本系統(tǒng)以計(jì)算機(jī)為控制中心，包括高低溫箱、程控電源、數(shù)字頻率計(jì)和數(shù)字萬(wàn)用表等設(shè)備。（1）高低溫箱S&A4220MR支持GPIB接口程控，滿(mǎn)足-50~+80℃測(cè)試要求，箱內(nèi)的測(cè)量圈設(shè)有50個(gè)工位，每個(gè)工位通過(guò)5根導(dǎo)線(xiàn)連接一個(gè)待測(cè)補(bǔ)償電壓的半成品活件，分別接活件的GND,VCC,VDD,OUT和E+.守時(shí)晶振晶體振蕩器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡(jiǎn)稱(chēng)為晶片），石英晶體諧振器守時(shí)晶振
三、輸出必須考慮的其它參數(shù)是輸出類(lèi)型、相位噪聲、抖動(dòng)、電壓特性、負(fù)載特性、功耗、封裝形式,對(duì)于工業(yè)產(chǎn)品,有時(shí)還要考慮沖擊和振動(dòng)、以及電磁干擾（EMI）.晶體振蕩器可HCMOS/TTL兼容、ACMOS兼容、ECL和正弦波輸出.每種輸出類(lèi)型都有它的獨(dú)特波形特性和用途.應(yīng)該關(guān)注三態(tài)或互補(bǔ)輸出的要求.對(duì)稱(chēng)性、上升和下降時(shí)間以及邏輯電平對(duì)某些應(yīng)用來(lái)說(shuō)也要作出規(guī)定.許多DSP和通信芯片組往往需要嚴(yán)格的對(duì)稱(chēng)性（45%至55%）和快速的上升和下降時(shí)間（小于5ns）.，簡(jiǎn)稱(chēng)為石英晶體或晶體、晶振；而在封裝內(nèi)部添加LC組成振蕩電路的晶體元件稱(chēng)為晶體振蕩器。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。并聯(lián)電路并聯(lián)諧振振蕩器電路是用晶體設(shè)計(jì)的，該晶體可以在特定的負(fù)載電容下工作。這會(huì)導(dǎo)致晶體振蕩器以高于串聯(lián)諧振頻率但低于真正的并聯(lián)諧振頻率的頻率工作。為了完成這種類(lèi)型的電路中的反饋環(huán)路，必須設(shè)計(jì)通過(guò)晶振的路由。如果晶體失效，電路將不再振蕩。那么確定振蕩器頻率的“負(fù)載電容”從何而來(lái)呢?該電路實(shí)際上使用了一個(gè)孤立的逆變器，該逆變器在反饋環(huán)路中具有兩個(gè)電容，這些電容包含了負(fù)載電容。如果負(fù)載電容改變，振蕩器產(chǎn)生的頻率也會(huì)改變。
守時(shí)晶振無(wú)論什么晶振，在電路中只有一個(gè)作用，那就是提供穩(wěn)定的頻率輸出。不同的是
壓控晶振可以通過(guò)壓控端的電壓微調(diào)控制輸出的頻率的高低變?nèi)荻O管D兩端所加電壓（即補(bǔ)償電壓）由溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)輸出，溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)隨溫度自動(dòng)調(diào)節(jié)輸出電壓，變?nèi)荻O管容量隨之改變，以抵消諧振器頻率隨溫度的變化，可使輸出頻率基本不變。從以上原理分析可得
溫補(bǔ)晶振補(bǔ)償過(guò)程如下：，而
溫補(bǔ)晶振則自動(dòng)根據(jù)環(huán)境溫度的變化對(duì)頻率輸出進(jìn)行補(bǔ)償，使輸出的頻率穩(wěn)定，當(dāng)然一些
溫補(bǔ)晶振也帶有壓控端。
守時(shí)晶振圖5間接補(bǔ)償目前的方法將補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)和拉網(wǎng)絡(luò)集成到一個(gè)集成電路中(如圖6所示),補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的作用由一組運(yùn)算放大器組成,這些運(yùn)算放大器在一起產(chǎn)生溫度上的3階或5階函數(shù).與間接補(bǔ)償方法一樣守時(shí)晶振2系統(tǒng)硬件組成及測(cè)試過(guò)程溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)補(bǔ)償電壓的測(cè)量多為人工手動(dòng)完成。用小功率直流電壓源代替溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)，改變溫度到目標(biāo)點(diǎn)并保溫，然后調(diào)節(jié)電壓源輸出，使振蕩器輸出達(dá)到中心頻率，此時(shí)電壓源輸出即為該溫度點(diǎn)的補(bǔ)償電壓；在各測(cè)試溫度點(diǎn)重復(fù)以上操作，得到一組數(shù)據(jù)，即V-T曲線(xiàn)數(shù)據(jù)。這種手動(dòng)測(cè)量方法效率低下，人力成本較高，而且手工記錄測(cè)試數(shù)據(jù)，容易產(chǎn)生誤差，難以實(shí)現(xiàn)精確快速的優(yōu)質(zhì)生產(chǎn)。,該電壓用于驅(qū)動(dòng)變?nèi)荻O管,這反過(guò)來(lái)又改變了振蕩器的輸出頻率.由于晶體特性的變化意味著沒(méi)有“一刀切”的功能,因此在TCXO的溫度測(cè)試期間得出了解決方案.兩個(gè)電容器陣列用于將室溫下的頻率調(diào)節(jié)到標(biāo)稱(chēng)值,然后在測(cè)試期間獲得溫度補(bǔ)償功能所需的設(shè)置并存儲(chǔ)在片上存儲(chǔ)器中.
