并聯(lián)電路并聯(lián)諧振振蕩器電路是用晶體設計的，該晶體可以在特定的負載電容下工作。這會導致晶體振蕩器以高于串聯(lián)諧振頻率但低于真正的并聯(lián)諧振頻率的頻率工作。為了完成這種類型的電路中的反饋環(huán)路，必須設計通過晶振的路由。如果晶體失效，電路將不再振蕩。那么確定振蕩器頻率的“負載電容”從何而來呢?該電路實際上使用了一個孤立的逆變器，該逆變器在反饋環(huán)路中具有兩個電容，這些電容包含了負載電容。如果負載電容改變，振蕩器產生的頻率也會改變。高頻晶振當需要標準XO(晶體振蕩器)或VCXO(壓控晶體振蕩器)無法達到的溫度穩(wěn)定性時,TCXO是必需的.溫度穩(wěn)定性是振蕩器頻率隨溫度變化的量度,并且以兩種方式定義.一種常見的方法是使用“加/減”規(guī)格(例如：±0.28ppm對比工作溫度范圍高頻晶振

高低電平（“1”and“0”level）。7）工作電流、功耗(Inputcurrent,powerconsumption)8）頻率溫度穩(wěn)定度(Frequencystabilityovertemp.)其它條件不變時，由于振蕩器工作在規(guī)定的溫度范圍內引起的相對于基準溫度時的頻率偏移。,參考25°C-溫度范圍通常為-40至85°C或-20至70°C).該規(guī)范告訴我們,如果我們將25°C的頻率設為標稱頻率,則器件頻率將偏離或低于該標稱頻率不超過0.28ppm.這與指定溫度穩(wěn)定性的第二種方式不同,即使用峰峰值或僅使用沒有參考點的正/負值.在第二種情況下,我們不能說我們知道頻率會高于或低于頻率將會發(fā)生多大變化-只是我們知道總的范圍是多少.通常,使用來自定義的參考點的正負值來指定設備.（1）測試出補償電壓一溫度曲線（V-T曲線）；（2）根據(jù)V-T曲線數(shù)據(jù)，計算熱敏網(wǎng)絡中各電阻的阻值；（3）裝配溫補網(wǎng)絡，測試成品振蕩器f-T曲線，評價論證補償效果?？梢钥闯?，獲得準確的V-T曲線參數(shù)是溫補晶振設計生產中的關鍵環(huán)節(jié)，直接關系到振蕩器頻率精度的高低，關系著成品溫補晶振品質的優(yōu)劣。

高頻晶振隨著各種高端智能產品的火爆,電子元器件也從中分到了一杯羹.晶振是一個典型的例子.晶振是百分之八十以上電子產品的核心命脈.假如沒有晶振的支持絕大部分電子相關智能產品將會陷入癱瘓然而引起嚴重后果.隨著電子產品的變化晶振也在不斷的更新?lián)Q代.從以前的大體積到現(xiàn)在的超小超薄型貼片晶振成為市場主流用溫度補償?shù)姆椒p少頻率失真，因為振蕩器工作時由于電阻的作用(晶體管或者集成電路都有內阻)就會有溫升，溫度升高對半導體影響很大，會使半導體的工作點發(fā)生飄移從而導致振蕩頻率的變化，這些變化對使用者來說影響很大如無線電通訊、本地時鐘(單片機或者電腦)要求頻率高度穩(wěn)定，所以開發(fā)商生產出具有溫度補償性能的有源振蕩器，這些具有溫度補償?shù)木w振蕩器頻率變化非常低，可以長期穩(wěn)定工作提供高穩(wěn)定性頻率基準。,在整個變化中對于行業(yè)的技術來說是一項極大的挑戰(zhàn).由于市場的需求日本KDS、CITIZEN等大型品牌帶領整個行業(yè)邁向科技前沿,研發(fā)新型技術,更新生產設備,制造高精度晶體來滿足市場需求.由于高端智能產品的涌現(xiàn),對于各種元器件的要求也是極高.溫補晶振、壓控晶振逐步被眾多高端市場所選用,但是溫補、壓控晶振使技術更加提升,成本也是相對增加.作為一名晶振銷售人員,很多采購并不知道在選擇晶振的時候該注意哪一些特性.才能夠在使用的過程中讓產品變得更加穩(wěn)定.在此我為大家對于一些重要的特性經行了簡述:

高頻晶振但通過分析與研究，由于精度、低功耗和小型化，仍然是溫補晶振的研究課題。在小型化與片式化方面，面臨不少困難，其中主要的有兩點：一是小型化會使石英晶體振子的頻率可變幅度變小高頻晶振圖4.直接補償在隨后的開發(fā)中(圖5中所示的間接補償),熱敏電阻(RT1至RT3)和電阻(R1至R3)的網(wǎng)絡用于產生與溫度相關的電壓.對網(wǎng)絡的輸出電壓進行濾波,然后用于驅動變容二極管,該變容二極管改變晶振上的負載,再次導致頻率變化.，溫度補償更加困難；二是片式封裝后在其接作業(yè)中，由于焊接溫度遠高于溫補晶振的最大允許溫度，會使晶體振子的頻率發(fā)生變化，若不采限局部散熱降溫措施，難以將溫補晶振的頻率變化量控制在±0.5×10－6以下。但是，溫補晶振的技術水平的提高并沒進入到極限，創(chuàng)新的內容和潛力仍較大。