恒溫晶振就算采用現(xiàn)在最好的加熱元件，也需要一個加溫過程。因此開機即需要工作的設(shè)備就不太適合。無論是恒溫晶振還是溫補晶振無非就是個信號源，為你的設(shè)備提供一個時間基準。只要你了解它性能指標你就可以相互代用。

高頻晶振H、OCXO主要技術(shù)指標定義的IEC標準1）標稱頻率（Nominalfrequency）振蕩器標明的工作頻率高頻晶振

。2）中心頻率偏差(Frequencyaccuracy)在基準點溫度環(huán)境（25±2℃）和中心控制電壓時，測得的頻率值與標稱頻率的偏差。2）削峰正弦波（ClippingSine）：負載（Load）、輸出幅度（Outputlevel）。3）方波（Square）：又分為MOS和TTL兩類輸出。負載（Load）、占空比（Dutycycle）、上升/下降時間（Rise/falltime）、

高頻晶振TCXO晶振對工程師非常有用,因為它們可以在比電路板上具有相同功耗和占用空間的標準VCXO更好的溫度穩(wěn)定性的10倍到40倍之間使用.TCXO彌合了標準XO或VCXO與OCXO之間的差距變?nèi)荻O管D兩端所加電壓（即補償電壓）由溫補網(wǎng)絡輸出，溫補網(wǎng)絡隨溫度自動調(diào)節(jié)輸出電壓，變?nèi)荻O管容量隨之改變，以抵消諧振器頻率隨溫度的變化，可使輸出頻率基本不變。溫補網(wǎng)絡補償電壓的測量多為人工手動完成。用小功率直流電壓源代替溫補網(wǎng)絡，改變溫度到目標點并保溫，然后調(diào)節(jié)電壓源輸出，使振蕩器輸出達到中心頻率，此時電壓源輸出即為該溫度點的補償電壓；在各測試溫度點重復以上操作，得到一組數(shù)據(jù)，即V-T曲線數(shù)據(jù)。這種手動測量方法效率低下，人力成本較高，而且手工記錄測試數(shù)據(jù)，容易產(chǎn)生誤差，難以實現(xiàn)精確快速的優(yōu)質(zhì)生產(chǎn)。,這些差距更高,需要更多功率才能運行.推動技術(shù)的目標是降低功耗,當然還要降低成本,因此TCXO為功耗和成本敏感的應用提供了良好的中端解決方案.

高頻晶振5、老化:在規(guī)定的環(huán)境條件下，由于元件老化而引起的輸出頻率隨時專間的系統(tǒng)漂移過程高頻晶振一般的恒溫晶振要比溫補晶振頻率穩(wěn)定度高兩個數(shù)量級以上。如溫補晶振一般能達到-7量級，而恒溫晶振可達到-9量級。因此恒溫晶振一般用于高端測量儀器，如頻率計、信號發(fā)生器、網(wǎng)絡分析儀等。而溫補晶振的開機特性較好。恒溫晶振就算采用現(xiàn)在最好的加熱元件，也需要一個加溫過程。想達到-7量級，怎么也需要5分鐘左右，而達-9以上量級甚至需要一天。因此開機即需要工作的設(shè)備就不太適合。如武器。試想5分鐘導彈已經(jīng)到達目標，你的晶振還沒正常工作怎么用？。通常用某一時間間隔內(nèi)的頻差來量度。對于高穩(wěn)定晶振，由于輸出頻率在較長的工屬作時間內(nèi)呈近似線性的單方向漂移，往往用老化率來量度。