圖3.溫度補償實現(xiàn)這一目標的方法隨著時間而改變.使用的第一種方法之一是直接補償技術,其中使用熱敏電阻,電容器和電阻器網(wǎng)絡來直接控制振蕩器的頻率.溫度的變化導致熱敏電阻(圖4中的RT1和RT2)發(fā)生變化,這會導致網(wǎng)絡的等效串聯(lián)電容發(fā)生變化-這反過來會改變晶體上的電容負載,從而導致頻率的變化.振蕩器.RAKON晶振當需要標準XO(晶體振蕩器)或VCXO(壓控晶體振蕩器)無法達到的溫度穩(wěn)定性時,TCXO是必需的.溫度穩(wěn)定性是振蕩器頻率隨溫度變化的量度,并且以兩種方式定義.一種常見的方法是使用“加/減”規(guī)格(例如：±0.28ppm對比工作溫度范圍RAKON晶振

為了能讓廣大新老客戶更好的了解溫補晶振性能，我們把溫補晶振補償原理做了個簡單的測試。溫補晶振由石英晶體振蕩電路和溫度補償網(wǎng)絡兩部分組成。典型的溫補晶振原理示意圖。振蕩器的頻率溫度特性主要由晶體諧振器的頻率溫度特性決定。常用的AT切晶體諧振器的頻率溫度特性為三次曲線，溫補晶振溫度補償?shù)脑砭褪峭ㄟ^改變振蕩回路中的負載電容，使其隨溫度變化來補償諧振器由于環(huán)境溫度變化所產生的頻率漂移。,參考25°C-溫度范圍通常為-40至85°C或-20至70°C).該規(guī)范告訴我們,如果我們將25°C的頻率設為標稱頻率,則器件頻率將偏離或低于該標稱頻率不超過0.28ppm.這與指定溫度穩(wěn)定性的第二種方式不同,即使用峰峰值或僅使用沒有參考點的正/負值.在第二種情況下,我們不能說我們知道頻率會高于或低于頻率將會發(fā)生多大變化-只是我們知道總的范圍是多少.通常,使用來自定義的參考點的正負值來指定設備.是不同振蕩器類型的典型溫度穩(wěn)定性的示意圖,范圍從標準VCXO的50ppm到高性能OCXO的0.2ppb.軸反轉使得曲線在增加溫度穩(wěn)定性的方向上增長.TCXO穩(wěn)定性范圍涵蓋VCXO和OCXO之間的中間位置(在某些情況下,重疊某些OCXO性能).

RAKON晶振不存在哪種產品好哪種產品不好，主要是看需要。性能高的產品價格必然貴，對使用的需求也高恒溫晶振就算采用現(xiàn)在最好的加熱元件，也需要一個加溫過程。因此開機即需要工作的設備就不太適合。無論是恒溫晶振還是溫補晶振無非就是個信號源，為你的設備提供一個時間基準。只要你了解它性能指標你就可以相互代用。。適用的才是最好的。理論上來講一般的恒溫晶振要比溫補晶振頻率穩(wěn)定度高兩個數(shù)量級以上。恒溫晶振一般用于高端測量儀器，如頻率計、信號發(fā)生器、網(wǎng)絡分析儀等。而溫補晶振的開機特性較好。

RAKON晶振無論是恒溫晶振還是溫補晶振無非就是個信號源溫補晶振作用一個溫補晶振，可以通過溫度，然后自動調整外部的匹配電容矩陣(改變接入的電容值)從而使頻率變得更準確和穩(wěn)定。，為你的設備提供一個時間基準RAKON晶振。只要你了解它性能指標你就可以相互代用。