圖3.溫度補償實現(xiàn)這一目標的方法隨著時間而改變.使用的第一種方法之一是直接補償技術,其中使用熱敏電阻,電容器和電阻器網(wǎng)絡來直接控制振蕩器的頻率.溫度的變化導致熱敏電阻(圖4中的RT1和RT2)發(fā)生變化,這會導致網(wǎng)絡的等效串聯(lián)電容發(fā)生變化-這反過來會改變晶體上的電容負載,從而導致頻率的變化.振蕩器.

高頻晶振H、OCXO主要技術指標定義的IEC標準1）標稱頻率（Nominalfrequency）振蕩器標明的工作頻率高頻晶振

。2）中心頻率偏差(Frequencyaccuracy)在基準點溫度環(huán)境（25±2℃）和中心控制電壓時，測得的頻率值與標稱頻率的偏差。并聯(lián)電路并聯(lián)諧振振蕩器電路是用晶體設計的，該晶體可以在特定的負載電容下工作。這會導致晶體振蕩器以高于串聯(lián)諧振頻率但低于真正的并聯(lián)諧振頻率的頻率工作。為了完成這種類型的電路中的反饋環(huán)路，必須設計通過晶振的路由。如果晶體失效，電路將不再振蕩。那么確定振蕩器頻率的“負載電容”從何而來呢?該電路實際上使用了一個孤立的逆變器，該逆變器在反饋環(huán)路中具有兩個電容，這些電容包含了負載電容。如果負載電容改變，振蕩器產(chǎn)生的頻率也會改變。

高頻晶振一個溫補晶振，可以通過測量溫度，然后自動調(diào)整外部的匹配電容矩陣（改變接入的電容值）從而使頻率變得更準確和穩(wěn)定。用溫度補償?shù)姆椒p少頻率失真，因為振蕩器工作時由于電阻的作用（晶體管或者集成電路都有內(nèi)阻）就會有溫升其實貼片晶振溫度補償晶體振蕩器是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。溫度補償晶體振蕩器中，對石英晶體振子頻率溫度漂移的補償方法主要有直接補償和間接補償兩種類型：，溫度升高對半導體影響很大，會使半導體的工作點發(fā)生飄移從而導致振蕩頻率的變化，這些變化對使用者來說影響很大如無線電通訊、本地時鐘（單片機或者電腦）要求頻率高度穩(wěn)定，所以開發(fā)商生產(chǎn)出具有溫度補償性能的有源振蕩器，這些具有溫度補償?shù)木w振蕩器頻率變化非常低，可以長期穩(wěn)定工作提供高穩(wěn)定性頻率基準。

高頻晶振二、溫補晶振的發(fā)展趨勢低功耗、小型化和精度，一直是溫補晶振的研究課題。在小型化與片式化方面，溫補晶振面臨不少挑戰(zhàn)與困難，具體主要表現(xiàn)為兩點：一是小型化會使石英晶體振子的頻率可變幅度變小高頻晶振（1）測試出補償電壓一溫度曲線（V-T曲線）；（2）根據(jù)V-T曲線數(shù)據(jù)，計算熱敏網(wǎng)絡中各電阻的阻值；（3）裝配溫補網(wǎng)絡，測試成品振蕩器f-T曲線，評價論證補償效果?？梢钥闯?，獲得準確的V-T曲線參數(shù)是溫補晶振設計生產(chǎn)中的關鍵環(huán)節(jié)，直接關系到振蕩器頻率精度的高低，關系著成品溫補晶振品質(zhì)的優(yōu)劣。，溫度補償更加困難;二是片式封裝后在其接作業(yè)中，由于焊接溫度遠高于溫補晶振的最大允許溫度，會使晶體振子的頻率發(fā)生變化，若不采限局部散熱降溫措施，難以將溫補晶振的頻率變化量控制在±0.5×10-6以下。