圖3.溫度補償實現(xiàn)這一目標的方法隨著時間而改變.使用的第一種方法之一是直接補償技術,其中使用熱敏電阻,電容器和電阻器網絡來直接控制振蕩器的頻率.溫度的變化導致熱敏電阻(圖4中的RT1和RT2)發(fā)生變化,這會導致網絡的等效串聯(lián)電容發(fā)生變化-這反過來會改變晶體上的電容負載,從而導致頻率的變化.振蕩器.高頻晶振壓控晶振是通過外加一個壓控電抄壓可以調節(jié)晶振的頻率。一般是采用外加電壓加到襲晶振里面的變容二極管上來改變電容值以達到改變頻率的效果高頻晶振

2）削峰正弦波（ClippingSine）：負載（Load）、輸出幅度（Outputlevel）。3）方波（Square）：又分為MOS和TTL兩類輸出。負載（Load）、占空比（Dutycycle）、上升/下降時間（Rise/falltime）、。這種壓控晶振一般用在需百要調節(jié)頻率的儀器上。而溫補晶振它是采用內置一個溫補網絡來補償由于溫度帶來的度頻率偏差，達到在一定溫度范圍內頻率十分穩(wěn)定的知效果，一般用在要求頻率在特定環(huán)境溫度范圍道內要求振蕩器頻率十分穩(wěn)定的儀器上。晶振在生產的過程中，十幾道工序，每一道工序都不可掉以輕心，重要的工序之一必不可少的當然是焊接，大家應該都知道，石英晶振焊接方法與其封裝有著密切的聯(lián)系，插件和貼片的焊接方式是不一樣。而貼片晶振分手工焊接和自動焊接。插件晶振焊接也不是很復雜先用鑷子將晶振放在線路板上在用熱風木倉將焊錫融化這樣就可以了比較單一。貼片晶振手工焊接相對有些復雜。

高頻晶振1溫補晶振溫度補償原理溫補晶振由石英晶體振蕩電路和溫度補償網絡兩部分組成。典型的溫補晶振原理示意圖如圖1所示本系統(tǒng)以計算機為控制中心，包括高低溫箱、程控電源、數(shù)字頻率計和數(shù)字萬用表等設備。（1）高低溫箱S&A4220MR支持GPIB接口程控，滿足-50~+80℃測試要求，箱內的測量圈設有50個工位，每個工位通過5根導線連接一個待測補償電壓的半成品活件，分別接活件的GND,VCC,VDD,OUT和E+.。振蕩器的頻率溫度特性主要由晶體諧振器的頻率溫度特性決定。常用的AT切晶體諧振器的頻率溫度特性為三次曲線，溫補晶振溫度補償?shù)脑砭褪峭ㄟ^改變振蕩回路中的負載電容，使其隨溫度變化來補償諧振器由于環(huán)境溫度變化所產生的頻率漂移。

高頻晶振目前溫補晶振的技術水平的提高并沒進入到極限，創(chuàng)新的內容和潛力仍較大。其中主要的有兩點：一是小型化會使石英晶體振子的頻率可變幅度變小高頻晶振變容二極管D兩端所加電壓（即補償電壓）由溫補網絡輸出，溫補網絡隨溫度自動調節(jié)輸出電壓，變容二極管容量隨之改變，以抵消諧振器頻率隨溫度的變化，可使輸出頻率基本不變。從以上原理分析可得溫補晶振補償過程如下：，溫度補償更加困難；二是片式封裝后在其接作業(yè)中，由于焊接溫度遠高于溫補晶振的最大允許溫度，會使晶體振子的頻率發(fā)生變化，若不采限局部散熱降溫措施，難以將溫補晶振的頻率變化量控制在±0.5×10-6以下。