注：1）電壓范圍：用來調(diào)節(jié)頻率的電壓的可調(diào)范圍。常見的有0～3.3V,0.3～3.0V,0～5V,0.5～4.5V等。2）壓控范圍：壓控電壓在電壓范圍內(nèi)變化的時候，振蕩器的頻率能夠變化的范圍。3）極性：當(dāng)振蕩器的頻率隨壓控電壓的增加而增加的時候，壓控極性為正極性，反之為負(fù)極性。

晶振溫補晶振是什么？和一般石英晶體振蕩器有何區(qū)別？經(jīng)常會有客戶這樣問到我們。溫補晶振也是一種石英振蕩器，與普通石英晶體振蕩器不同的是它的精度和穩(wěn)定性都要高些，它對晶振頻率可以起到一個溫度補償?shù)淖饔镁д?p style='text-align:center;'>

。比如說在某些高溫的環(huán)境下，有些產(chǎn)品會因為高溫出現(xiàn)不良的現(xiàn)象，嚴(yán)重甚至?xí)?dǎo)致整個產(chǎn)品癱瘓，在這種情況下就會用到溫補晶振。其原理是通過感應(yīng)周圍環(huán)境溫度，將溫度信息做適當(dāng)變換后控制晶振的輸出頻率，以求達(dá)到穩(wěn)定輸出頻率的效果。它可以在天氣溫度變化中起到一個互相補助的作用，遇到氣溫低的情況它會根據(jù)本身的溫度補償電路來補償由周圍溫度變化產(chǎn)生出的振蕩頻率偏差，從而保護(hù)產(chǎn)品的穩(wěn)定性。（1）直接補償型直接補償型是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補償電路，在振蕩器中與石英晶振振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時，熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應(yīng)變化，從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移。該補償方式電路簡單，成本較低，節(jié)省印制電路板（PCB）尺寸和空間，適用于小型和低壓小電流場合。但當(dāng)要求晶體振蕩器精度小于±1pmm時，直接補償方式并不適宜。

晶振TCXO我們俗稱溫補晶振，是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。從而起到一個溫度補償?shù)淖饔茫?）間接補償型間接補償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度－電壓變換電路，并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上，通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對晶體振子的非線性頻率漂移進(jìn)行補償。該補償方式能實現(xiàn)±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補償是在模擬式補償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級模/數(shù)（A/D）變換器，將模擬量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。該法可實現(xiàn)自動溫度補償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補償電路比較復(fù)雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺等要求高精度化的情況。。比普通石英振蕩器還要精確，比如說在北方天氣寒冷，有些產(chǎn)品會因為天氣的寒冷出現(xiàn)不良的現(xiàn)象，嚴(yán)重會導(dǎo)致整個產(chǎn)品癱瘓，所以就會用到TCXO晶振，這款晶振它會在天氣溫度變化中起到一個互相補助的作用，如果遇到氣溫低它會根據(jù)本身的補償電路由周圍溫度變化產(chǎn)生出的振蕩頻率偏差，從而保護(hù)產(chǎn)品的穩(wěn)定性。

晶振目前溫補晶振的技術(shù)水平的提高并沒進(jìn)入到極限，創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力仍較大。其中主要的有兩點：一是小型化會使石英晶體振子的頻率可變幅度變小晶振全球硅振蕩器市場它主要受微處理器，開關(guān)穩(wěn)壓器時鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應(yīng)用的驅(qū)動?；谖C(jī)電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應(yīng)用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預(yù)測期內(nèi)補充全球硅振蕩器市場的顯著增長。MEMS振蕩器尚未完全占領(lǐng)烤箱控制晶體振蕩器和溫度補償晶體振蕩器的市場空間。這些產(chǎn)品的制造使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS硅技術(shù)，與需要專門制造和封裝技術(shù)的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。，溫度補償更加困難；二是片式封裝后在其接作業(yè)中，由于焊接溫度遠(yuǎn)高于溫補晶振的最大允許溫度，會使晶體振子的頻率發(fā)生變化，若不采限局部散熱降溫措施，難以將溫補晶振的頻率變化量控制在±0.5×10-6以下。