圖3.溫度補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的方法隨著時(shí)間而改變.使用的第一種方法之一是直接補(bǔ)償技術(shù),其中使用熱敏電阻,電容器和電阻器網(wǎng)絡(luò)來直接控制振蕩器的頻率.溫度的變化導(dǎo)致熱敏電阻(圖4中的RT1和RT2)發(fā)生變化,這會(huì)導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)的等效串聯(lián)電容發(fā)生變化-這反過來會(huì)改變晶體上的電容負(fù)載,從而導(dǎo)致頻率的變化.振蕩器.

KDS晶振每個(gè)溫補(bǔ)晶振產(chǎn)品在做完整之前都需要經(jīng)過很多工序的檢測，電路板設(shè)有晶振的電子產(chǎn)品在檢漏工序中KDS晶振

，就是在酒精加壓的環(huán)境下，容易產(chǎn)生碰殼現(xiàn)象，即振動(dòng)時(shí)芯片跟外殼容易相碰，從而晶體容易發(fā)生時(shí)振時(shí)不振或停振。然而金洛電子此歸類出幾點(diǎn)正確的處理方法如下：KDS晶振一般石英晶體的頻率都和溫度相關(guān)，我們所使用的晶體振蕩器，一般是在25度下達(dá)到最大精度KDS晶振

溫補(bǔ)晶振工作原理溫補(bǔ)振蕩器(TCXO)是通過附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。TCXO中，對石英晶體振子頻率溫度漂移的補(bǔ)償方法主要有直接補(bǔ)償和間接補(bǔ)償兩種類型：。溫度升高，頻率增大；溫度降低，頻率減小。通常如果應(yīng)用在計(jì)時(shí)中，需要更高的精度，就需要進(jìn)行溫度補(bǔ)償。比如您知專道，如果增加匹配電容的容值，就能使振蕩頻率降低。

KDS晶振注：1）工作溫度范圍的下限越低，振蕩器功耗越大，同時(shí)頻率溫度穩(wěn)定度越難實(shí)現(xiàn)。2）工作溫度范圍的上限越高，晶體拐點(diǎn)設(shè)置越高，晶體成本上升越多KDS晶振頻率老化是不可避免的。同時(shí)方向可能為正也可能為負(fù)。又稱為日老化率、長穩(wěn)等。12）短期頻率穩(wěn)定度(Shorttermstability)振蕩器短時(shí)間內(nèi)的頻率隨機(jī)起伏程度。注:以秒為單位，又稱為秒基穩(wěn)定度、秒穩(wěn)、短穩(wěn)等。。5）壓控特性（電壓范圍、極性、線性、壓控輸入阻抗）當(dāng)控制電壓變化時(shí)，引起的振蕩器輸出的頻率、波形特征等電特性的變化。