3、輸出波形：有正弦波和方波兩種。4、輸出幅度：在接入額定負載的規(guī)定條件下，晶振輸出的均方根值電壓。5、頻率溫度特性：當環(huán)境溫度在規(guī)定范圍內(nèi)按預定方式變化時，晶振的輸出頻率產(chǎn)生的相對變化特性6、壓控線性度：指壓控晶振輸出頻率與壓控電壓曲線偏離線性的程度。

壓控晶振恒溫晶振和溫補晶振有什么區(qū)別？一般的恒溫晶振要比溫補晶振頻率穩(wěn)定度高兩個數(shù)量級以上壓控晶振

。如溫補晶振一般能達到-7量級，而恒溫晶振可達到-9量級。因此恒溫晶振一般用于高端測量儀器，如頻率計、信號發(fā)生器、網(wǎng)絡分析儀等。全球硅振蕩器市場它主要受微處理器，開關穩(wěn)壓器時鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應用的驅(qū)動?；谖C電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預測期內(nèi)補充全球硅振蕩器市場的顯著增長。MEMS振蕩器尚未完全占領烤箱控制晶體振蕩器和溫度補償晶體振蕩器的市場空間。這些產(chǎn)品的制造使用標準的CMOS硅技術，與需要專門制造和封裝技術的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。

壓控晶振有源晶振有4只引腳，是一個完整的振蕩器，里面除了石英晶體外，還有晶體管和阻容元件。有源晶振不需要DSP的內(nèi)部振蕩器，信號質(zhì)量好，比較穩(wěn)定，而且連接方式相對簡單（主要是做好電源濾波，通常使用一個電容和電感構成的PI型濾波網(wǎng)絡，輸出端用一個小阻值的電阻過濾信號即可），不需要復雜的配置電路一個溫補晶振，可以通過測量溫度，然后自動調(diào)整外部的匹配電容矩陣（改變接入的電容值）從而使頻率變得更準確和穩(wěn)定。溫補晶振術語來自石英晶體振蕩器的一種補償方zhidao式已達到產(chǎn)品應用方面的精度要求。溫補晶振定義是將壓電石英晶體原有的物理特性（壓電效應下頻率隨溫回度成三次曲線變化）通過外圍電路逆向改變使得石英晶體原有頻率隨溫答度的變化盡可能的變小的一種補償方式所做的石英晶體振蕩器。相對于無源晶體，有源晶振的缺陷是其信號電平是固定的，需要選擇好合適輸出電平，靈活性較差，價格相對較高。對于時序要求敏感的應用，還是有源的晶振好，因為可以選用比較精密的晶振，甚至是高檔的溫度補償晶振。有些DSP內(nèi)部沒有起振電路，只能使用有源的晶振，如TI的6000系列等。有源晶振相比于無源晶體通常體積較大，但現(xiàn)在許多有源晶振是表貼的，體積和晶體相當，有的甚至比許多晶體還要小。

壓控晶振未來溫補晶振的發(fā)展方向是向小型化、片式化、高精度和高穩(wěn)定度方向不斷發(fā)展，實現(xiàn)晶振的低噪聲、高頻化以及低功耗。近年來，國內(nèi)的溫補晶振產(chǎn)品水平得到了很大的提高，實現(xiàn)了在室溫下精度優(yōu)于±1ppm，第一年的頻率老化率為±1ppm，頻率（機械）微調(diào)≥±3ppm，電源功耗≤120mw壓控晶振集成電路是一種超微型的電子元器件，一個電路中有晶振器、晶體管、電容電阻及電感等元器件相互連線組成。今天小揚給大家談一談有源晶振，無源晶振與集成電路有何聯(lián)系，讓大家能快速了解與學習。首先，我們了解一下什么是單片機?單片機，英文稱為Microcontrollers，是一種集成電路芯片，簡寫為MCU，是采用超大規(guī)模集成電路技術把具有數(shù)據(jù)處理能力的中央處理器CPU、隨機存儲器RAM、只讀存儲器ROM、多種I/O口和中斷系統(tǒng)、定時器/計數(shù)器等功能(可能還包括顯示驅(qū)動電路、脈寬調(diào)制電路、模擬多路轉(zhuǎn)換器、A/D轉(zhuǎn)換器等電路)集成到一塊硅片上構成的一個小而完善的微型計算機系統(tǒng)，在工業(yè)控制領域廣泛應用。從上世紀80年代，由當時的4位、8位單片機，發(fā)展到現(xiàn)在的300M的高速單片機。。最高精度可達±0.05ppm。由此可見，TCXO晶振的技術水平還有很大的提升空間，創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力還很大。然而，科學技術的發(fā)展不能一蹴而就，它將伴隨整個電子行業(yè)的發(fā)展一同前行。