（1）直接補償型直接補償型是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補償電路，在振蕩器中與石英晶振振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時，熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應變化，從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移。該補償方式電路簡單，成本較低，節(jié)省印制電路板（PCB）尺寸和空間，適用于小型和低壓小電流場合。但當要求晶體振蕩器精度小于±1pmm時，直接補償方式并不適宜。

KDS晶振溫補晶振是什么？和一般石英晶體振蕩器有何區(qū)別？經(jīng)常會有客戶這樣問到我們。溫補晶振也是一種石英振蕩器，與普通石英晶體振蕩器不同的是它的精度和穩(wěn)定性都要高些，它對晶振頻率可以起到一個溫度補償?shù)淖饔肒DS晶振

。比如說在某些高溫的環(huán)境下，有些產(chǎn)品會因為高溫出現(xiàn)不良的現(xiàn)象，嚴重甚至會導致整個產(chǎn)品癱瘓，在這種情況下就會用到溫補晶振。其原理是通過感應周圍環(huán)境溫度，將溫度信息做適當變換后控制晶振的輸出頻率，以求達到穩(wěn)定輸出頻率的效果。它可以在天氣溫度變化中起到一個互相補助的作用，遇到氣溫低的情況它會根據(jù)本身的溫度補償電路來補償由周圍溫度變化產(chǎn)生出的振蕩頻率偏差，從而保護產(chǎn)品的穩(wěn)定性。KDS晶振溫補晶振術語來自石英晶體振蕩器的一種補償方式已達到產(chǎn)品應用方面的精度要求。溫補晶振定義是將壓電石英晶體原有的物理特性(壓電效應下頻率隨溫度成三次曲線變化)通過外圍電路逆向改變使得石英晶體原有頻率隨溫度的變化盡可能的變小的一種補償方式所做的石英晶體振蕩器。KDS晶振

全球硅振蕩器市場它主要受微處理器，開關穩(wěn)壓器時鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應用的驅(qū)動?；谖C電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預測期內(nèi)補充全球硅振蕩器市場的顯著增長。MEMS振蕩器尚未完全占領烤箱控制晶體振蕩器和溫度補償晶體振蕩器的市場空間。這些產(chǎn)品的制造使用標準的CMOS硅技術，與需要專門制造和封裝技術的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。

KDS晶振(2)間接補償型間接補償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度-電壓變換電路，并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上，通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對晶體振子的非線性頻率漂移進行補償KDS晶振并聯(lián)電路并聯(lián)諧振振蕩器電路是用晶體設計的，該晶體可以在特定的負載電容下工作。這會導致晶體振蕩器以高于串聯(lián)諧振頻率但低于真正的并聯(lián)諧振頻率的頻率工作。為了完成這種類型的電路中的反饋環(huán)路，必須設計通過晶振的路由。如果晶體失效，電路將不再振蕩。那么確定振蕩器頻率的“負載電容”從何而來呢?該電路實際上使用了一個孤立的逆變器，該逆變器在反饋環(huán)路中具有兩個電容，這些電容包含了負載電容。如果負載電容改變，振蕩器產(chǎn)生的頻率也會改變。。該補償方式能實現(xiàn)±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補償是在模擬式補償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級模/數(shù)(A/D)，將模擬量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。該法可實現(xiàn)自動溫度補償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補償電路比較復雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺等要求高精度化的情況。