2［頻域表征］⑴單邊相位噪聲功率譜密度，晶振輸出信號的頻譜中，用偏離載頻fHz處每Hz帶寬內單邊相位噪聲功率與信號功率之比的分貝（dB）量，可寫作￡（f）單位為dB/Hz。⑵頻譜純度：是量度晶振內部噪聲及雜散譜的尺度。通常用單邊噪聲功率譜密度來表示。溫補晶振當需要標準XO(晶體振蕩器)或VCXO(壓控晶體振蕩器)無法達到的溫度穩(wěn)定性時,TCXO是必需的.溫度穩(wěn)定性是振蕩器頻率隨溫度變化的量度,并且以兩種方式定義.一種常見的方法是使用“加/減”規(guī)格(例如：±0.28ppm對比工作溫度范圍溫補晶振

TCXO溫度補償晶振如何運作在非?；镜男g語中,TCXO通過采用溫度補償網絡來操作,該網絡感測環(huán)境溫度并將晶體拉至其標稱值.基本振蕩器電路和輸出級與VCXO中的預期相同.圖2是簡化的TCXO功能框圖.圖2.TCXO功能塊,參考25°C-溫度范圍通常為-40至85°C或-20至70°C).該規(guī)范告訴我們,如果我們將25°C的頻率設為標稱頻率,則器件頻率將偏離或低于該標稱頻率不超過0.28ppm.這與指定溫度穩(wěn)定性的第二種方式不同,即使用峰峰值或僅使用沒有參考點的正/負值.在第二種情況下,我們不能說我們知道頻率會高于或低于頻率將會發(fā)生多大變化-只是我們知道總的范圍是多少.通常,使用來自定義的參考點的正負值來指定設備.溫補晶振而溫補晶振的開機特性較好。恒溫晶振就算采用現在最好的加熱元件，也需要一個加溫過程

（2）間接補償型間接補償型又分模擬式和數字式兩種類型。模擬式間接溫度補償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度－電壓變換電路，并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變容二極管上，通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對晶體振子的非線性頻率漂移進行補償。該補償方式能實現±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數字化間接溫度補償是在模擬式補償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級模/數（A/D）變換器，將模擬量轉換成數字量。該法可實現自動溫度補償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補償電路比較復雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺等要求高精度化的情況。。想達到-7量級，怎么也需要5分鐘左右，而達-9以上量級甚至需要一天溫補晶振。因此開機即需要工作的設備就不太適合。如武器。試想5分鐘導彈已經到達目標，你的晶振還沒正常工作怎么用？

溫補晶振3、由于石英晶振是被動組件，它是由IC提供適當的激勵功率而正常工作的，因此，當激勵功率過低時，晶體不易起振，過高時，便形成過激勵，使石英芯片破損，引起停振溫補晶振高低電平（“1”and“0”level）。7）工作電流、功耗(Inputcurrent,powerconsumption)8）頻率溫度穩(wěn)定度(Frequencystabilityovertemp.)其它條件不變時，由于振蕩器工作在規(guī)定的溫度范圍內引起的相對于基準溫度時的頻率偏移。。所以，應提供適當的激勵功率。另外，有功負載會消耗一定的功率，從而降低晶體Q值，從而使晶體的穩(wěn)定性下降，容易受周邊有源組件影響，處于不穩(wěn)定狀態(tài)，出現時振時不振現象，所以，外加有功負載時，應匹配一個比較合適有功負載。