變?nèi)荻O管D兩端所加電壓（即補償電壓）由溫補網(wǎng)絡輸出，溫補網(wǎng)絡隨溫度自動調(diào)節(jié)輸出電壓，變?nèi)荻O管容量隨之改變，以抵消諧振器頻率隨溫度的變化，可使輸出頻率基本不變。從以上原理分析可得溫補晶振補償過程如下：壓控晶振溫度補償晶體振蕩器溫度補償晶體振蕩器（TCXO）是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器壓控晶振

其實貼片晶振溫度補償晶體振蕩器是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。溫度補償晶體振蕩器中，對石英晶體振子頻率溫度漂移的補償方法主要有直接補償和間接補償兩種類型：。TCXO中，對石英晶體振子頻率溫度漂移的補償方法主要有直接補償和間接補償兩種類型：全球硅振蕩器市場它主要受微處理器，開關穩(wěn)壓器時鐘，可編程門陣列(PGA)和專用集成電路(ASIC)等廣泛應用的驅(qū)動?；谖C電系統(tǒng)(MEMS)諧振器的振蕩器因其精度和穩(wěn)定性可與大多數(shù)晶體電路相匹配而被用于各種應用中。且與晶體振蕩器相比，它們具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶體振蕩器有望在預測期內(nèi)補充全球硅振蕩器市場的顯著增長。MEMS振蕩器尚未完全占領烤箱控制晶體振蕩器和溫度補償晶體振蕩器的市場空間。這些產(chǎn)品的制造使用標準的CMOS硅技術，與需要專門制造和封裝技術的晶體振蕩器相比，它們制造起來更容易，更便宜。

壓控晶振晶振在應用具體起到的作用，微控制器的時鐘源可以分為兩類：基于機械諧振器件的時鐘源，如晶振、陶瓷諧振槽路；RC（電阻、電容）振蕩器。一種是皮爾斯振蕩器配置，適用于晶振和陶瓷諧振槽路。另一種為簡單的分立RC振蕩器?；诰д衽c陶瓷諧振槽路的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數(shù)。RC振蕩器能夠快速啟動，成本也比較低，但通常在整個溫度和工作電源電壓范圍內(nèi)精度較差，會在標稱輸出頻率的5%至50%范圍內(nèi)變化4）線性度：理想的壓控電壓和頻率變化量的關系是線性的，但實際上總會有所偏差，這個偏差就是表征理想程度的壓控線性度，通常用百分比表示。5）如果系統(tǒng)不能給出穩(wěn)定的電壓信號，或者對輸出頻率有嚴格的控制要求時，通常振蕩器可以自己給。但其性能受環(huán)境條件和電路元件選擇的影響。需認真對待振蕩器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時，陶瓷諧振槽路和相應的負載電容必須根據(jù)特定的邏輯系列進行優(yōu)化。具有高Q值的晶振對放大器的選擇并不敏感，但在過驅(qū)動時很容易產(chǎn)生頻率漂移（甚至可能損壞）。影響振蕩器工作的環(huán)境因素有：電磁干擾（EMI）、機械震動與沖擊、濕度和溫度。這些因素會增大輸出頻率的變化，增加不穩(wěn)定性，并且在有些情況下，還會造成振蕩器停振。上述大部分問題都可以通過使用振蕩器模塊避免。這些模塊自帶振蕩器、提供低阻方波輸出，并且能夠在一定條件下保證運行。最常用的兩種類型是晶振模塊和集成RC振蕩器（硅振蕩器）。晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。硅振蕩器的精度要比分立RC振蕩器高，多數(shù)情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當?shù)木取?p style='text-align:center;'>

壓控晶振目前溫補晶振的技術水平的提高并沒進入到極限，創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力仍較大。其中主要的有兩點：一是小型化會使石英晶體振子的頻率可變幅度變小壓控晶振三、輸出必須考慮的其它參數(shù)是輸出類型、相位噪聲、抖動、電壓特性、負載特性、功耗、封裝形式,對于工業(yè)產(chǎn)品,有時還要考慮沖擊和振動、以及電磁干擾（EMI）.晶體振蕩器可HCMOS/TTL兼容、ACMOS兼容、ECL和正弦波輸出.每種輸出類型都有它的獨特波形特性和用途.應該關注三態(tài)或互補輸出的要求.對稱性、上升和下降時間以及邏輯電平對某些應用來說也要作出規(guī)定.許多DSP和通信芯片組往往需要嚴格的對稱性（45%至55%）和快速的上升和下降時間（小于5ns）.，溫度補償更加困難；二是片式封裝后在其接作業(yè)中，由于焊接溫度遠高于溫補晶振的最大允許溫度，會使晶體振子的頻率發(fā)生變化，若不采限局部散熱降溫措施，難以將溫補晶振的頻率變化量控制在±0.5×10-6以下。