9）負(fù)載變化頻率穩(wěn)定度(FrequencystabilityVsvoltage+/-5%)其它條件不變時，由于負(fù)載阻抗在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對于規(guī)定的負(fù)載條件時的頻率偏移。10）電源變化頻率穩(wěn)定度(FrequencystabilityVsLoad+/-10%)高頻晶振壓控晶振是通過外加一個壓控電抄壓可以調(diào)節(jié)晶振的頻率。一般是采用外加電壓加到襲晶振里面的變?nèi)荻O管上來改變電容值以達(dá)到改變頻率的效果高頻晶振

2）削峰正弦波（ClippingSine）：負(fù)載（Load）、輸出幅度（Outputlevel）。3）方波（Square）：又分為MOS和TTL兩類輸出。負(fù)載（Load）、占空比（Dutycycle）、上升/下降時間（Rise/falltime）、。這種壓控晶振一般用在需百要調(diào)節(jié)頻率的儀器上。而溫補晶振它是采用內(nèi)置一個溫補網(wǎng)絡(luò)來補償由于溫度帶來的度頻率偏差，達(dá)到在一定溫度范圍內(nèi)頻率十分穩(wěn)定的知效果，一般用在要求頻率在特定環(huán)境溫度范圍道內(nèi)要求振蕩器頻率十分穩(wěn)定的儀器上。高頻晶振3）頻率調(diào)諧范圍（Frequencyadjustmentrange）用某種可變元件使振蕩器頻率能夠改變的頻率范圍高頻晶振

（1）直接補償型直接補償型TCXO是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補償電路，在振蕩器中與石英水晶振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時，熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應(yīng)變化，從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移。該補償方式電路簡單，成本較低，節(jié)省印制電路板（PCB）尺寸和空間，適用于小型和低壓小電流場合。但當(dāng)要求晶體振蕩器精度小于±1pmm時，直接補償方式并不適宜。。注：調(diào)整的目的：1）把頻率調(diào)到規(guī)定調(diào)整范圍內(nèi)的任一特定值。2）由于老化和其它條件變化而引起頻率偏移后，能夠把振蕩器頻率修正到規(guī)定值。

高頻晶振5、老化:在規(guī)定的環(huán)境條件下，由于元件老化而引起的輸出頻率隨時專間的系統(tǒng)漂移過程高頻晶振注：常見輸出波形及輸出特性指標(biāo)：1）正弦波（Sine）：諧波抑制（Harmonicattenuation）、雜波抑制（Noiseattenuation）、負(fù)載（Load）、輸出幅度（Outputlevel）。。通常用某一時間間隔內(nèi)的頻差來量度。對于高穩(wěn)定晶振，由于輸出頻率在較長的工屬作時間內(nèi)呈近似線性的單方向漂移，往往用老化率來量度。