（2）間接補償型間接補償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度－電壓變換電路，并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上，通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對晶體振子的非線性頻率漂移進行補償。該補償方式能實現(xiàn)±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補償是在模擬式補償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級模/數(shù)（A/D）變換器，將模擬量轉換成數(shù)字量。該法可實現(xiàn)自動溫度補償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補償電路比較復雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺等要求高精度化的情況。

壓控品振VCTCXO很多剛接觸晶振行業(yè)的采購，以為晶振只有一種分類，并不知道無源晶振和有源晶振這么一說。后來一直詢問我，什么叫有源晶振。其實在電子行業(yè)中籠統(tǒng)的說就是帶有電壓的晶體稱為有源晶振也叫振蕩器壓控品振VCTCXO

，里面除了石英晶體外還有晶體管和阻容元件它不需要DSP的內(nèi)部振蕩，也不需要復雜的配質電路使用一個電容和電感構成PI型濾波網(wǎng)絡，然后輸出端用一個小阻值的電阻過濾信息就可以了，腳位一般以4個腳6個腳居多，信號質量好比較穩(wěn)定相對于晶體而言價格比較貴。全球硅振蕩器市場它主要受微處理器，開關穩(wěn)壓器時鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應用的驅動。基于微機電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預測期內(nèi)補充全球硅振蕩器市場的顯著增長。MEMS振蕩器尚未完全占領烤箱控制晶體振蕩器和溫度補償晶體振蕩器的市場空間。這些產(chǎn)品的制造使用標準的CMOS硅技術，與需要專門制造和封裝技術的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。

壓控品振VCTCXO1、嚴格按照技術要求的規(guī)定，對石英晶體組件進行檢漏試驗以檢查其密封性，及時處理不良品并分析原因；2、壓封工序是將調(diào)好的諧振件在氮氣保護中與外殼封裝起來，以穩(wěn)定石英晶體諧振器的電氣性能溫補晶振即溫度補償晶體振蕩器（TCXO），是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。TCXO中，對石英晶體振子頻率溫度漂移的補償方法主要有直接補償和間接補償兩種類型：。在此工序應保持送料倉、壓封倉和出料倉干凈，壓封倉要連續(xù)沖氮氣，并在壓封過程中注意焊頭磨損情況及模具位置，電壓、氣壓和氮氣流量是否正常，否則及時處理。其質量標準為：無傷痕、毛刺、頂坑、彎腿，壓印對稱不可歪斜。

壓控品振VCTCXO1、首先在鑿子形(扁鏟形)或刀口烙鐵頭處加適量的焊錫，用細毛筆蘸助焊劑或用助焊筆在兩端焊盤上涂少量助焊劑，并在焊盤上鍍上焊錫；一只手用鑷子夾持貼片晶振，居中貼放在相應的焊盤上，對準后不要移動；另一只手拿起烙鐵加熱其中一個焊盤大約2秒左右，撤離烙鐵；然后用同樣的方法加熱另一端焊盤大約2秒左右壓控品振VCTCXO恒溫晶振就算采用現(xiàn)在最好的加熱元件，也需要一個加溫過程。因此開機即需要工作的設備就不太適合。無論是恒溫晶振還是溫補晶振無非就是個信號源，為你的設備提供一個時間基準。只要你了解它性能指標你就可以相互代用。。2、先在焊盤上鍍上適量的焊錫，熱風q1an9使用小嘴噴頭，溫度調(diào)到200℃～300℃，風速調(diào)至1～2擋，當溫度和風速穩(wěn)定后一只手用鑷子夾住元器件放置到焊接的位置上，注意要放正。另一只手拿穩(wěn)熱風q1an9，使噴頭離待拆元器件保持垂直，距離1cm～3cm，均勻加熱，待貼片晶振周圍焊錫熔化后移走熱風q1an9，焊錫冷卻后移走鑷子。