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深圳晶振深圳市均特利
發(fā)布時(shí)間:2022-02-05 點(diǎn)擊量:330
圖4.直接補(bǔ)償在隨后的開發(fā)中(圖5中所示的間接補(bǔ)償),熱敏電阻(RT1至RT3)和電阻(R1至R3)的網(wǎng)絡(luò)用于產(chǎn)生與溫度相關(guān)的電壓.對網(wǎng)絡(luò)的輸出電壓進(jìn)行濾波,然后用于驅(qū)動變?nèi)荻O管,該變?nèi)荻O管改變晶振上的負(fù)載,再次導(dǎo)致頻率變化.晶振溫補(bǔ)晶振是如何實(shí)現(xiàn)電路補(bǔ)償中國電子市場對壓電石英晶振的需求是越來越大了,從而使晶體行業(yè)達(dá)到膨脹式的發(fā)展,尤其是近幾年時(shí)間國內(nèi)的晶體廠家不斷更新研發(fā),從而導(dǎo)致一些很基本的電子元件慢慢的被淘汰掉了晶振并聯(lián)電路并聯(lián)諧振振蕩器電路是用晶體設(shè)計(jì)的,該晶體可以在特定的負(fù)載電容下工作。這會導(dǎo)致晶體振蕩器以高于串聯(lián)諧振頻率但低于真正的并聯(lián)諧振頻率的頻率工作。為了完成這種類型的電路中的反饋環(huán)路,必須設(shè)計(jì)通過晶振的路由。如果晶體失效,電路將不再振蕩。那么確定振蕩器頻率的“負(fù)載電容”從何而來呢?該電路實(shí)際上使用了一個孤立的逆變器,該逆變器在反饋環(huán)路中具有兩個電容,這些電容包含了負(fù)載電容。如果負(fù)載電容改變,振蕩器產(chǎn)生的頻率也會改變。,就拿我們晶振行業(yè)來說像32.768KHZ系列的音叉型表晶,慢慢的就被音叉貼片式替代了,已經(jīng)成為小型化的走向,而且現(xiàn)在的產(chǎn)品越做越精致,要求也越來越高,普通型的晶體已經(jīng)不能滿足市場的需求,所以各大生產(chǎn)廠商已經(jīng)向石英振蕩器的方向發(fā)展,而振蕩器里面的溫補(bǔ)晶振已經(jīng)成為了電子各大廠商的爭奪對象。晶振溫補(bǔ)晶振即溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO),是通過附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器后一種情況(TCXO是開環(huán),頻率在DDS設(shè)置)正變得越來越普遍,因?yàn)樵O(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)使用DDS解決方案可以通過使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器控制TCXO來實(shí)現(xiàn)更好的頻率分辨率.由于轉(zhuǎn)向是在DDS而不是振蕩器中完成的,因此設(shè)計(jì)人員需要能夠?qū)潭ɑ鶞?zhǔn)的頻率如何隨溫度變化做出某些假設(shè),以便他們可以相應(yīng)地規(guī)劃鎖相環(huán)的設(shè)計(jì).由于靈活性,它們允許TCXO用于許多頻率控制應(yīng)用,但一個重要領(lǐng)域是小型蜂窩基站(毫微微,微型和微微),通常它們被用作定時(shí)分配芯片的固定頻率源.。溫補(bǔ)晶振術(shù)語來自石英晶體振蕩器的一種補(bǔ)償方式已達(dá)到產(chǎn)品應(yīng)用方面的精度要求晶振。溫補(bǔ)晶振定義是將壓電石英晶體原有的物理特性(壓電效應(yīng)下頻率隨溫度成三次曲線變化)通過外圍電路逆向改變使得石英晶體原有頻率隨溫度的變化盡可能的變小的一種補(bǔ)償方式所做的石英晶體振蕩器。晶振13)相位噪聲(Phasenoise)振蕩器短期頻率穩(wěn)定度的頻域量度,通常用相應(yīng)起伏功率譜密度Sψ(f)表示晶振晶振在生產(chǎn)的過程中,十幾道工序,每一道工序都不可掉以輕心,重要的工序之一必不可少的當(dāng)然是焊接,大家應(yīng)該都知道,石英晶振焊接方法與其封裝有著密切的聯(lián)系,插件和貼片的焊接方式是不一樣。而貼片晶振分手工焊接和自動焊接。插件晶振焊接也不是很復(fù)雜先用鑷子將晶振放在線路板上在用熱風(fēng)木倉將焊錫融化這樣就可以了比較單一。貼片晶振手工焊接相對有些復(fù)雜。,其中相位起伏函數(shù)為ψ(f)=2πFt-2πF0t注:抖動是振蕩器短期頻率穩(wěn)定度的時(shí)域量度,實(shí)際上和相位噪聲都是頻率短期穩(wěn)定度的一種度量方式。
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