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淺析壓控晶振深圳市均特利
發(fā)布時間:2020-10-23 點擊量:511
三、輸出必須考慮的其它參數(shù)是輸出類型、相位噪聲、抖動、電壓特性、負(fù)載特性、功耗、封裝形式,對于工業(yè)產(chǎn)品,有時還要考慮沖擊和振動、以及電磁干擾(EMI).晶體振蕩器可HCMOS/TTL兼容、ACMOS兼容、ECL和正弦波輸出.每種輸出類型都有它的獨特波形特性和用途.應(yīng)該關(guān)注三態(tài)或互補(bǔ)輸出的要求.對稱性、上升和下降時間以及邏輯電平對某些應(yīng)用來說也要作出規(guī)定.許多DSP和通信芯片組往往需要嚴(yán)格的對稱性(45%至55%)和快速的上升和下降時間(小于5ns).壓控晶振晶體振蕩器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片(簡稱為晶片),石英晶體諧振器壓控晶振本系統(tǒng)以計算機(jī)為控制中心,包括高低溫箱、程控電源、數(shù)字頻率計和數(shù)字萬用表等設(shè)備。(1)高低溫箱S&A4220MR支持GPIB接口程控,滿足-50~+80℃測試要求,箱內(nèi)的測量圈設(shè)有50個工位,每個工位通過5根導(dǎo)線連接一個待測補(bǔ)償電壓的半成品活件,分別接活件的GND,VCC,VDD,OUT和E+.,簡稱為石英晶體或晶體、晶振;而在封裝內(nèi)部添加LC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝,也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。恒溫晶振就算采用現(xiàn)在最好的加熱元件,也需要一個加溫過程。因此開機(jī)即需要工作的設(shè)備就不太適合。無論是恒溫晶振還是溫補(bǔ)晶振無非就是個信號源,為你的設(shè)備提供一個時間基準(zhǔn)。只要你了解它性能指標(biāo)你就可以相互代用。壓控晶振無論什么晶振,在電路中只有一個作用,那就是提供穩(wěn)定的頻率輸出。不同的是壓控晶振可以通過壓控端的電壓微調(diào)控制輸出的頻率的高低(4)FLUKE45萬用表支持串口程控,用于獲取TCXO內(nèi)部三端穩(wěn)壓器的輸出電壓VDD,為補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)分析計算輔助數(shù)據(jù)。2.2補(bǔ)償電壓自動測試過程根據(jù)系統(tǒng)硬件組成與測試目的要求,補(bǔ)償電壓自動測試過程如下:將未裝配補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的待測半成品活件裝入高低溫箱,連接好各儀器設(shè)備,打開電源,運行程序,進(jìn)行參數(shù)設(shè)置(如工作電壓為8V,中心頻率為19.2MHz,測試溫度范圍為-40~+70℃,10℃步進(jìn));點擊開始按鈕,程序控制高低溫箱自動回0號參考工位,開始降溫至-40℃,保溫30min后,工位進(jìn)1,根據(jù)1號位活件設(shè)置調(diào)節(jié)程控電源工作電壓輸出,獲取振蕩器頻率,變化E+,使振蕩器頻率越來越接近中心頻率,直到滿足要求,記錄此時程控電源的E+即為所測補(bǔ)償電壓結(jié)果,同時記錄振蕩器內(nèi)為溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)供電的穩(wěn)壓器輸出電壓VDD;然后高低溫箱輪位進(jìn)1,移向2號位測量,直到所有工位測試完畢;開始升溫10℃至-30℃,保溫20min,測試記錄數(shù)據(jù),完成所有工位測試;繼續(xù)升溫,保溫、測量,直至全部溫度點測試完畢,一個測試過程完成。,而溫補(bǔ)晶振則自動根據(jù)環(huán)境溫度的變化對頻率輸出進(jìn)行補(bǔ)償,使輸出的頻率穩(wěn)定,當(dāng)然一些溫補(bǔ)晶振也帶有壓控端。壓控晶振圖5間接補(bǔ)償目前的方法將補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)和拉網(wǎng)絡(luò)集成到一個集成電路中(如圖6所示),補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的作用由一組運算放大器組成,這些運算放大器在一起產(chǎn)生溫度上的3階或5階函數(shù).與間接補(bǔ)償方法一樣壓控晶振二、電源和負(fù)載石英晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定性亦受到振蕩器電源電壓變動以及振蕩器負(fù)載變動的影響.正確選擇振蕩器可將這些影響減到最少.設(shè)計者應(yīng)在建議的電源電壓容差和負(fù)載下檢驗振蕩器的性能.不能期望只能額定驅(qū)動15pF的振蕩器在驅(qū)動50pF時會有好的表現(xiàn).在超過建議的電源電壓下工作的振蕩器亦會呈現(xiàn)較差的波形和穩(wěn)定性.對于需要電池供電的器件,一定要考慮功耗.引入3.3V的產(chǎn)品必然要開發(fā)在3.3V下工作的振蕩器.較低的電壓允許產(chǎn)品在低功率下運行.,該電壓用于驅(qū)動變?nèi)荻O管,這反過來又改變了振蕩器的輸出頻率.由于晶體特性的變化意味著沒有“一刀切”的功能,因此在TCXO的溫度測試期間得出了解決方案.兩個電容器陣列用于將室溫下的頻率調(diào)節(jié)到標(biāo)稱值,然后在測試期間獲得溫度補(bǔ)償功能所需的設(shè)置并存儲在片上存儲器中.
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