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東莞溫補(bǔ)晶振TCXO定制
發(fā)布時(shí)間:2020-10-29 點(diǎn)擊量:465
并聯(lián)電路并聯(lián)諧振振蕩器電路是用晶體設(shè)計(jì)的,該晶體可以在特定的負(fù)載電容下工作。這會(huì)導(dǎo)致晶體振蕩器以高于串聯(lián)諧振頻率但低于真正的并聯(lián)諧振頻率的頻率工作。為了完成這種類型的電路中的反饋環(huán)路,必須設(shè)計(jì)通過(guò)晶振的路由。如果晶體失效,電路將不再振蕩。那么確定振蕩器頻率的“負(fù)載電容”從何而來(lái)呢?該電路實(shí)際上使用了一個(gè)孤立的逆變器,該逆變器在反饋環(huán)路中具有兩個(gè)電容,這些電容包含了負(fù)載電容。如果負(fù)載電容改變,振蕩器產(chǎn)生的頻率也會(huì)改變。溫補(bǔ)晶振TCXOTCXO溫補(bǔ)晶振是通過(guò)其附加的溫度補(bǔ)償電路使周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器溫補(bǔ)晶振TCXO。它的溫度補(bǔ)償?shù)脑砟鼐褪峭ㄟ^(guò)改變振蕩回路中的負(fù)載電容,使copy其隨溫度變化來(lái)補(bǔ)償諧振器由于環(huán)境溫度變化所產(chǎn)生的頻率漂知移。溫補(bǔ)晶振TCXO3)頻率調(diào)諧范圍(Frequencyadjustmentrange)用某種可變?cè)拐袷幤黝l率能夠改變的頻率范圍溫補(bǔ)晶振TCXO注:1)電壓范圍:用來(lái)調(diào)節(jié)頻率的電壓的可調(diào)范圍。常見(jiàn)的有0~3.3V,0.3~3.0V,0~5V,0.5~4.5V等。2)壓控范圍:壓控電壓在電壓范圍內(nèi)變化的時(shí)候,振蕩器的頻率能夠變化的范圍。3)極性:當(dāng)振蕩器的頻率隨壓控電壓的增加而增加的時(shí)候,壓控極性為正極性,反之為負(fù)極性。。注:調(diào)整的目的:1)把頻率調(diào)到規(guī)定調(diào)整范圍內(nèi)的任一特定值。2)由于老化和其它條件變化而引起頻率偏移后,能夠把振蕩器頻率修正到規(guī)定值。溫補(bǔ)晶振TCXO但通過(guò)分析與研究,由于精度、低功耗和小型化,仍然是溫補(bǔ)晶振的研究課題。在小型化與片式化方面,面臨不少困難,其中主要的有兩點(diǎn):一是小型化會(huì)使石英晶體振子的頻率可變幅度變小溫補(bǔ)晶振TCXO注:常見(jiàn)輸出波形及輸出特性指標(biāo):1)正弦波(Sine):諧波抑制(Harmonicattenuation)、雜波抑制(Noiseattenuation)、負(fù)載(Load)、輸出幅度(Outputlevel)。,溫度補(bǔ)償更加困難;二是片式封裝后在其接作業(yè)中,由于焊接溫度遠(yuǎn)高于溫補(bǔ)晶振的最大允許溫度,會(huì)使晶體振子的頻率發(fā)生變化,若不采限局部散熱降溫措施,難以將溫補(bǔ)晶振的頻率變化量控制在±0.5×10-6以下。但是,溫補(bǔ)晶振的技術(shù)水平的提高并沒(méi)進(jìn)入到極限,創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力仍較大。
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