三、輸出必須考慮的其它參數(shù)是輸出類型、相位噪聲、抖動、電壓特性、負載特性、功耗、封裝形式,對于工業(yè)產(chǎn)品,有時還要考慮沖擊和振動、以及電磁干擾（EMI）.晶體振蕩器可HCMOS/TTL兼容、ACMOS兼容、ECL和正弦波輸出.每種輸出類型都有它的獨特波形特性和用途.應該關注三態(tài)或互補輸出的要求.對稱性、上升和下降時間以及邏輯電平對某些應用來說也要作出規(guī)定.許多DSP和通信芯片組往往需要嚴格的對稱性（45%至55%）和快速的上升和下降時間（小于5ns）.高頻晶振溫補晶振是如何實現(xiàn)電路補償中國電子市場對壓電石英晶振的需求是越來越大了，從而使晶體行業(yè)達到膨脹式的發(fā)展，尤其是近幾年時間國內(nèi)的晶體廠家不斷更新研發(fā)，從而導致一些很基本的電子元件慢慢的被淘汰掉了高頻晶振

其它條件不變時，由于電源電壓在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對于規(guī)定的電源電壓時的頻率偏移。11）老化率（長期頻率穩(wěn)定度）(Aging,longtermstability)振蕩器頻率與時間之間的關系。注:這種頻率漂移是石英晶體或/和電路中的其它元器件的長期變化造成的，可以用規(guī)定時間間隔內(nèi)平均頻率的相對變化來表示。，就拿我們晶振行業(yè)來說像32.768KHZ系列的音叉型表晶，慢慢的就被音叉貼片式替代了，已經(jīng)成為小型化的走向，而且現(xiàn)在的產(chǎn)品越做越精致，要求也越來越高，普通型的晶體已經(jīng)不能滿足市場的需求，所以各大生產(chǎn)廠商已經(jīng)向石英振蕩器的方向發(fā)展，而振蕩器里面的溫補晶振已經(jīng)成為了電子各大廠商的爭奪對象。高頻晶振溫補晶振術語來自石英晶體振蕩器的一種補償方式已達到產(chǎn)品應用方面的精度要求。溫補晶振定義是將壓電石英晶體原有的物理特性(壓電效應下頻率隨溫度成三次曲線變化)通過外圍電路逆向改變使得石英晶體原有頻率隨溫度的變化盡可能的變小的一種補償方式所做的石英晶體振蕩器。高頻晶振

（2）間接補償型間接補償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度－電壓變換電路，并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上，通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對晶體振子的非線性頻率漂移進行補償。該補償方式能實現(xiàn)±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補償是在模擬式補償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級模/數(shù)（A/D）變換器，將模擬量轉換成數(shù)字量。該法可實現(xiàn)自動溫度補償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補償電路比較復雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺等要求高精度化的情況。

高頻晶振注：1）工作溫度范圍的下限越低，振蕩器功耗越大，同時頻率溫度穩(wěn)定度越難實現(xiàn)。2）工作溫度范圍的上限越高，晶體拐點設置越高，晶體成本上升越多高頻晶振（1）測試出補償電壓一溫度曲線（V-T曲線）；（2）根據(jù)V-T曲線數(shù)據(jù)，計算熱敏網(wǎng)絡中各電阻的阻值；（3）裝配溫補網(wǎng)絡，測試成品振蕩器f-T曲線，評價論證補償效果。可以看出，獲得準確的V-T曲線參數(shù)是溫補晶振設計生產(chǎn)中的關鍵環(huán)節(jié)，直接關系到振蕩器頻率精度的高低，關系著成品溫補晶振品質(zhì)的優(yōu)劣。。5）壓控特性（電壓范圍、極性、線性、壓控輸入阻抗）當控制電壓變化時，引起的振蕩器輸出的頻率、波形特征等電特性的變化。