并聯(lián)電路并聯(lián)諧振振蕩器電路是用晶體設(shè)計的，該晶體可以在特定的負載電容下工作。這會導(dǎo)致晶體振蕩器以高于串聯(lián)諧振頻率但低于真正的并聯(lián)諧振頻率的頻率工作。為了完成這種類型的電路中的反饋環(huán)路，必須設(shè)計通過晶振的路由。如果晶體失效，電路將不再振蕩。那么確定振蕩器頻率的“負載電容”從何而來呢?該電路實際上使用了一個孤立的逆變器，該逆變器在反饋環(huán)路中具有兩個電容，這些電容包含了負載電容。如果負載電容改變，振蕩器產(chǎn)生的頻率也會改變。

高頻晶振溫補晶振（TCXO）：是在晶振內(nèi)部采取了對晶體頻率溫度特性進行補償，以達到在寬溫溫度范圍內(nèi)滿足穩(wěn)定度要求的晶體振蕩器。一般模擬式溫補晶振采用熱敏補償網(wǎng)絡(luò)。補償后頻率穩(wěn)定度在10-7~10-6量級，由于其良好的開機特性、優(yōu)越的性能價格比及功耗低、體積小、環(huán)境適應(yīng)性較強等多方面優(yōu)點，因而獲行了廣泛應(yīng)用高頻晶振

。它有好幾種不同的類型：電壓控制晶體振蕩器（VCXO）、溫度補償晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO），以及數(shù)字補償晶體振蕩器（MCXO或DTCXO），每種類型都有自己的獨特性能。如果您需要使您的設(shè)備即開即用，您就必須選用VCXO或溫補晶振，如果要求穩(wěn)定度在1ppm以上，則需選擇數(shù)字溫補晶振（MCXO）。模擬溫補晶振只適用于穩(wěn)定度要求在5ppm～1ppm之間的需求。VCXO只適合于穩(wěn)定度要求在5ppm以下的產(chǎn)品。在不需要即開即用的環(huán)境下，如果需要信號穩(wěn)定度超過0.1ppm的，可選用OCXO。（1）測試出補償電壓一溫度曲線（V-T曲線）；（2）根據(jù)V-T曲線數(shù)據(jù)，計算熱敏網(wǎng)絡(luò)中各電阻的阻值；（3）裝配溫補網(wǎng)絡(luò)，測試成品振蕩器f-T曲線，評價論證補償效果。可以看出，獲得準確的V-T曲線參數(shù)是溫補晶振設(shè)計生產(chǎn)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接關(guān)系到振蕩器頻率精度的高低，關(guān)系著成品溫補晶振品質(zhì)的優(yōu)劣。

高頻晶振TCXO我們俗稱溫補晶振，是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。從而起到一個溫度補償?shù)淖饔萌蚬枵袷幤魇袌鏊饕芪⑻幚砥?，開關(guān)穩(wěn)壓器時鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應(yīng)用的驅(qū)動。基于微機電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應(yīng)用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預(yù)測期內(nèi)補充全球硅振蕩器市場的顯著增長。MEMS振蕩器尚未完全占領(lǐng)烤箱控制晶體振蕩器和溫度補償晶體振蕩器的市場空間。這些產(chǎn)品的制造使用標準的CMOS硅技術(shù)，與需要專門制造和封裝技術(shù)的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。。比普通石英振蕩器還要精確，比如說在北方天氣寒冷，有些產(chǎn)品會因為天氣的寒冷出現(xiàn)不良的現(xiàn)象，嚴重會導(dǎo)致整個產(chǎn)品癱瘓，所以就會用到TCXO晶振，這款晶振它會在天氣溫度變化中起到一個互相補助的作用，如果遇到氣溫低它會根據(jù)本身的補償電路由周圍溫度變化產(chǎn)生出的振蕩頻率偏差，從而保護產(chǎn)品的穩(wěn)定性。

高頻晶振晶體產(chǎn)業(yè)一直數(shù)日系最為先進與穩(wěn)定，其次即為臺系晶振廠商高頻晶振高低電平（“1”and“0”level）。7）工作電流、功耗(Inputcurrent,powerconsumption)8）頻率溫度穩(wěn)定度(Frequencystabilityovertemp.)其它條件不變時，由于振蕩器工作在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)引起的相對于基準溫度時的頻率偏移。，國內(nèi)晶振廠商正在大力開發(fā)2520貼片晶振的產(chǎn)能之時，日系晶振廠商1612貼片晶振的就已經(jīng)發(fā)展成熟了！