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深圳壓控晶振指標(biāo)

發(fā)布時(shí)間:2022-09-16   點(diǎn)擊量:840

二、電源和負(fù)載石英晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定性亦受到振蕩器電源電壓變動(dòng)以及振蕩器負(fù)載變動(dòng)的影響.正確選擇振蕩器可將這些影響減到最少.設(shè)計(jì)者應(yīng)在建議的電源電壓容差和負(fù)載下檢驗(yàn)振蕩器的性能.不能期望只能額定驅(qū)動(dòng)15pF的振蕩器在驅(qū)動(dòng)50pF時(shí)會(huì)有好的表現(xiàn).在超過(guò)建議的電源電壓下工作的振蕩器亦會(huì)呈現(xiàn)較差的波形和穩(wěn)定性.對(duì)于需要電池供電的器件,一定要考慮功耗.引入3.3V的產(chǎn)品必然要開(kāi)發(fā)在3.3V下工作的振蕩器.較低的電壓允許產(chǎn)品在低功率下運(yùn)行.

壓控晶振理論上講,如果恒溫晶振溫補(bǔ)晶振的輸出信號(hào)頻率一致,并且端接負(fù)載相同,輸出信號(hào)幅度又差不多的話,是可以互換的壓控晶振

。但是恒溫晶振溫補(bǔ)晶振的應(yīng)用與性能是完全不同的。恒溫晶振溫補(bǔ)晶振都是在較寬的溫度范圍內(nèi)輸出一個(gè)較穩(wěn)定的信號(hào)頻率,但其工作方式不同。TCXO晶振溫度穩(wěn)定性水平(從5ppm到50ppb)通常是必要的,因?yàn)檎袷幤鲗ⅹ?dú)立工作,無(wú)論是在沒(méi)有外部頻率參考的系統(tǒng)中的自由運(yùn)行模式,還是作為固定頻率參考TCXO在開(kāi)環(huán)中工作的合成器,用于驅(qū)動(dòng)DDS(直接數(shù)字合成),而DDS而不是TCXO被“鎖定”到外部參考.

壓控晶振晶振的作用是為系統(tǒng)提供基本的時(shí)鐘信號(hào)。通常一個(gè)系統(tǒng)共用一個(gè)晶振,便于各部分保持同步。有些通訊系統(tǒng)的基頻和射頻使用不同的晶振,而通過(guò)電子調(diào)整頻率的方法保持同步2)削峰正弦波(ClippingSine):負(fù)載(Load)、輸出幅度(Outputlevel)。3)方波(Square):又分為MOS和TTL兩類(lèi)輸出。負(fù)載(Load)、占空比(Dutycycle)、上升/下降時(shí)間(Rise/falltime)、。晶振通常與鎖相環(huán)電路配合使用,以提供系統(tǒng)所需的時(shí)鐘頻率。如果不同子系統(tǒng)需要道不同頻率的時(shí)鐘信號(hào),可以用與同一個(gè)晶振相連的不同鎖相環(huán)來(lái)提供。

壓控晶振未來(lái)溫補(bǔ)晶振的發(fā)展方向是向小型化、片式化、高精度和高穩(wěn)定度方向不斷發(fā)展,實(shí)現(xiàn)晶振的低噪聲、高頻化以及低功耗。近年來(lái),國(guó)內(nèi)的溫補(bǔ)晶振產(chǎn)品水平得到了很大的提高,實(shí)現(xiàn)了在室溫下精度優(yōu)于±1ppm,第一年的頻率老化率為±1ppm,頻率(機(jī)械)微調(diào)≥±3ppm,電源功耗≤120mw壓控晶振后一種情況(TCXO是開(kāi)環(huán),頻率在DDS設(shè)置)正變得越來(lái)越普遍,因?yàn)樵O(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)使用DDS解決方案可以通過(guò)使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器控制TCXO來(lái)實(shí)現(xiàn)更好的頻率分辨率.由于轉(zhuǎn)向是在DDS而不是振蕩器中完成的,因此設(shè)計(jì)人員需要能夠?qū)潭ɑ鶞?zhǔn)的頻率如何隨溫度變化做出某些假設(shè),以便他們可以相應(yīng)地規(guī)劃鎖相環(huán)的設(shè)計(jì).由于靈活性,它們?cè)试STCXO用于許多頻率控制應(yīng)用,但一個(gè)重要領(lǐng)域是小型蜂窩基站(毫微微,微型和微微),通常它們被用作定時(shí)分配芯片的固定頻率源.。最高精度可達(dá)±0.05ppm。由此可見(jiàn),TCXO晶振的技術(shù)水平還有很大的提升空間,創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力還很大。然而,科學(xué)技術(shù)的發(fā)展不能一蹴而就,它將伴隨整個(gè)電子行業(yè)的發(fā)展一同前行。
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