二、電源和負載石英晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定性亦受到振蕩器電源電壓變動以及振蕩器負載變動的影響.正確選擇振蕩器可將這些影響減到最少.設計者應在建議的電源電壓容差和負載下檢驗振蕩器的性能.不能期望只能額定驅(qū)動15pF的振蕩器在驅(qū)動50pF時會有好的表現(xiàn).在超過建議的電源電壓下工作的振蕩器亦會呈現(xiàn)較差的波形和穩(wěn)定性.對于需要電池供電的器件,一定要考慮功耗.引入3.3V的產(chǎn)品必然要開發(fā)在3.3V下工作的振蕩器.較低的電壓允許產(chǎn)品在低功率下運行.壓控晶振溫度補償石英晶體振蕩器（TCXO）由于具有較高的頻率穩(wěn)定度，作為一種高精度頻率源被廣泛地應用于通訊系統(tǒng)、雷達導航系統(tǒng)、精密測控系統(tǒng)等壓控晶振

晶體振蕩器電路由放大器和反饋網(wǎng)絡組成。反饋網(wǎng)絡從放大器獲取特定輸出，然后將其發(fā)送回放大器輸入。繪制出來時看起來很簡單。什么是晶體振蕩器電路?但是越深入，復雜性就越大。緊緊抓住!為了使晶體振蕩器電路有效運行，必須滿足兩個關鍵條件：(1)環(huán)路功率增益必須等于一致；(2)環(huán)路相移必須等于0、2Pi，4Pi等弧度。。溫補晶振由石英晶體振蕩電路和溫度補償網(wǎng)絡兩部分組成。其中，溫度補償網(wǎng)絡的優(yōu)化設計對于改善溫補晶體振蕩器的溫頻特性，提高振蕩器的頻率精度具有重要意義。頻率老化是不可避免的。同時方向可能為正也可能為負。又稱為日老化率、長穩(wěn)等。12）短期頻率穩(wěn)定度(Shorttermstability)振蕩器短時間內(nèi)的頻率隨機起伏程度。注:以秒為單位，又稱為秒基穩(wěn)定度、秒穩(wěn)、短穩(wěn)等。

壓控晶振一個溫補晶振，可以通過測量溫度，然后自動調(diào)整外部的匹配電容矩陣（改變接入的電容值）從而使頻率變得更準確和穩(wěn)定。用溫度補償?shù)姆椒p少頻率失真，因為振蕩器工作時由于電阻的作用（晶體管或者集成電路都有內(nèi)阻）就會有溫升其它條件不變時，由于電源電壓在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對于規(guī)定的電源電壓時的頻率偏移。11）老化率（長期頻率穩(wěn)定度）(Aging,longtermstability)振蕩器頻率與時間之間的關系。注:這種頻率漂移是石英晶體或/和電路中的其它元器件的長期變化造成的，可以用規(guī)定時間間隔內(nèi)平均頻率的相對變化來表示。，溫度升高對半導體影響很大，會使半導體的工作點發(fā)生飄移從而導致振蕩頻率的變化，這些變化對使用者來說影響很大如無線電通訊、本地時鐘（單片機或者電腦）要求頻率高度穩(wěn)定，所以開發(fā)商生產(chǎn)出具有溫度補償性能的有源振蕩器，這些具有溫度補償?shù)木w振蕩器頻率變化非常低，可以長期穩(wěn)定工作提供高穩(wěn)定性頻率基準。

壓控晶振圖5間接補償目前的方法將補償網(wǎng)絡和拉網(wǎng)絡集成到一個集成電路中(如圖6所示),補償網(wǎng)絡的作用由一組運算放大器組成,這些運算放大器在一起產(chǎn)生溫度上的3階或5階函數(shù).與間接補償方法一樣壓控晶振9）負載變化頻率穩(wěn)定度(FrequencystabilityVsvoltage+/-5%)其它條件不變時，由于負載阻抗在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對于規(guī)定的負載條件時的頻率偏移。10）電源變化頻率穩(wěn)定度(FrequencystabilityVsLoad+/-10%),該電壓用于驅(qū)動變?nèi)荻O管,這反過來又改變了振蕩器的輸出頻率.由于晶體特性的變化意味著沒有“一刀切”的功能,因此在TCXO的溫度測試期間得出了解決方案.兩個電容器陣列用于將室溫下的頻率調(diào)節(jié)到標稱值,然后在測試期間獲得溫度補償功能所需的設置并存儲在片上存儲器中.