晶振在生產(chǎn)的過程中，十幾道工序，每一道工序都不可掉以輕心，重要的工序之一必不可少的當(dāng)然是焊接，大家應(yīng)該都知道，石英晶振焊接方法與其封裝有著密切的聯(lián)系，插件和貼片的焊接方式是不一樣。而貼片晶振分手工焊接和自動焊接。插件晶振焊接也不是很復(fù)雜先用鑷子將晶振放在線路板上在用熱風(fēng)木倉將焊錫融化這樣就可以了比較單一。貼片晶振手工焊接相對有些復(fù)雜。

壓控品振VCTCXO1、頻率準(zhǔn)確度，在百標(biāo)準(zhǔn)電源電壓，標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載電容阻抗，基準(zhǔn)溫度以及其他條件保持不變的情況下，石英晶體振蕩器的頻率相對與其規(guī)定標(biāo)稱值的最大允許偏差不得超過±50壓控品振VCTCXO

。2、溫度穩(wěn)定度，其他規(guī)格條件保持不變，在規(guī)定溫度范圍內(nèi)石英晶體振蕩器度輸出頻率的最大變化量相對于溫度范圍內(nèi)輸出頻率極值之和的允許頻偏值。并聯(lián)電路并聯(lián)諧振振蕩器電路是用晶體設(shè)計(jì)的，該晶體可以在特定的負(fù)載電容下工作。這會導(dǎo)致晶體振蕩器以高于串聯(lián)諧振頻率但低于真正的并聯(lián)諧振頻率的頻率工作。為了完成這種類型的電路中的反饋環(huán)路，必須設(shè)計(jì)通過晶振的路由。如果晶體失效，電路將不再振蕩。那么確定振蕩器頻率的“負(fù)載電容”從何而來呢?該電路實(shí)際上使用了一個(gè)孤立的逆變器，該逆變器在反饋環(huán)路中具有兩個(gè)電容，這些電容包含了負(fù)載電容。如果負(fù)載電容改變，振蕩器產(chǎn)生的頻率也會改變。

壓控品振VCTCXO1［時(shí)域表征］⑴在規(guī)定條件下，晶振內(nèi)部元件由于老化而引起的輸出頻率隨時(shí)間的漂移全球硅振蕩器市場它主要受微處理器，開關(guān)穩(wěn)壓器時(shí)鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應(yīng)用的驅(qū)動?；谖C(jī)電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應(yīng)用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預(yù)測期內(nèi)補(bǔ)充全球硅振蕩器市場的顯著增長。MEMS振蕩器尚未完全占領(lǐng)烤箱控制晶體振蕩器和溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的市場空間。這些產(chǎn)品的制造使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS硅技術(shù)，與需要專門制造和封裝技術(shù)的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。。通常用某一時(shí)間間隔內(nèi)的老化頻差的相對值來量度（如日、月或年老化率等）。⑵日穩(wěn)定度（或稱日波動）：指晶振的輸出頻率在24小時(shí)內(nèi)的變化情況。通常用其最大變化的相對值來表示。

壓控品振VCTCXO（2）間接補(bǔ)償型間接補(bǔ)償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補(bǔ)償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度－電壓變換電路，并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上，通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對晶體振子的非線性頻率漂移進(jìn)行補(bǔ)償壓控品振VCTCXO為了能讓廣大新老客戶更好的了解溫補(bǔ)晶振性能，我們把溫補(bǔ)晶振補(bǔ)償原理做了個(gè)簡單的測試。溫補(bǔ)晶振由石英晶體振蕩電路和溫度補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)兩部分組成。典型的溫補(bǔ)晶振原理示意圖。振蕩器的頻率溫度特性主要由晶體諧振器的頻率溫度特性決定。常用的AT切晶體諧振器的頻率溫度特性為三次曲線，溫補(bǔ)晶振溫度補(bǔ)償?shù)脑砭褪峭ㄟ^改變振蕩回路中的負(fù)載電容，使其隨溫度變化來補(bǔ)償諧振器由于環(huán)境溫度變化所產(chǎn)生的頻率漂移。。該補(bǔ)償方式能實(shí)現(xiàn)±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補(bǔ)償是在模擬式補(bǔ)償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級模/數(shù)（A/D）變換器，將模擬量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。該法可實(shí)現(xiàn)自動溫度補(bǔ)償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補(bǔ)償電路比較復(fù)雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺等要求高精度化的情況。