（4）FLUKE45萬(wàn)用表支持串口程控，用于獲取TCXO內(nèi)部三端穩(wěn)壓器的輸出電壓VDD,為補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)分析計(jì)算輔助數(shù)據(jù)。2.2補(bǔ)償電壓自動(dòng)測(cè)試過(guò)程根據(jù)系統(tǒng)硬件組成與測(cè)試目的要求，補(bǔ)償電壓自動(dòng)測(cè)試過(guò)程如下：將未裝配補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的待測(cè)半成品活件裝入高低溫箱，連接好各儀器設(shè)備，打開(kāi)電源，運(yùn)行程序，進(jìn)行參數(shù)設(shè)置（如工作電壓為8V,中心頻率為19.2MHz,測(cè)試溫度范圍為-40~+70℃，10℃步進(jìn)）；點(diǎn)擊開(kāi)始按鈕，程序控制高低溫箱自動(dòng)回0號(hào)參考工位，開(kāi)始降溫至-40℃，保溫30min后，工位進(jìn)1,根據(jù)1號(hào)位活件設(shè)置調(diào)節(jié)程控電源工作電壓輸出，獲取振蕩器頻率，變化E+,使振蕩器頻率越來(lái)越接近中心頻率，直到滿足要求，記錄此時(shí)程控電源的E+即為所測(cè)補(bǔ)償電壓結(jié)果，同時(shí)記錄振蕩器內(nèi)為溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)供電的穩(wěn)壓器輸出電壓VDD;然后高低溫箱輪位進(jìn)1,移向2號(hào)位測(cè)量，直到所有工位測(cè)試完畢；開(kāi)始升溫10℃至-30℃，保溫20min,測(cè)試記錄數(shù)據(jù)，完成所有工位測(cè)試；繼續(xù)升溫，保溫、測(cè)量，直至全部溫度點(diǎn)測(cè)試完畢，一個(gè)測(cè)試過(guò)程完成。kds晶振溫補(bǔ)晶振是如何實(shí)現(xiàn)電路補(bǔ)償中國(guó)電子市場(chǎng)對(duì)壓電石英晶振的需求是越來(lái)越大了，從而使晶體行業(yè)達(dá)到膨脹式的發(fā)展，尤其是近幾年時(shí)間國(guó)內(nèi)的晶體廠家不斷更新研發(fā)，從而導(dǎo)致一些很基本的電子元件慢慢的被淘汰掉了kds晶振

2［頻域表征］⑴單邊相位噪聲功率譜密度，晶振輸出信號(hào)的頻譜中，用偏離載頻fHz處每Hz帶寬內(nèi)單邊相位噪聲功率與信號(hào)功率之比的分貝（dB）量，可寫(xiě)作￡（f）單位為dB/Hz。⑵頻譜純度：是量度晶振內(nèi)部噪聲及雜散譜的尺度。通常用單邊噪聲功率譜密度來(lái)表示。，就拿我們晶振行業(yè)來(lái)說(shuō)像32.768KHZ系列的音叉型表晶，慢慢的就被音叉貼片式替代了，已經(jīng)成為小型化的走向，而且現(xiàn)在的產(chǎn)品越做越精致，要求也越來(lái)越高，普通型的晶體已經(jīng)不能滿足市場(chǎng)的需求，所以各大生產(chǎn)廠商已經(jīng)向石英振蕩器的方向發(fā)展，而振蕩器里面的溫補(bǔ)晶振已經(jīng)成為了電子各大廠商的爭(zhēng)奪對(duì)象。（2）間接補(bǔ)償型間接補(bǔ)償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類(lèi)型。模擬式間接溫度補(bǔ)償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度－電壓變換電路，并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上，通過(guò)晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對(duì)晶體振子的非線性頻率漂移進(jìn)行補(bǔ)償。該補(bǔ)償方式能實(shí)現(xiàn)±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補(bǔ)償是在模擬式補(bǔ)償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級(jí)模/數(shù)（A/D）變換器，將模擬量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。該法可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)溫度補(bǔ)償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補(bǔ)償電路比較復(fù)雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺(tái)等要求高精度化的情況。

kds晶振溫補(bǔ)振蕩器工作的原理是什么呢？我們知道，如果增加匹配電容的容值，就能使振蕩頻率降低（1）直接補(bǔ)償型直接補(bǔ)償型是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補(bǔ)償電路，在振蕩器中與石英晶振振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時(shí)，熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應(yīng)變化，從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移。該補(bǔ)償方式電路簡(jiǎn)單，成本較低，節(jié)省印制電路板（PCB）尺寸和空間，適用于小型和低壓小電流場(chǎng)合。但當(dāng)要求晶體振蕩器精度小于±1pmm時(shí)，直接補(bǔ)償方式并不適宜。，溫補(bǔ)振蕩器工作的原理即是通過(guò)測(cè)量溫度，然后自動(dòng)調(diào)整外部的匹配電容矩陣（改變接入的電容值），從而使頻率變得更準(zhǔn)確和穩(wěn)定比如在計(jì)時(shí)器產(chǎn)品中，需要更高的精度，以達(dá)到最小的誤差，就要進(jìn)行溫度補(bǔ)償。

kds晶振五、封裝與其它電子元件相似,時(shí)鐘振蕩器亦采用愈來(lái)愈小型的封裝.康比電子能夠根據(jù)客戶的需要訂制各種類(lèi)型、不同尺寸的晶體振蕩器（具體資料請(qǐng)參看產(chǎn)品手冊(cè)）.通常kds晶振四、相位噪聲和抖動(dòng)在頻域測(cè)量獲得的相位噪聲是短期穩(wěn)定度的真實(shí)量度.它可測(cè)量到中心頻率的1Hz之內(nèi)和通常測(cè)量到1MHz.晶體振蕩器的相位噪聲在遠(yuǎn)離中心頻率的頻率下有所改善.TCXO和OCXO振蕩器以及其它利用基波或諧波方式的晶體振蕩器具有最好的相位噪聲性能.采用鎖相環(huán)合成器產(chǎn)生輸出頻率的振蕩器比采用非鎖相環(huán)技術(shù)的振蕩器一般呈現(xiàn)較差的相位噪聲性能.抖動(dòng)與相位噪聲相關(guān),但是它在時(shí)域下測(cè)量.以微微秒表示的抖動(dòng)可用有效值或峰—峰值測(cè)出.許多應(yīng)用,例如通信網(wǎng)絡(luò)、無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸、ATM和SONET要求必須滿足嚴(yán)格的拌動(dòng)指標(biāo).需要密切注意在這些系統(tǒng)中應(yīng)用的振蕩器的抖動(dòng)和相位噪聲特性.,較小型的器件比較大型的表面貼裝或插腳封裝器件更昂貴.所以,小型封裝往往要在性能、輸出選擇和頻率選擇之間做出折衷.