（2）間接補(bǔ)償型間接補(bǔ)償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補(bǔ)償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度－電壓變換電路，并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上，通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對(duì)晶體振子的非線性頻率漂移進(jìn)行補(bǔ)償。該補(bǔ)償方式能實(shí)現(xiàn)±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補(bǔ)償是在模擬式補(bǔ)償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級(jí)模/數(shù)（A/D）變換器，將模擬量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。該法可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)溫度補(bǔ)償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補(bǔ)償電路比較復(fù)雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺(tái)等要求高精度化的情況。

溫補(bǔ)晶振TCXO溫補(bǔ)晶振（TCXO）：是在晶振內(nèi)部采取了對(duì)晶體頻率溫度特性進(jìn)行補(bǔ)償，以達(dá)到在寬溫溫度范圍內(nèi)滿足穩(wěn)定度要求的晶體振蕩器。一般模擬式溫補(bǔ)晶振采用熱敏補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。補(bǔ)償后頻率穩(wěn)定度在10-7~10-6量級(jí)，由于其良好的開機(jī)特性、優(yōu)越的性能價(jià)格比及功耗低、體積小、環(huán)境適應(yīng)性較強(qiáng)等多方面優(yōu)點(diǎn)，因而獲行了廣泛應(yīng)用溫補(bǔ)晶振TCXO

。它有好幾種不同的類型：電壓控制晶體振蕩器（VCXO）、溫度補(bǔ)償晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO），以及數(shù)字補(bǔ)償晶體振蕩器（MCXO或DTCXO），每種類型都有自己的獨(dú)特性能。如果您需要使您的設(shè)備即開即用，您就必須選用VCXO或溫補(bǔ)晶振，如果要求穩(wěn)定度在1ppm以上，則需選擇數(shù)字溫補(bǔ)晶振（MCXO）。模擬溫補(bǔ)晶振只適用于穩(wěn)定度要求在5ppm～1ppm之間的需求。VCXO只適合于穩(wěn)定度要求在5ppm以下的產(chǎn)品。在不需要即開即用的環(huán)境下，如果需要信號(hào)穩(wěn)定度超過0.1ppm的，可選用OCXO。溫補(bǔ)晶振TCXO3）頻率調(diào)諧范圍（Frequencyadjustmentrange）用某種可變?cè)拐袷幤黝l率能夠改變的頻率范圍溫補(bǔ)晶振TCXO

本文設(shè)計(jì)提出一種溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)補(bǔ)償電壓的自動(dòng)測(cè)試方法，對(duì)該過程實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)控制與測(cè)量。2.1系統(tǒng)硬件組成溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)補(bǔ)償電壓自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)以計(jì)算機(jī)為控制核心，結(jié)合應(yīng)用軟件，實(shí)現(xiàn)了補(bǔ)償電壓測(cè)試過程的自動(dòng)化測(cè)試。系統(tǒng)可以完成設(shè)備自動(dòng)控制，儀器的自動(dòng)測(cè)試，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及數(shù)據(jù)分析等功能，大大提高了測(cè)試速度，節(jié)省了工作時(shí)間，還可以提高測(cè)試準(zhǔn)確度，比傳統(tǒng)的人工手動(dòng)測(cè)試具有明顯的優(yōu)越性。。注：調(diào)整的目的：1）把頻率調(diào)到規(guī)定調(diào)整范圍內(nèi)的任一特定值。2）由于老化和其它條件變化而引起頻率偏移后，能夠把振蕩器頻率修正到規(guī)定值。

溫補(bǔ)晶振TCXO未來溫補(bǔ)晶振的發(fā)展方向是向小型化、片式化、高精度和高穩(wěn)定度方向不斷發(fā)展，實(shí)現(xiàn)晶振的低噪聲、高頻化以及低功耗。近年來，國(guó)內(nèi)的溫補(bǔ)晶振產(chǎn)品水平得到了很大的提高，實(shí)現(xiàn)了在室溫下精度優(yōu)于±1ppm，第一年的頻率老化率為±1ppm，頻率（機(jī)械）微調(diào)≥±3ppm，電源功耗≤120mw溫補(bǔ)晶振TCXO其它條件不變時(shí)，由于電源電壓在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對(duì)于規(guī)定的電源電壓時(shí)的頻率偏移。11）老化率（長(zhǎng)期頻率穩(wěn)定度）(Aging,longtermstability)振蕩器頻率與時(shí)間之間的關(guān)系。注:這種頻率漂移是石英晶體或/和電路中的其它元器件的長(zhǎng)期變化造成的，可以用規(guī)定時(shí)間間隔內(nèi)平均頻率的相對(duì)變化來表示。。最高精度可達(dá)±0.05ppm。由此可見，TCXO晶振的技術(shù)水平還有很大的提升空間，創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力還很大。然而，科學(xué)技術(shù)的發(fā)展不能一蹴而就，它將伴隨整個(gè)電子行業(yè)的發(fā)展一同前行。