TCXO晶振溫度穩(wěn)定性水平(從5ppm到50ppb)通常是必要的,因為振蕩器將獨立工作,無論是在沒有外部頻率參考的系統(tǒng)中的自由運行模式,還是作為固定頻率參考TCXO在開環(huán)中工作的合成器,用于驅(qū)動DDS(直接數(shù)字合成),而DDS而不是TCXO被“鎖定”到外部參考.

高頻晶振H、OCXO主要技術(shù)指標定義的IEC標準1）標稱頻率（Nominalfrequency）振蕩器標明的工作頻率高頻晶振

。2）中心頻率偏差(Frequencyaccuracy)在基準點溫度環(huán)境（25±2℃）和中心控制電壓時，測得的頻率值與標稱頻率的偏差。高頻晶振3）頻率調(diào)諧范圍（Frequencyadjustmentrange）用某種可變元件使振蕩器頻率能夠改變的頻率范圍高頻晶振

TCXO溫度補償晶振如何運作在非?；镜男g(shù)語中,TCXO通過采用溫度補償網(wǎng)絡(luò)來操作,該網(wǎng)絡(luò)感測環(huán)境溫度并將晶體拉至其標稱值.基本振蕩器電路和輸出級與VCXO中的預(yù)期相同.圖2是簡化的TCXO功能框圖.圖2.TCXO功能塊。注：調(diào)整的目的：1）把頻率調(diào)到規(guī)定調(diào)整范圍內(nèi)的任一特定值。2）由于老化和其它條件變化而引起頻率偏移后，能夠把振蕩器頻率修正到規(guī)定值。

高頻晶振（2）間接補償型間接補償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度－電壓變換電路，并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上，通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對晶體振子的非線性頻率漂移進行補償高頻晶振恒溫晶振就算采用現(xiàn)在最好的加熱元件，也需要一個加溫過程。因此開機即需要工作的設(shè)備就不太適合。無論是恒溫晶振還是溫補晶振無非就是個信號源，為你的設(shè)備提供一個時間基準。只要你了解它性能指標你就可以相互代用。。該補償方式能實現(xiàn)±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補償是在模擬式補償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級模/數(shù)（A/D）變換器，將模擬量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。該法可實現(xiàn)自動溫度補償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補償電路比較復(fù)雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺等要求高精度化的情況。