這個想法是補償網(wǎng)絡(luò)驅(qū)動牽引網(wǎng)絡(luò),然后調(diào)整振蕩器的頻率.圖3是發(fā)生了什么的概述-未補償?shù)木д耦l率響應(yīng)溫度(紅色)就像一個三階多項式曲線(如果你采用振蕩器非線性效果,更像是第五個),所以目標(biāo)是補償網(wǎng)絡(luò)是為了抵消溫度對晶體的影響而產(chǎn)生的電壓是有效的關(guān)于晶體曲線溫度軸的鏡像.補償電壓顯示為藍色,得到的頻率/溫度曲線以綠色顯示.

守時晶振溫補晶振（TCXO）：是在晶振內(nèi)部采取了對晶體頻率溫度特性進行補償，以達到在寬溫溫度范圍內(nèi)滿足穩(wěn)定度要求的晶體振蕩器。一般模擬式溫補晶振采用熱敏補償網(wǎng)絡(luò)。補償后頻率穩(wěn)定度在10-7~10-6量級，由于其良好的開機特性、優(yōu)越的性能價格比及功耗低、體積小、環(huán)境適應(yīng)性較強等多方面優(yōu)點，因而獲行了廣泛應(yīng)用守時晶振

。它有好幾種不同的類型：電壓控制晶體振蕩器（VCXO）、溫度補償晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO），以及數(shù)字補償晶體振蕩器（MCXO或DTCXO），每種類型都有自己的獨特性能。如果您需要使您的設(shè)備即開即用，您就必須選用VCXO或溫補晶振，如果要求穩(wěn)定度在1ppm以上，則需選擇數(shù)字溫補晶振（MCXO）。模擬溫補晶振只適用于穩(wěn)定度要求在5ppm～1ppm之間的需求。VCXO只適合于穩(wěn)定度要求在5ppm以下的產(chǎn)品。在不需要即開即用的環(huán)境下，如果需要信號穩(wěn)定度超過0.1ppm的，可選用OCXO。高低電平（“1”and“0”level）。7）工作電流、功耗(Inputcurrent,powerconsumption)8）頻率溫度穩(wěn)定度(Frequencystabilityovertemp.)其它條件不變時，由于振蕩器工作在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)引起的相對于基準(zhǔn)溫度時的頻率偏移。

守時晶振溫補晶振內(nèi)部結(jié)構(gòu)可分為石英晶體振蕩回路和溫度補償網(wǎng)絡(luò)兩部分。石英晶體振蕩器的頻率溫度特性主要由晶體諧振器的頻率溫度特性決定。傳統(tǒng)的TCXO是通過采用模擬器件進行補償，即通過改變振蕩回路中的負載電容等模擬器件，使其隨溫度而變化來補償晶體諧振器由于環(huán)境溫度變化所產(chǎn)生的頻率漂移（1）直接補償型直接補償型是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補償電路，在振蕩器中與石英晶振振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時，熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應(yīng)變化，從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移。該補償方式電路簡單，成本較低，節(jié)省印制電路板（PCB）尺寸和空間，適用于小型和低壓小電流場合。但當(dāng)要求晶體振蕩器精度小于±1pmm時，直接補償方式并不適宜。。這也叫模擬式溫度補償。隨著溫度補償技術(shù)的發(fā)展，很多采用數(shù)字化補償技術(shù)的TCXO逐漸開始出現(xiàn)，這種數(shù)字化補償?shù)?a href="http://ffjsw.cn/wbjz.html" target="_blank">溫補晶振又叫DTCXO；還有一種用單片機進行補償?shù)?a href="http://ffjsw.cn/wbjz.html" target="_blank">溫補晶振我們稱之為MCXO。數(shù)字化補償技術(shù)可實現(xiàn)晶振自動溫度補償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高。并且能夠適應(yīng)更寬的工作溫度范圍。但具體的補償電路比較復(fù)雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺等要求高精度化的情況。因此，通常我們使用的都是采用的模擬式間接溫度補償?shù)?a href="http://ffjsw.cn/wbjz.html" target="_blank">溫補晶振。

守時晶振未來溫補晶振的發(fā)展方向是向小型化、片式化、高精度和高穩(wěn)定度方向不斷發(fā)展，實現(xiàn)晶振的低噪聲、高頻化以及低功耗。近年來，國內(nèi)的溫補晶振產(chǎn)品水平得到了很大的提高，實現(xiàn)了在室溫下精度優(yōu)于±1ppm，第一年的頻率老化率為±1ppm，頻率（機械）微調(diào)≥±3ppm，電源功耗≤120mw守時晶振（2）間接補償型間接補償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度－電壓變換電路，并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上，通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對晶體振子的非線性頻率漂移進行補償。該補償方式能實現(xiàn)±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補償是在模擬式補償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級模/數(shù)（A/D）變換器，將模擬量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。該法可實現(xiàn)自動溫度補償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補償電路比較復(fù)雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺等要求高精度化的情況。。最高精度可達±0.05ppm。由此可見，TCXO晶振的技術(shù)水平還有很大的提升空間，創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力還很大。然而，科學(xué)技術(shù)的發(fā)展不能一蹴而就，它將伴隨整個電子行業(yè)的發(fā)展一同前行。