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淺析溫補(bǔ)晶振一級(jí)代理商
發(fā)布時(shí)間:2021-10-09 點(diǎn)擊量:323
2)削峰正弦波(ClippingSine):負(fù)載(Load)、輸出幅度(Outputlevel)。3)方波(Square):又分為MOS和TTL兩類輸出。負(fù)載(Load)、占空比(Dutycycle)、上升/下降時(shí)間(Rise/falltime)、溫補(bǔ)晶振理論上講,如果恒溫晶振與溫補(bǔ)晶振的輸出信號(hào)頻率一致,并且端接負(fù)載相同,輸出信號(hào)幅度又差不多的話,是可以互換的溫補(bǔ)晶振。但是恒溫晶振與溫補(bǔ)晶振的應(yīng)用與性能是完全不同的。恒溫晶振與溫補(bǔ)晶振都是在較寬的溫度范圍內(nèi)輸出一個(gè)較穩(wěn)定的信號(hào)頻率,但其工作方式不同。(2)間接補(bǔ)償型間接補(bǔ)償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補(bǔ)償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度-電壓變換電路,并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上,通過(guò)晶體振子串聯(lián)電容量的變化,對(duì)晶體振子的非線性頻率漂移進(jìn)行補(bǔ)償。該補(bǔ)償方式能實(shí)現(xiàn)±0.5ppm的高精度,但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補(bǔ)償是在模擬式補(bǔ)償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級(jí)模/數(shù)(A/D)變換器,將模擬量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。該法可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)溫度補(bǔ)償,使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高,但具體的補(bǔ)償電路比較復(fù)雜,成本也較高,只適用于基地站和廣播電臺(tái)等要求高精度化的情況。溫補(bǔ)晶振1[時(shí)域表征]⑴在規(guī)定條件下,晶振內(nèi)部元件由于老化而引起的輸出頻率隨時(shí)間的漂移溫補(bǔ)晶振工作原理溫補(bǔ)振蕩器(TCXO)是通過(guò)附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。TCXO中,對(duì)石英晶體振子頻率溫度漂移的補(bǔ)償方法主要有直接補(bǔ)償和間接補(bǔ)償兩種類型:。通常用某一時(shí)間間隔內(nèi)的老化頻差的相對(duì)值來(lái)量度(如日、月或年老化率等)。⑵日穩(wěn)定度(或稱日波動(dòng)):指晶振的輸出頻率在24小時(shí)內(nèi)的變化情況。通常用其最大變化的相對(duì)值來(lái)表示。溫補(bǔ)晶振目前溫補(bǔ)晶振的技術(shù)水平的提高并沒(méi)進(jìn)入到極限,創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力仍較大。其中主要的有兩點(diǎn):一是小型化會(huì)使石英晶體振子的頻率可變幅度變小溫補(bǔ)晶振(1)測(cè)試出補(bǔ)償電壓一溫度曲線(V-T曲線);(2)根據(jù)V-T曲線數(shù)據(jù),計(jì)算熱敏網(wǎng)絡(luò)中各電阻的阻值;(3)裝配溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò),測(cè)試成品振蕩器f-T曲線,評(píng)價(jià)論證補(bǔ)償效果??梢钥闯?,獲得準(zhǔn)確的V-T曲線參數(shù)是溫補(bǔ)晶振設(shè)計(jì)生產(chǎn)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),直接關(guān)系到振蕩器頻率精度的高低,關(guān)系著成品溫補(bǔ)晶振品質(zhì)的優(yōu)劣。,溫度補(bǔ)償更加困難;二是片式封裝后在其接作業(yè)中,由于焊接溫度遠(yuǎn)高于溫補(bǔ)晶振的最大允許溫度,會(huì)使晶體振子的頻率發(fā)生變化,若不采限局部散熱降溫措施,難以將溫補(bǔ)晶振的頻率變化量控制在±0.5×10-6以下。
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