2）削峰正弦波（ClippingSine）：負(fù)載（Load）、輸出幅度（Outputlevel）。3）方波（Square）：又分為MOS和TTL兩類輸出。負(fù)載（Load）、占空比（Dutycycle）、上升/下降時(shí)間（Rise/falltime）、晶振定制溫度補(bǔ)償晶體振蕩器溫度補(bǔ)償晶體振蕩器（TCXO）是通過附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器晶振定制

高低電平（“1”and“0”level）。7）工作電流、功耗(Inputcurrent,powerconsumption)8）頻率溫度穩(wěn)定度(Frequencystabilityovertemp.)其它條件不變時(shí)，由于振蕩器工作在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)引起的相對于基準(zhǔn)溫度時(shí)的頻率偏移。。TCXO中，對石英晶體振子頻率溫度漂移的補(bǔ)償方法主要有直接補(bǔ)償和間接補(bǔ)償兩種類型：（1）測試出補(bǔ)償電壓一溫度曲線（V-T曲線）；（2）根據(jù)V-T曲線數(shù)據(jù)，計(jì)算熱敏網(wǎng)絡(luò)中各電阻的阻值；（3）裝配溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)，測試成品振蕩器f-T曲線，評價(jià)論證補(bǔ)償效果?？梢钥闯觯@得準(zhǔn)確的V-T曲線參數(shù)是溫補(bǔ)晶振設(shè)計(jì)生產(chǎn)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接關(guān)系到振蕩器頻率精度的高低，關(guān)系著成品溫補(bǔ)晶振品質(zhì)的優(yōu)劣。

晶振定制恒溫晶振是將石英晶體裝入一個(gè)保溫箱中，并將其溫度加溫到石英晶體溫度曲線高溫拐點(diǎn)溫度，使晶體始終工作在恒溫環(huán)境中4）線性度：理想的壓控電壓和頻率變化量的關(guān)系是線性的，但實(shí)際上總會(huì)有所偏差，這個(gè)偏差就是表征理想程度的壓控線性度，通常用百分比表示。5）如果系統(tǒng)不能給出穩(wěn)定的電壓信號，或者對輸出頻率有嚴(yán)格的控制要求時(shí)，通常振蕩器可以自己給。有些高端恒溫晶振還要加雙層恒溫槽，以達(dá)到更高的精度。溫補(bǔ)晶振是利用熱敏電阻搭成溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)，通過計(jì)算來補(bǔ)償石英晶體溫度頻率曲線使其平滑，來實(shí)現(xiàn)在寬溫度范圍的頻率穩(wěn)定度。

晶振定制5、老化:在規(guī)定的環(huán)境條件下，由于元件老化而引起的輸出頻率隨時(shí)專間的系統(tǒng)漂移過程晶振定制圖3.溫度補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的方法隨著時(shí)間而改變.使用的第一種方法之一是直接補(bǔ)償技術(shù),其中使用熱敏電阻,電容器和電阻器網(wǎng)絡(luò)來直接控制振蕩器的頻率.溫度的變化導(dǎo)致熱敏電阻(圖4中的RT1和RT2)發(fā)生變化,這會(huì)導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)的等效串聯(lián)電容發(fā)生變化-這反過來會(huì)改變晶體上的電容負(fù)載,從而導(dǎo)致頻率的變化.振蕩器.。通常用某一時(shí)間間隔內(nèi)的頻差來量度。對于高穩(wěn)定晶振，由于輸出頻率在較長的工屬作時(shí)間內(nèi)呈近似線性的單方向漂移，往往用老化率來量度。