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廣東高頻晶振一級代理商
發(fā)布時間:2020-06-02 點擊量:623
變?nèi)荻O管D兩端所加電壓(即補償電壓)由溫補網(wǎng)絡(luò)輸出,溫補網(wǎng)絡(luò)隨溫度自動調(diào)節(jié)輸出電壓,變?nèi)荻O管容量隨之改變,以抵消諧振器頻率隨溫度的變化,可使輸出頻率基本不變。從以上原理分析可得溫補晶振補償過程如下:高頻晶振溫補晶振(TCXO):是在晶振內(nèi)部采取了對晶體頻率溫度特性進行補償,以達到在寬溫溫度范圍內(nèi)滿足穩(wěn)定度要求的晶體振蕩器。一般模擬式溫補晶振采用熱敏補償網(wǎng)絡(luò)。補償后頻率穩(wěn)定度在10-7~10-6量級,由于其良好的開機特性、優(yōu)越的性能價格比及功耗低、體積小、環(huán)境適應(yīng)性較強等多方面優(yōu)點,因而獲行了廣泛應(yīng)用高頻晶振。它有好幾種不同的類型:電壓控制晶體振蕩器(VCXO)、溫度補償晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO),以及數(shù)字補償晶體振蕩器(MCXO或DTCXO),每種類型都有自己的獨特性能。如果您需要使您的設(shè)備即開即用,您就必須選用VCXO或溫補晶振,如果要求穩(wěn)定度在1ppm以上,則需選擇數(shù)字溫補晶振(MCXO)。模擬溫補晶振只適用于穩(wěn)定度要求在5ppm~1ppm之間的需求。VCXO只適合于穩(wěn)定度要求在5ppm以下的產(chǎn)品。在不需要即開即用的環(huán)境下,如果需要信號穩(wěn)定度超過0.1ppm的,可選用OCXO。恒溫晶振就算采用現(xiàn)在最好的加熱元件,也需要一個加溫過程。因此開機即需要工作的設(shè)備就不太適合。無論是恒溫晶振還是溫補晶振無非就是個信號源,為你的設(shè)備提供一個時間基準(zhǔn)。只要你了解它性能指標(biāo)你就可以相互代用。高頻晶振1[時域表征]⑴在規(guī)定條件下,晶振內(nèi)部元件由于老化而引起的輸出頻率隨時間的漂移(4)FLUKE45萬用表支持串口程控,用于獲取TCXO內(nèi)部三端穩(wěn)壓器的輸出電壓VDD,為補償網(wǎng)絡(luò)分析計算輔助數(shù)據(jù)。2.2補償電壓自動測試過程根據(jù)系統(tǒng)硬件組成與測試目的要求,補償電壓自動測試過程如下:將未裝配補償網(wǎng)絡(luò)的待測半成品活件裝入高低溫箱,連接好各儀器設(shè)備,打開電源,運行程序,進行參數(shù)設(shè)置(如工作電壓為8V,中心頻率為19.2MHz,測試溫度范圍為-40~+70℃,10℃步進);點擊開始按鈕,程序控制高低溫箱自動回0號參考工位,開始降溫至-40℃,保溫30min后,工位進1,根據(jù)1號位活件設(shè)置調(diào)節(jié)程控電源工作電壓輸出,獲取振蕩器頻率,變化E+,使振蕩器頻率越來越接近中心頻率,直到滿足要求,記錄此時程控電源的E+即為所測補償電壓結(jié)果,同時記錄振蕩器內(nèi)為溫補網(wǎng)絡(luò)供電的穩(wěn)壓器輸出電壓VDD;然后高低溫箱輪位進1,移向2號位測量,直到所有工位測試完畢;開始升溫10℃至-30℃,保溫20min,測試記錄數(shù)據(jù),完成所有工位測試;繼續(xù)升溫,保溫、測量,直至全部溫度點測試完畢,一個測試過程完成。。通常用某一時間間隔內(nèi)的老化頻差的相對值來量度(如日、月或年老化率等)。⑵日穩(wěn)定度(或稱日波動):指晶振的輸出頻率在24小時內(nèi)的變化情況。通常用其最大變化的相對值來表示。高頻晶振注:1)工作溫度范圍的下限越低,振蕩器功耗越大,同時頻率溫度穩(wěn)定度越難實現(xiàn)。2)工作溫度范圍的上限越高,晶體拐點設(shè)置越高,晶體成本上升越多高頻晶振(1)直接補償型直接補償型TCXO是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補償電路,在振蕩器中與石英水晶振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時,熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應(yīng)變化,從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移。該補償方式電路簡單,成本較低,節(jié)省印制電路板(PCB)尺寸和空間,適用于小型和低壓小電流場合。但當(dāng)要求晶體振蕩器精度小于±1pmm時,直接補償方式并不適宜。。5)壓控特性(電壓范圍、極性、線性、壓控輸入阻抗)當(dāng)控制電壓變化時,引起的振蕩器輸出的頻率、波形特征等電特性的變化。
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