一般的恒溫晶振要比溫補晶振頻率穩(wěn)定度高兩個數(shù)量級以上。如溫補晶振一般能達到-7量級，而恒溫晶振可達到-9量級。因此恒溫晶振一般用于高端測量儀器，如頻率計、信號發(fā)生器、網(wǎng)絡(luò)分析儀等。而溫補晶振的開機特性較好。恒溫晶振就算采用現(xiàn)在最好的加熱元件，也需要一個加溫過程。想達到-7量級，怎么也需要5分鐘左右，而達-9以上量級甚至需要一天。因此開機即需要工作的設(shè)備就不太適合。如武器。試想5分鐘導(dǎo)彈已經(jīng)到達目標，你的晶振還沒正常工作怎么用？

壓控品振VCTCXOH、OCXO主要技術(shù)指標定義的IEC標準1）標稱頻率（Nominalfrequency）振蕩器標明的工作頻率壓控品振VCTCXO

。2）中心頻率偏差(Frequencyaccuracy)在基準點溫度環(huán)境（25±2℃）和中心控制電壓時，測得的頻率值與標稱頻率的偏差。全球硅振蕩器市場它主要受微處理器，開關(guān)穩(wěn)壓器時鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應(yīng)用的驅(qū)動?；谖C電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應(yīng)用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預(yù)測期內(nèi)補充全球硅振蕩器市場的顯著增長。MEMS振蕩器尚未完全占領(lǐng)烤箱控制晶體振蕩器和溫度補償晶體振蕩器的市場空間。這些產(chǎn)品的制造使用標準的CMOS硅技術(shù)，與需要專門制造和封裝技術(shù)的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。

壓控品振VCTCXO不存在哪種產(chǎn)品好哪種產(chǎn)品不好，主要是看需要。性能高的產(chǎn)品價格必然貴，對使用的需求也高這個想法是補償網(wǎng)絡(luò)驅(qū)動牽引網(wǎng)絡(luò),然后調(diào)整振蕩器的頻率.圖3是發(fā)生了什么的概述-未補償?shù)木д耦l率響應(yīng)溫度(紅色)就像一個三階多項式曲線(如果你采用振蕩器非線性效果,更像是第五個),所以目標是補償網(wǎng)絡(luò)是為了抵消溫度對晶體的影響而產(chǎn)生的電壓是有效的關(guān)于晶體曲線溫度軸的鏡像.補償電壓顯示為藍色,得到的頻率/溫度曲線以綠色顯示.。適用的才是最好的。理論上來講一般的恒溫晶振要比溫補晶振頻率穩(wěn)定度高兩個數(shù)量級以上。恒溫晶振一般用于高端測量儀器，如頻率計、信號發(fā)生器、網(wǎng)絡(luò)分析儀等。而溫補晶振的開機特性較好。

壓控品振VCTCXO一個溫補晶振，可以通過測量溫度，然后自動調(diào)整外部的匹配電容矩陣（改變接入的電容值）從而使頻率變屬得更準確和穩(wěn)定。用溫度補償?shù)姆椒p少頻率失真，因為振蕩器工作時由于電阻的作用（晶體管或者集成電路都有內(nèi)阻）就會有溫升壓控品振VCTCXO2）削峰正弦波（ClippingSine）：負載（Load）、輸出幅度（Outputlevel）。3）方波（Square）：又分為MOS和TTL兩類輸出。負載（Load）、占空比（Dutycycle）、上升/下降時間（Rise/falltime）、，溫度升高對半導(dǎo)體影響很大，會使半導(dǎo)體的工作點發(fā)生飄移從而導(dǎo)致振蕩頻率的變化，這些變化對使用者來說影響很大如無線電通訊、本地時鐘（單片機或者電腦）要求頻率高度穩(wěn)定，所以開發(fā)商生產(chǎn)出具有溫度補償性能的有源振蕩器，這些具有溫度補償?shù)木w振蕩器頻率變化非常低，可以長期穩(wěn)定工作提供高穩(wěn)定性頻率基準！