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廣東晶振定制工作原理

發(fā)布時間:2022-10-01   點(diǎn)擊量:843

(1)直接補(bǔ)償型直接補(bǔ)償型是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補(bǔ)償電路,在振蕩器中與石英晶振振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時,熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應(yīng)變化,從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移。該補(bǔ)償方式電路簡單,成本較低,節(jié)省印制電路板(PCB)尺寸和空間,適用于小型和低壓小電流場合。但當(dāng)要求晶體振蕩器精度小于±1pmm時,直接補(bǔ)償方式并不適宜。

晶振定制很多剛接觸晶振行業(yè)的采購,以為晶振只有一種分類,并不知道無源晶振和有源晶振這么一說。后來一直詢問我,什么叫有源晶振。其實(shí)在電子行業(yè)中籠統(tǒng)的說就是帶有電壓的晶體稱為有源晶振也叫振蕩器晶振定制

,里面除了石英晶體外還有晶體管和阻容元件它不需要DSP的內(nèi)部振蕩,也不需要復(fù)雜的配質(zhì)電路使用一個電容和電感構(gòu)成PI型濾波網(wǎng)絡(luò),然后輸出端用一個小阻值的電阻過濾信息就可以了,腳位一般以4個腳6個腳居多,信號質(zhì)量好比較穩(wěn)定相對于晶體而言價格比較貴。晶振定制隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展,小型化的產(chǎn)品越來越受到歡迎。在晶振行業(yè)也亦如此,如今越來越多的電子設(shè)備都選擇使用小巧輕薄的貼片晶振,插件晶振的使用范圍慢慢被縮小。今天小揚(yáng)來跟大家談一談如何區(qū)分貼片晶振的腳位方向?一、貼片晶振是什么?常說的晶振,是石英晶體元器件中的一種晶振定制

圖3.溫度補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的方法隨著時間而改變.使用的第一種方法之一是直接補(bǔ)償技術(shù),其中使用熱敏電阻,電容器和電阻器網(wǎng)絡(luò)來直接控制振蕩器的頻率.溫度的變化導(dǎo)致熱敏電阻(圖4中的RT1和RT2)發(fā)生變化,這會導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)的等效串聯(lián)電容發(fā)生變化-這反過來會改變晶體上的電容負(fù)載,從而導(dǎo)致頻率的變化.振蕩器.。石英晶體諧振器、石英晶體振蕩器、石英晶體濾波器均為石英晶體元器件。石英晶體是一種壓電晶體。壓電晶體當(dāng)受特定方向擠壓或拉伸時,它的兩端就會產(chǎn)生不同的電荷。根據(jù)效應(yīng)情況不同,分為正壓電效應(yīng)與逆壓電效應(yīng)。貼片晶振主要是用于電路中的時鐘模塊,來提供相應(yīng)的時鐘基準(zhǔn),常見的應(yīng)用主要是嵌入式設(shè)計(jì),如FPGA、DSP等開發(fā)板中。

晶振定制未來溫補(bǔ)晶振的發(fā)展方向是向小型化、片式化、高精度和高穩(wěn)定度方向不斷發(fā)展,實(shí)現(xiàn)晶振的低噪聲、高頻化以及低功耗。近年來,國內(nèi)的溫補(bǔ)晶振產(chǎn)品水平得到了很大的提高,實(shí)現(xiàn)了在室溫下精度優(yōu)于±1ppm,第一年的頻率老化率為±1ppm,頻率(機(jī)械)微調(diào)≥±3ppm,電源功耗≤120mw晶振定制(4)FLUKE45萬用表支持串口程控,用于獲取TCXO內(nèi)部三端穩(wěn)壓器的輸出電壓VDD,為補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)分析計(jì)算輔助數(shù)據(jù)。2.2補(bǔ)償電壓自動測試過程根據(jù)系統(tǒng)硬件組成與測試目的要求,補(bǔ)償電壓自動測試過程如下:將未裝配補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的待測半成品活件裝入高低溫箱,連接好各儀器設(shè)備,打開電源,運(yùn)行程序,進(jìn)行參數(shù)設(shè)置(如工作電壓為8V,中心頻率為19.2MHz,測試溫度范圍為-40~+70℃,10℃步進(jìn));點(diǎn)擊開始按鈕,程序控制高低溫箱自動回0號參考工位,開始降溫至-40℃,保溫30min后,工位進(jìn)1,根據(jù)1號位活件設(shè)置調(diào)節(jié)程控電源工作電壓輸出,獲取振蕩器頻率,變化E+,使振蕩器頻率越來越接近中心頻率,直到滿足要求,記錄此時程控電源的E+即為所測補(bǔ)償電壓結(jié)果,同時記錄振蕩器內(nèi)為溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)供電的穩(wěn)壓器輸出電壓VDD;然后高低溫箱輪位進(jìn)1,移向2號位測量,直到所有工位測試完畢;開始升溫10℃至-30℃,保溫20min,測試記錄數(shù)據(jù),完成所有工位測試;繼續(xù)升溫,保溫、測量,直至全部溫度點(diǎn)測試完畢,一個測試過程完成。。最高精度可達(dá)±0.05ppm。由此可見,TCXO晶振的技術(shù)水平還有很大的提升空間,創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力還很大。然而,科學(xué)技術(shù)的發(fā)展不能一蹴而就,它將伴隨整個電子行業(yè)的發(fā)展一同前行。
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