟β识９ぷ鞯模虼?，當激勵功率過低時，晶體不易起振，過高時，便形成過激勵，使石英芯片破損，引起停振恒溫晶振注：常見輸出波形及輸出特性指標：1）正弦波（Sine）：諧波抑制（Harmonicattenuation）、雜波抑制（Noiseattenuation）、負載（Load）、輸出幅度（Outputlevel）。。所以，應提供適當?shù)募罟β?。另外，有功負載會消耗一定的功率，從而降低晶體Q值，從而使晶體的穩(wěn)定性下降，容易受周邊有源組件影響，處于不穩(wěn)定狀態(tài)，出現(xiàn)時振時不振現(xiàn)象，所以，外加有功負載時，應匹配一個比較合適有功負載。