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深圳KDS晶振代理

發(fā)布時(shí)間:2021-09-04   點(diǎn)擊量:437

(4)FLUKE45萬(wàn)用表支持串口程控,用于獲取TCXO內(nèi)部三端穩(wěn)壓器的輸出電壓VDD,為補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)分析計(jì)算輔助數(shù)據(jù)。2.2補(bǔ)償電壓自動(dòng)測(cè)試過(guò)程根據(jù)系統(tǒng)硬件組成與測(cè)試目的要求,補(bǔ)償電壓自動(dòng)測(cè)試過(guò)程如下:將未裝配補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的待測(cè)半成品活件裝入高低溫箱,連接好各儀器設(shè)備,打開(kāi)電源,運(yùn)行程序,進(jìn)行參數(shù)設(shè)置(如工作電壓為8V,中心頻率為19.2MHz,測(cè)試溫度范圍為-40~+70℃,10℃步進(jìn));點(diǎn)擊開(kāi)始按鈕,程序控制高低溫箱自動(dòng)回0號(hào)參考工位,開(kāi)始降溫至-40℃,保溫30min后,工位進(jìn)1,根據(jù)1號(hào)位活件設(shè)置調(diào)節(jié)程控電源工作電壓輸出,獲取振蕩器頻率,變化E+,使振蕩器頻率越來(lái)越接近中心頻率,直到滿足要求,記錄此時(shí)程控電源的E+即為所測(cè)補(bǔ)償電壓結(jié)果,同時(shí)記錄振蕩器內(nèi)為溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)供電的穩(wěn)壓器輸出電壓VDD;然后高低溫箱輪位進(jìn)1,移向2號(hào)位測(cè)量,直到所有工位測(cè)試完畢;開(kāi)始升溫10℃至-30℃,保溫20min,測(cè)試記錄數(shù)據(jù),完成所有工位測(cè)試;繼續(xù)升溫,保溫、測(cè)量,直至全部溫度點(diǎn)測(cè)試完畢,一個(gè)測(cè)試過(guò)程完成。

KDS晶振溫補(bǔ)晶振具有較高的頻率穩(wěn)定度,作為一種高精度頻率源被廣泛地應(yīng)用于通訊系統(tǒng)、雷達(dá)導(dǎo)航系統(tǒng)、精密測(cè)控系統(tǒng)等KDS晶振

。均特利電子介紹溫補(bǔ)晶振由石英晶體振蕩電路和溫度補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)兩部分組成。其中,溫度補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)化設(shè)計(jì)對(duì)于改善溫補(bǔ)晶體振蕩器的溫頻特性,提高振蕩器的頻率精度具有重要意義。一個(gè)溫補(bǔ)晶振,可以通過(guò)測(cè)量溫度,然后自動(dòng)調(diào)整外部的匹配電容矩陣(改變接入的電容值)從而使頻率變得更準(zhǔn)確和穩(wěn)定。溫補(bǔ)晶振術(shù)語(yǔ)來(lái)自石英晶體振蕩器的一種補(bǔ)償方zhidao式已達(dá)到產(chǎn)品應(yīng)用方面的精度要求。溫補(bǔ)晶振定義是將壓電石英晶體原有的物理特性(壓電效應(yīng)下頻率隨溫回度成三次曲線變化)通過(guò)外圍電路逆向改變使得石英晶體原有頻率隨溫答度的變化盡可能的變小的一種補(bǔ)償方式所做的石英晶體振蕩器

KDS晶振溫補(bǔ)振蕩器工作的原理是什么呢?我們知道,如果增加匹配電容的容值,就能使振蕩頻率降低2[頻域表征]⑴單邊相位噪聲功率譜密度,晶振輸出信號(hào)的頻譜中,用偏離載頻fHz處每Hz帶寬內(nèi)單邊相位噪聲功率與信號(hào)功率之比的分貝(dB)量,可寫作£(f)單位為dB/Hz。⑵頻譜純度:是量度晶振內(nèi)部噪聲及雜散譜的尺度。通常用單邊噪聲功率譜密度來(lái)表示。,溫補(bǔ)振蕩器工作的原理即是通過(guò)測(cè)量溫度,然后自動(dòng)調(diào)整外部的匹配電容矩陣(改變接入的電容值),從而使頻率變得更準(zhǔn)確和穩(wěn)定比如在計(jì)時(shí)器產(chǎn)品中,需要更高的精度,以達(dá)到最小的誤差,就要進(jìn)行溫度補(bǔ)償。

KDS晶振注:1)工作溫度范圍的下限越低,振蕩器功耗越大,同時(shí)頻率溫度穩(wěn)定度越難實(shí)現(xiàn)。2)工作溫度范圍的上限越高,晶體拐點(diǎn)設(shè)置越高,晶體成本上升越多KDS晶振(2)程控電源Agilent3631A支持GPIB接口程控,滿足獨(dú)立雙路供電,其中0~6V為E+供電,其分辨率可達(dá)2mV以內(nèi);0~25V為TCXO系統(tǒng)提供工作電壓。(3)數(shù)字頻率計(jì)EE3386A1支持串口程控,用于獲取TCXO輸出頻率。。5)壓控特性(電壓范圍、極性、線性、壓控輸入阻抗)當(dāng)控制電壓變化時(shí),引起的振蕩器輸出的頻率、波形特征等電特性的變化。
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