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深圳晶振定制怎么測(cè)量好壞?
發(fā)布時(shí)間:2020-06-02 點(diǎn)擊量:673
溫補(bǔ)晶振即溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO),是通過附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。TCXO中,對(duì)石英晶體振子頻率溫度漂移的補(bǔ)償方法主要有直接補(bǔ)償和間接補(bǔ)償兩種類型:晶振定制當(dāng)需要標(biāo)準(zhǔn)XO(晶體振蕩器)或VCXO(壓控晶體振蕩器)無(wú)法達(dá)到的溫度穩(wěn)定性時(shí),TCXO是必需的.溫度穩(wěn)定性是振蕩器頻率隨溫度變化的量度,并且以兩種方式定義.一種常見的方法是使用“加/減”規(guī)格(例如:±0.28ppm對(duì)比工作溫度范圍晶振定制晶體振蕩器電路由放大器和反饋網(wǎng)絡(luò)組成。反饋網(wǎng)絡(luò)從放大器獲取特定輸出,然后將其發(fā)送回放大器輸入。繪制出來(lái)時(shí)看起來(lái)很簡(jiǎn)單。什么是晶體振蕩器電路?但是越深入,復(fù)雜性就越大。緊緊抓住!為了使晶體振蕩器電路有效運(yùn)行,必須滿足兩個(gè)關(guān)鍵條件:(1)環(huán)路功率增益必須等于一致;(2)環(huán)路相移必須等于0、2Pi,4Pi等弧度。,參考25°C-溫度范圍通常為-40至85°C或-20至70°C).該規(guī)范告訴我們,如果我們將25°C的頻率設(shè)為標(biāo)稱頻率,則器件頻率將偏離或低于該標(biāo)稱頻率不超過0.28ppm.這與指定溫度穩(wěn)定性的第二種方式不同,即使用峰峰值或僅使用沒有參考點(diǎn)的正/負(fù)值.在第二種情況下,我們不能說(shuō)我們知道頻率會(huì)高于或低于頻率將會(huì)發(fā)生多大變化-只是我們知道總的范圍是多少.通常,使用來(lái)自定義的參考點(diǎn)的正負(fù)值來(lái)指定設(shè)備.本系統(tǒng)以計(jì)算機(jī)為控制中心,包括高低溫箱、程控電源、數(shù)字頻率計(jì)和數(shù)字萬(wàn)用表等設(shè)備。(1)高低溫箱S&A4220MR支持GPIB接口程控,滿足-50~+80℃測(cè)試要求,箱內(nèi)的測(cè)量圈設(shè)有50個(gè)工位,每個(gè)工位通過5根導(dǎo)線連接一個(gè)待測(cè)補(bǔ)償電壓的半成品活件,分別接活件的GND,VCC,VDD,OUT和E+.晶振定制晶振的作用是為系統(tǒng)提供基本的時(shí)鐘信號(hào)。通常一個(gè)系統(tǒng)共用一個(gè)晶振,便于各部分保持同步。有些通訊系統(tǒng)的基頻和射頻使用不同的晶振,而通過電子調(diào)整頻率的方法保持同步高低電平(“1”and“0”level)。7)工作電流、功耗(Inputcurrent,powerconsumption)8)頻率溫度穩(wěn)定度(Frequencystabilityovertemp.)其它條件不變時(shí),由于振蕩器工作在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)引起的相對(duì)于基準(zhǔn)溫度時(shí)的頻率偏移。。晶振通常與鎖相環(huán)電路配合使用,以提供系統(tǒng)所需的時(shí)鐘頻率。如果不同子系統(tǒng)需要道不同頻率的時(shí)鐘信號(hào),可以用與同一個(gè)晶振相連的不同鎖相環(huán)來(lái)提供。晶振定制未來(lái)溫補(bǔ)晶振的發(fā)展方向是向小型化、片式化、高精度和高穩(wěn)定度方向不斷發(fā)展,實(shí)現(xiàn)晶振的低噪聲、高頻化以及低功耗。近年來(lái),國(guó)內(nèi)的溫補(bǔ)晶振產(chǎn)品水平得到了很大的提高,實(shí)現(xiàn)了在室溫下精度優(yōu)于±1ppm,第一年的頻率老化率為±1ppm,頻率(機(jī)械)微調(diào)≥±3ppm,電源功耗≤120mw晶振定制一個(gè)溫補(bǔ)晶振,可以通過測(cè)量溫度,然后自動(dòng)調(diào)整外部的匹配電容矩陣(改變接入的電容值)從而使頻率變得更準(zhǔn)確和穩(wěn)定。溫補(bǔ)晶振術(shù)語(yǔ)來(lái)自石英晶體振蕩器的一種補(bǔ)償方zhidao式已達(dá)到產(chǎn)品應(yīng)用方面的精度要求。溫補(bǔ)晶振定義是將壓電石英晶體原有的物理特性(壓電效應(yīng)下頻率隨溫回度成三次曲線變化)通過外圍電路逆向改變使得石英晶體原有頻率隨溫答度的變化盡可能的變小的一種補(bǔ)償方式所做的石英晶體振蕩器。最高精度可達(dá)±0.05ppm。由此可見,TCXO晶振的技術(shù)水平還有很大的提升空間,創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力還很大。然而,科學(xué)技術(shù)的發(fā)展不能一蹴而就,它將伴隨整個(gè)電子行業(yè)的發(fā)展一同前行。
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