2［頻域表征］⑴單邊相位噪聲功率譜密度，晶振輸出信號(hào)的頻譜中，用偏離載頻fHz處每Hz帶寬內(nèi)單邊相位噪聲功率與信號(hào)功率之比的分貝（dB）量，可寫(xiě)作￡（f）單位為dB/Hz。⑵頻譜純度：是量度晶振內(nèi)部噪聲及雜散譜的尺度。通常用單邊噪聲功率譜密度來(lái)表示。高頻晶振壓控晶振是通過(guò)外加一個(gè)壓控電抄壓可以調(diào)節(jié)晶振的頻率。一般是采用外加電壓加到襲晶振里面的變?nèi)荻O管上來(lái)改變電容值以達(dá)到改變頻率的效果高頻晶振

圖4.直接補(bǔ)償在隨后的開(kāi)發(fā)中(圖5中所示的間接補(bǔ)償),熱敏電阻(RT1至RT3)和電阻(R1至R3)的網(wǎng)絡(luò)用于產(chǎn)生與溫度相關(guān)的電壓.對(duì)網(wǎng)絡(luò)的輸出電壓進(jìn)行濾波,然后用于驅(qū)動(dòng)變?nèi)荻O管,該變?nèi)荻O管改變晶振上的負(fù)載,再次導(dǎo)致頻率變化.。這種壓控晶振一般用在需百要調(diào)節(jié)頻率的儀器上。而溫補(bǔ)晶振它是采用內(nèi)置一個(gè)溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)來(lái)補(bǔ)償由于溫度帶來(lái)的度頻率偏差，達(dá)到在一定溫度范圍內(nèi)頻率十分穩(wěn)定的知效果，一般用在要求頻率在特定環(huán)境溫度范圍道內(nèi)要求振蕩器頻率十分穩(wěn)定的儀器上。高頻晶振（1）直接補(bǔ)償型直接補(bǔ)償型TCXO是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補(bǔ)償電路，在振蕩器中與石英晶體振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時(shí)，熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應(yīng)變化，從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移高頻晶振

其它條件不變時(shí)，由于電源電壓在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對(duì)于規(guī)定的電源電壓時(shí)的頻率偏移。11）老化率（長(zhǎng)期頻率穩(wěn)定度）(Aging,longtermstability)振蕩器頻率與時(shí)間之間的關(guān)系。注:這種頻率漂移是石英晶體或/和電路中的其它元器件的長(zhǎng)期變化造成的，可以用規(guī)定時(shí)間間隔內(nèi)平均頻率的相對(duì)變化來(lái)表示。。該補(bǔ)償方式電路簡(jiǎn)單，成本較低，節(jié)省印制電路板（PCB）尺寸和空間，適用于小型和低壓小電流場(chǎng)合。但當(dāng)要求晶體振蕩器精度小于±1pmm時(shí)，直接補(bǔ)償方式并不適宜。

高頻晶振一般的恒溫晶振要比溫補(bǔ)晶振頻率穩(wěn)定度高兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上。如溫補(bǔ)晶振一般能達(dá)到-7量級(jí)，而恒溫晶振可達(dá)到-9量級(jí)。因此恒溫晶振一般用于高端測(cè)量?jī)x器，如頻率計(jì)、信號(hào)發(fā)生器、網(wǎng)絡(luò)分析儀等高頻晶振三、輸出必須考慮的其它參數(shù)是輸出類型、相位噪聲、抖動(dòng)、電壓特性、負(fù)載特性、功耗、封裝形式,對(duì)于工業(yè)產(chǎn)品,有時(shí)還要考慮沖擊和振動(dòng)、以及電磁干擾（EMI）.晶體振蕩器可HCMOS/TTL兼容、ACMOS兼容、ECL和正弦波輸出.每種輸出類型都有它的獨(dú)特波形特性和用途.應(yīng)該關(guān)注三態(tài)或互補(bǔ)輸出的要求.對(duì)稱性、上升和下降時(shí)間以及邏輯電平對(duì)某些應(yīng)用來(lái)說(shuō)也要作出規(guī)定.許多DSP和通信芯片組往往需要嚴(yán)格的對(duì)稱性（45%至55%）和快速的上升和下降時(shí)間（小于5ns）.。而溫補(bǔ)晶振的開(kāi)機(jī)特性較好。恒溫晶振就算采用現(xiàn)在最好的加熱元件，也需要一個(gè)加溫過(guò)程。想達(dá)到-7量級(jí)，怎么也需要5分鐘左右，而達(dá)-9以上量級(jí)甚至需要一天。因此開(kāi)機(jī)即需要工作的設(shè)備就不太適合。如武器。