2［頻域表征］⑴單邊相位噪聲功率譜密度，晶振輸出信號的頻譜中，用偏離載頻fHz處每Hz帶寬內(nèi)單邊相位噪聲功率與信號功率之比的分貝（dB）量，可寫作￡（f）單位為dB/Hz。⑵頻譜純度：是量度晶振內(nèi)部噪聲及雜散譜的尺度。通常用單邊噪聲功率譜密度來表示。

晶振溫補振蕩器有時也被我們稱之為溫補晶振，即振蕩器等于晶振。帶有電壓參數(shù)的一種晶振。那么溫補振蕩器的準確定義又是什么？一般石英晶體的頻率都和溫度相關(guān)，我們所使用的晶體振蕩器，一般是在25度下達到最大精度晶振

。溫度升高，精度誤差增大；溫度降低，誤差減小。（這里升高降低的標準是以常溫為基準，越接近常溫，誤差越小）。溫補振蕩器的作用即是當(dāng)溫度升高或者降低影響誤差大小的時候，可以進行溫度補償，將溫度拉回到接近常溫。晶振溫補晶振即溫度補償晶體振蕩器（TCXO），是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器

全球硅振蕩器市場它主要受微處理器，開關(guān)穩(wěn)壓器時鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應(yīng)用的驅(qū)動?；谖C電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應(yīng)用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預(yù)測期內(nèi)補充全球硅振蕩器市場的顯著增長。MEMS振蕩器尚未完全占領(lǐng)烤箱控制晶體振蕩器和溫度補償晶體振蕩器的市場空間。這些產(chǎn)品的制造使用標準的CMOS硅技術(shù)，與需要專門制造和封裝技術(shù)的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。。溫補晶振術(shù)語來自石英晶體振蕩器的一種補償方式已達到產(chǎn)品應(yīng)用方面的精度要求晶振。溫補晶振定義是將壓電石英晶體原有的物理特性（壓電效應(yīng)下頻率隨溫度成三次曲線變化）通過外圍電路逆向改變使得石英晶體原有頻率隨溫度的變化盡可能的變小的一種補償方式所做的石英晶體振蕩器。

晶振恒溫晶振溫補晶振恒溫晶振，由于晶體振蕩器的震蕩頻率會隨著溫度的變化而變化，故為了保持頻率的穩(wěn)定性，將晶振控制在一個恒定的溫度下工作以此來提高晶振的相頻特性晶振圖3.溫度補償實現(xiàn)這一目標的方法隨著時間而改變.使用的第一種方法之一是直接補償技術(shù),其中使用熱敏電阻,電容器和電阻器網(wǎng)絡(luò)來直接控制振蕩器的頻率.溫度的變化導(dǎo)致熱敏電阻(圖4中的RT1和RT2)發(fā)生變化,這會導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)的等效串聯(lián)電容發(fā)生變化-這反過來會改變晶體上的電容負載,從而導(dǎo)致頻率的變化.振蕩器.。溫補晶振，由于晶體振蕩器的震蕩頻率會隨著溫度的變化而變化，為了抵消溫度對晶振頻率的影響，控制晶振的諧振電容隨溫度變化而變化，抵消溫度晶體影響提高頻率穩(wěn)定性。