全球硅振蕩器市場它主要受微處理器，開關穩(wěn)壓器時鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應用的驅動。基于微機電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預測期內補充全球硅振蕩器市場的顯著增長。MEMS振蕩器尚未完全占領烤箱控制晶體振蕩器和溫度補償晶體振蕩器的市場空間。這些產品的制造使用標準的CMOS硅技術，與需要專門制造和封裝技術的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。高頻晶振壓控晶振是通過外加一個壓控電抄壓可以調節(jié)晶振的頻率。一般是采用外加電壓加到襲晶振里面的變容二極管上來改變電容值以達到改變頻率的效果高頻晶振

4）線性度：理想的壓控電壓和頻率變化量的關系是線性的，但實際上總會有所偏差，這個偏差就是表征理想程度的壓控線性度，通常用百分比表示。5）如果系統(tǒng)不能給出穩(wěn)定的電壓信號，或者對輸出頻率有嚴格的控制要求時，通常振蕩器可以自己給。這種壓控晶振一般用在需百要調節(jié)頻率的儀器上。而溫補晶振它是采用內置一個溫補網(wǎng)絡來補償由于溫度帶來的度頻率偏差，達到在一定溫度范圍內頻率十分穩(wěn)定的知效果，一般用在要求頻率在特定環(huán)境溫度范圍道內要求振蕩器頻率十分穩(wěn)定的儀器上。注：常見輸出波形及輸出特性指標：1）正弦波（Sine）：諧波抑制（Harmonicattenuation）、雜波抑制（Noiseattenuation）、負載（Load）、輸出幅度（Outputlevel）。

高頻晶振無論什么晶振，在電路中只有一個作用，那就是提供穩(wěn)定的頻率輸出。不同的是壓控晶振可以通過壓控端的電壓微調控制輸出的頻率的高低變容二極管D兩端所加電壓（即補償電壓）由溫補網(wǎng)絡輸出，溫補網(wǎng)絡隨溫度自動調節(jié)輸出電壓，變容二極管容量隨之改變，以抵消諧振器頻率隨溫度的變化，可使輸出頻率基本不變。從以上原理分析可得溫補晶振補償過程如下：，而溫補晶振則自動根據(jù)環(huán)境溫度的變化對頻率輸出進行補償，使輸出的頻率穩(wěn)定，當然一些溫補晶振也帶有壓控端。

高頻晶振13）相位噪聲(Phasenoise)振蕩器短期頻率穩(wěn)定度的頻域量度，通常用相應起伏功率譜密度Sψ(f)表示高頻晶振（2）程控電源Agilent3631A支持GPIB接口程控，滿足獨立雙路供電，其中0~6V為E+供電，其分辨率可達2mV以內；0~25V為TCXO系統(tǒng)提供工作電壓。（3）數(shù)字頻率計EE3386A1支持串口程控，用于獲取TCXO輸出頻率。，其中相位起伏函數(shù)為ψ(f)=2πFt-2πF0t注:抖動是振蕩器短期頻率穩(wěn)定度的時域量度，實際上和相位噪聲都是頻率短期穩(wěn)定度的一種度量方式。