其它條件不變時，由于電源電壓在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對于規(guī)定的電源電壓時的頻率偏移。11）老化率（長期頻率穩(wěn)定度）(Aging,longtermstability)振蕩器頻率與時間之間的關(guān)系。注:這種頻率漂移是石英晶體或/和電路中的其它元器件的長期變化造成的，可以用規(guī)定時間間隔內(nèi)平均頻率的相對變化來表示。

CIMAKE晶振溫補晶振（TCXO）：是在晶振內(nèi)部采取了對晶體頻率溫度特性進行補償，以達到在寬溫溫度范圍內(nèi)滿足穩(wěn)定度要求的晶體振蕩器。一般模擬式溫補晶振采用熱敏補償網(wǎng)絡。補償后頻率穩(wěn)定度在10-7~10-6量級，由于其良好的開機特性、優(yōu)越的性能價格比及功耗低、體積小、環(huán)境適應性較強等多方面優(yōu)點，因而獲行了廣泛應用CIMAKE晶振

。它有好幾種不同的類型：電壓控制晶體振蕩器（VCXO）、溫度補償晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO），以及數(shù)字補償晶體振蕩器（MCXO或DTCXO），每種類型都有自己的獨特性能。如果您需要使您的設備即開即用，您就必須選用VCXO或溫補晶振，如果要求穩(wěn)定度在1ppm以上，則需選擇數(shù)字溫補晶振（MCXO）。模擬溫補晶振只適用于穩(wěn)定度要求在5ppm～1ppm之間的需求。VCXO只適合于穩(wěn)定度要求在5ppm以下的產(chǎn)品。在不需要即開即用的環(huán)境下，如果需要信號穩(wěn)定度超過0.1ppm的，可選用OCXO。全球硅振蕩器市場它主要受微處理器，開關(guān)穩(wěn)壓器時鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應用的驅(qū)動。基于微機電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預測期內(nèi)補充全球硅振蕩器市場的顯著增長。MEMS振蕩器尚未完全占領(lǐng)烤箱控制晶體振蕩器和溫度補償晶體振蕩器的市場空間。這些產(chǎn)品的制造使用標準的CMOS硅技術(shù)，與需要專門制造和封裝技術(shù)的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。

CIMAKE晶振晶振在應用具體起到的作用，微控制器的時鐘源可以分為兩類：基于機械諧振器件的時鐘源，如晶振、陶瓷諧振槽路；RC（電阻、電容）振蕩器。一種是皮爾斯振蕩器配置，適用于晶振和陶瓷諧振槽路。另一種為簡單的分立RC振蕩器?；诰д衽c陶瓷諧振槽路的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數(shù)。RC振蕩器能夠快速啟動，成本也比較低，但通常在整個溫度和工作電源電壓范圍內(nèi)精度較差，會在標稱輸出頻率的5%至50%范圍內(nèi)變化其實貼片晶振溫度補償晶體振蕩器是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。溫度補償晶體振蕩器中，對石英晶體振子頻率溫度漂移的補償方法主要有直接補償和間接補償兩種類型：。但其性能受環(huán)境條件和電路元件選擇的影響。需認真對待振蕩器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時，陶瓷諧振槽路和相應的負載電容必須根據(jù)特定的邏輯系列進行優(yōu)化。具有高Q值的晶振對放大器的選擇并不敏感，但在過驅(qū)動時很容易產(chǎn)生頻率漂移（甚至可能損壞）。影響振蕩器工作的環(huán)境因素有：電磁干擾（EMI）、機械震動與沖擊、濕度和溫度。這些因素會增大輸出頻率的變化，增加不穩(wěn)定性，并且在有些情況下，還會造成振蕩器停振。上述大部分問題都可以通過使用振蕩器模塊避免。這些模塊自帶振蕩器、提供低阻方波輸出，并且能夠在一定條件下保證運行。最常用的兩種類型是晶振模塊和集成RC振蕩器（硅振蕩器）。晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。硅振蕩器的精度要比分立RC振蕩器高，多數(shù)情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當?shù)木取?p style='text-align:center;'>

CIMAKE晶振溫補晶振，TCXO，普通的振蕩器百內(nèi)置溫度曲線補償電路，頻率穩(wěn)定度可以做到+/-0.5ppm，一般的也能度做到+/-2ppmCIMAKE晶振原材料的選擇石英晶振是由晶片、支架、導電膠、引腳、陶瓷基座和外殼組成，在原材料選擇中，卡斯電子都全部通過SGS認證，從原料、生產(chǎn)、性能，、外觀等方面嚴格檢控。。消耗電流一般小于幾十問mA。是最常見的高精度的產(chǎn)品。在通訊終端中很常見。恒溫晶振，OCXO，在特制答的晶體周圍包有振蕩電路和恒溫電路，頻率穩(wěn)定度可回以達到+/-0.01ppm。消耗答電流一般300mA~2A。主要應用于衛(wèi)星，通訊基站等。