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淺析守時晶振是什么

發(fā)布時間:2022-04-24   點擊量:675

集成電路是一種超微型的電子元器件,一個電路中有晶振器、晶體管、電容電阻及電感等元器件相互連線組成。今天小揚給大家談一談有源晶振,無源晶振與集成電路有何聯(lián)系,讓大家能快速了解與學習。首先,我們了解一下什么是單片機?單片機,英文稱為Microcontrollers,是一種集成電路芯片,簡寫為MCU,是采用超大規(guī)模集成電路技術把具有數(shù)據(jù)處理能力的中央處理器CPU、隨機存儲器RAM、只讀存儲器ROM、多種I/O口和中斷系統(tǒng)、定時器/計數(shù)器等功能(可能還包括顯示驅(qū)動電路、脈寬調(diào)制電路、模擬多路轉(zhuǎn)換器、A/D轉(zhuǎn)換器等電路)集成到一塊硅片上構(gòu)成的一個小而完善的微型計算機系統(tǒng),在工業(yè)控制領域廣泛應用。從上世紀80年代,由當時的4位、8位單片機,發(fā)展到現(xiàn)在的300M的高速單片機。守時晶振壓控晶振是通過外加一個壓控電抄壓可以調(diào)節(jié)晶振的頻率。一般是采用外加電壓加到襲晶振里面的變?nèi)荻O管上來改變電容值以達到改變頻率的效果守時晶振

變?nèi)荻O管D兩端所加電壓(即補償電壓)由溫補網(wǎng)絡輸出,溫補網(wǎng)絡隨溫度自動調(diào)節(jié)輸出電壓,變?nèi)荻O管容量隨之改變,以抵消諧振器頻率隨溫度的變化,可使輸出頻率基本不變。從以上原理分析可得溫補晶振補償過程如下:。這種壓控晶振一般用在需百要調(diào)節(jié)頻率的儀器上。而溫補晶振它是采用內(nèi)置一個溫補網(wǎng)絡來補償由于溫度帶來的度頻率偏差,達到在一定溫度范圍內(nèi)頻率十分穩(wěn)定的知效果,一般用在要求頻率在特定環(huán)境溫度范圍道內(nèi)要求振蕩器頻率十分穩(wěn)定的儀器上。應用軟件采用VB6.0編寫,后臺數(shù)據(jù)庫采用MicrosoftAccess數(shù)據(jù)庫。運行軟件,可以對程控儀器設備進行操作和控制,實現(xiàn)測試過程的自動控制、數(shù)據(jù)自動測試以及自動記錄,為溫補晶振補償網(wǎng)絡參數(shù)計算過程提供準確可靠的輸入數(shù)據(jù)。

守時晶振晶振在應用具體起到的作用,微控制器的時鐘源可以分為兩類:基于機械諧振器件的時鐘源,如晶振、陶瓷諧振槽路;RC(電阻、電容)振蕩器。一種是皮爾斯振蕩器配置,適用于晶振和陶瓷諧振槽路。另一種為簡單的分立RC振蕩器。基于晶振與陶瓷諧振槽路的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數(shù)。RC振蕩器能夠快速啟動,成本也比較低,但通常在整個溫度和工作電源電壓范圍內(nèi)精度較差,會在標稱輸出頻率的5%至50%范圍內(nèi)變化晶體振蕩器電路由放大器和反饋網(wǎng)絡組成。反饋網(wǎng)絡從放大器獲取特定輸出,然后將其發(fā)送回放大器輸入。繪制出來時看起來很簡單。什么是晶體振蕩器電路?但是越深入,復雜性就越大。緊緊抓住!為了使晶體振蕩器電路有效運行,必須滿足兩個關鍵條件:(1)環(huán)路功率增益必須等于一致;(2)環(huán)路相移必須等于0、2Pi,4Pi等弧度。。但其性能受環(huán)境條件和電路元件選擇的影響。需認真對待振蕩器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時,陶瓷諧振槽路和相應的負載電容必須根據(jù)特定的邏輯系列進行優(yōu)化。具有高Q值的晶振對放大器的選擇并不敏感,但在過驅(qū)動時很容易產(chǎn)生頻率漂移(甚至可能損壞)。影響振蕩器工作的環(huán)境因素有:電磁干擾(EMI)、機械震動與沖擊、濕度和溫度。這些因素會增大輸出頻率的變化,增加不穩(wěn)定性,并且在有些情況下,還會造成振蕩器停振。上述大部分問題都可以通過使用振蕩器模塊避免。這些模塊自帶振蕩器、提供低阻方波輸出,并且能夠在一定條件下保證運行。最常用的兩種類型是晶振模塊和集成RC振蕩器(硅振蕩器)。晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。硅振蕩器的精度要比分立RC振蕩器高,多數(shù)情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當?shù)木取?p style='text-align:center;'>

守時晶振目前溫補晶振的技術水平的提高并沒進入到極限,創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力仍較大。其中主要的有兩點:一是小型化會使石英晶體振子的頻率可變幅度變小守時晶振溫補晶振,恒溫晶振壓控晶振,普通鐘振,這些都是有源晶振,所以有源晶振肯定需要電源加入才能工作。恒溫晶振,由于晶體振蕩器的震蕩頻率會隨著溫度的變化而變化,故為了保持頻率的穩(wěn)定性,將晶振控制在一個恒定的溫度下工作以此來提高晶振的相頻特性。,溫度補償更加困難;二是片式封裝后在其接作業(yè)中,由于焊接溫度遠高于溫補晶振的最大允許溫度,會使晶體振子的頻率發(fā)生變化,若不采限局部散熱降溫措施,難以將溫補晶振的頻率變化量控制在±0.5×10-6以下。
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