（4）FLUKE45萬用表支持串口程控，用于獲取TCXO內(nèi)部三端穩(wěn)壓器的輸出電壓VDD,為補償網(wǎng)絡(luò)分析計算輔助數(shù)據(jù)。2.2補償電壓自動測試過程根據(jù)系統(tǒng)硬件組成與測試目的要求，補償電壓自動測試過程如下：將未裝配補償網(wǎng)絡(luò)的待測半成品活件裝入高低溫箱，連接好各儀器設(shè)備，打開電源，運行程序，進行參數(shù)設(shè)置（如工作電壓為8V,中心頻率為19.2MHz,測試溫度范圍為-40~+70℃，10℃步進）；點擊開始按鈕，程序控制高低溫箱自動回0號參考工位，開始降溫至-40℃，保溫30min后，工位進1,根據(jù)1號位活件設(shè)置調(diào)節(jié)程控電源工作電壓輸出，獲取振蕩器頻率，變化E+,使振蕩器頻率越來越接近中心頻率，直到滿足要求，記錄此時程控電源的E+即為所測補償電壓結(jié)果，同時記錄振蕩器內(nèi)為溫補網(wǎng)絡(luò)供電的穩(wěn)壓器輸出電壓VDD;然后高低溫箱輪位進1,移向2號位測量，直到所有工位測試完畢；開始升溫10℃至-30℃，保溫20min,測試記錄數(shù)據(jù)，完成所有工位測試；繼續(xù)升溫，保溫、測量，直至全部溫度點測試完畢，一個測試過程完成。恒溫晶振溫補晶振是如何實現(xiàn)電路補償中國電子市場對壓電石英晶振的需求是越來越大了，從而使晶體行業(yè)達到膨脹式的發(fā)展，尤其是近幾年時間國內(nèi)的晶體廠家不斷更新研發(fā)，從而導致一些很基本的電子元件慢慢的被淘汰掉了恒溫晶振

（1）直接補償型直接補償型是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補償電路，在振蕩器中與石英晶振振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時，熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應變化，從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移。該補償方式電路簡單，成本較低，節(jié)省印制電路板（PCB）尺寸和空間，適用于小型和低壓小電流場合。但當要求晶體振蕩器精度小于±1pmm時，直接補償方式并不適宜。，就拿我們晶振行業(yè)來說像32.768KHZ系列的音叉型表晶，慢慢的就被音叉貼片式替代了，已經(jīng)成為小型化的走向，而且現(xiàn)在的產(chǎn)品越做越精致，要求也越來越高，普通型的晶體已經(jīng)不能滿足市場的需求，所以各大生產(chǎn)廠商已經(jīng)向石英振蕩器的方向發(fā)展，而振蕩器里面的溫補晶振已經(jīng)成為了電子各大廠商的爭奪對象。本系統(tǒng)以計算機為控制中心，包括高低溫箱、程控電源、數(shù)字頻率計和數(shù)字萬用表等設(shè)備。（1）高低溫箱S&A4220MR支持GPIB接口程控，滿足-50~+80℃測試要求，箱內(nèi)的測量圈設(shè)有50個工位，每個工位通過5根導線連接一個待測補償電壓的半成品活件，分別接活件的GND,VCC,VDD,OUT和E+.

恒溫晶振有源晶振有4只引腳，是一個完整的振蕩器，里面除了石英晶體外，還有晶體管和阻容元件。有源晶振不需要DSP的內(nèi)部振蕩器，信號質(zhì)量好，比較穩(wěn)定，而且連接方式相對簡單（主要是做好電源濾波，通常使用一個電容和電感構(gòu)成的PI型濾波網(wǎng)絡(luò)，輸出端用一個小阻值的電阻過濾信號即可），不需要復雜的配置電路原材料的選擇石英晶振是由晶片、支架、導電膠、引腳、陶瓷基座和外殼組成，在原材料選擇中，卡斯電子都全部通過SGS認證，從原料、生產(chǎn)、性能，、外觀等方面嚴格檢控。。相對于無源晶體，有源晶振的缺陷是其信號電平是固定的，需要選擇好合適輸出電平，靈活性較差，價格相對較高。對于時序要求敏感的應用，還是有源的晶振好，因為可以選用比較精密的晶振，甚至是高檔的溫度補償晶振。有些DSP內(nèi)部沒有起振電路，只能使用有源的晶振，如TI的6000系列等。有源晶振相比于無源晶體通常體積較大，但現(xiàn)在許多有源晶振是表貼的，體積和晶體相當，有的甚至比許多晶體還要小。

恒溫晶振圖5間接補償目前的方法將補償網(wǎng)絡(luò)和拉網(wǎng)絡(luò)集成到一個集成電路中(如圖6所示),補償網(wǎng)絡(luò)的作用由一組運算放大器組成,這些運算放大器在一起產(chǎn)生溫度上的3階或5階函數(shù).與間接補償方法一樣恒溫晶振TCXO溫度補償晶振如何運作在非?；镜男g(shù)語中,TCXO通過采用溫度補償網(wǎng)絡(luò)來操作,該網(wǎng)絡(luò)感測環(huán)境溫度并將晶體拉至其標稱值.基本振蕩器電路和輸出級與VCXO中的預期相同.圖2是簡化的TCXO功能框圖.圖2.TCXO功能塊,該電壓用于驅(qū)動變?nèi)荻O管,這反過來又改變了振蕩器的輸出頻率.由于晶體特性的變化意味著沒有“一刀切”的功能,因此在TCXO的溫度測試期間得出了解決方案.兩個電容器陣列用于將室溫下的頻率調(diào)節(jié)到標稱值,然后在測試期間獲得溫度補償功能所需的設(shè)置并存儲在片上存儲器中.