是不同振蕩器類型的典型溫度穩(wěn)定性的示意圖,范圍從標準VCXO的50ppm到高性能OCXO的0.2ppb.軸反轉(zhuǎn)使得曲線在增加溫度穩(wěn)定性的方向上增長.TCXO穩(wěn)定性范圍涵蓋VCXO和OCXO之間的中間位置(在某些情況下,重疊某些OCXO性能).

守時晶振理論上講，如果恒溫晶振與溫補晶振的輸出信號頻率一致，并且端接負載相同，輸出信號幅度又差不多的話，是可以互換的守時晶振

。但是恒溫晶振與溫補晶振的應(yīng)用與性能是完全不同的。恒溫晶振與溫補晶振都是在較寬的溫度范圍內(nèi)輸出一個較穩(wěn)定的信號頻率，但其工作方式不同。守時晶振溫補晶振術(shù)語來自石英晶體振蕩器的一種補償方式已達到產(chǎn)品應(yīng)用方面的精度要求。溫補晶振定義是將壓電石英晶體原有的物理特性(壓電效應(yīng)下頻率隨溫度成三次曲線變化)通過外圍電路逆向改變使得石英晶體原有頻率隨溫度的變化盡可能的變小的一種補償方式所做的石英晶體振蕩器。守時晶振

圖4.直接補償在隨后的開發(fā)中(圖5中所示的間接補償),熱敏電阻(RT1至RT3)和電阻(R1至R3)的網(wǎng)絡(luò)用于產(chǎn)生與溫度相關(guān)的電壓.對網(wǎng)絡(luò)的輸出電壓進行濾波,然后用于驅(qū)動變?nèi)荻O管,該變?nèi)荻O管改變晶振上的負載,再次導致頻率變化.

守時晶振3、由于石英晶振是被動組件，它是由IC提供適當?shù)募罟β识９ぷ鞯?，因此，當激勵功率過低時，晶體不易起振，過高時，便形成過激勵，使石英芯片破損，引起停振守時晶振9）負載變化頻率穩(wěn)定度(FrequencystabilityVsvoltage+/-5%)其它條件不變時，由于負載阻抗在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對于規(guī)定的負載條件時的頻率偏移。10）電源變化頻率穩(wěn)定度(FrequencystabilityVsLoad+/-10%)。所以，應(yīng)提供適當?shù)募罟β省Ａ硗?，有功負載會消耗一定的功率，從而降低晶體Q值，從而使晶體的穩(wěn)定性下降，容易受周邊有源組件影響，處于不穩(wěn)定狀態(tài)，出現(xiàn)時振時不振現(xiàn)象，所以，外加有功負載時，應(yīng)匹配一個比較合適有功負載。