（2）間接補償型間接補償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度－電壓變換電路，并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上，通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對晶體振子的非線性頻率漂移進行補償。該補償方式能實現(xiàn)±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補償是在模擬式補償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級模/數(shù)（A/D）變換器，將模擬量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。該法可實現(xiàn)自動溫度補償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補償電路比較復(fù)雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺等要求高精度化的情況。壓控晶振溫度補償石英晶體振蕩器（TCXO）由于具有較高的頻率穩(wěn)定度，作為一種高精度頻率源被廣泛地應(yīng)用于通訊系統(tǒng)、雷達導(dǎo)航系統(tǒng)、精密測控系統(tǒng)等壓控晶振

一、頻率穩(wěn)定性晶體振蕩器的主要特性之一是工作溫度內(nèi)的穩(wěn)定性,它是決定振蕩器價格的重要因素.穩(wěn)定性愈高或溫度范圍愈寬,器件的價格亦愈高.工業(yè)級標準規(guī)定的-40～+75℃這個范圍往往只是出于設(shè)計者們的習(xí)慣,倘若-30～+70℃已經(jīng)夠用,那么就不必去追求更寬的溫度范圍.設(shè)計工程師要慎密決定特定應(yīng)用的實際需要,然后規(guī)定振蕩器的穩(wěn)定度.指標過高意味著花錢愈多.晶體老化是造成頻率變化的又一重要因素.根據(jù)目標產(chǎn)品的預(yù)期壽命不同,有多種方法可以減弱這種影響.晶體老化會使輸出頻率按照對數(shù)曲線發(fā)生變化,也就是說在產(chǎn)品使用的第一年,這種現(xiàn)象才最為顯著.。溫補晶振由石英晶體振蕩電路和溫度補償網(wǎng)絡(luò)兩部分組成。其中，溫度補償網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)化設(shè)計對于改善溫補晶體振蕩器的溫頻特性，提高振蕩器的頻率精度具有重要意義。恒溫晶振就算采用現(xiàn)在最好的加熱元件，也需要一個加溫過程。因此開機即需要工作的設(shè)備就不太適合。無論是恒溫晶振還是溫補晶振無非就是個信號源，為你的設(shè)備提供一個時間基準。只要你了解它性能指標你就可以相互代用。

壓控晶振1［時域表征］⑴在規(guī)定條件下，晶振內(nèi)部元件由于老化而引起的輸出頻率隨時間的漂移三、輸出必須考慮的其它參數(shù)是輸出類型、相位噪聲、抖動、電壓特性、負載特性、功耗、封裝形式,對于工業(yè)產(chǎn)品,有時還要考慮沖擊和振動、以及電磁干擾（EMI）.晶體振蕩器可HCMOS/TTL兼容、ACMOS兼容、ECL和正弦波輸出.每種輸出類型都有它的獨特波形特性和用途.應(yīng)該關(guān)注三態(tài)或互補輸出的要求.對稱性、上升和下降時間以及邏輯電平對某些應(yīng)用來說也要作出規(guī)定.許多DSP和通信芯片組往往需要嚴格的對稱性（45%至55%）和快速的上升和下降時間（小于5ns）.。通常用某一時間間隔內(nèi)的老化頻差的相對值來量度（如日、月或年老化率等）。⑵日穩(wěn)定度（或稱日波動）：指晶振的輸出頻率在24小時內(nèi)的變化情況。通常用其最大變化的相對值來表示。

壓控晶振未來溫補晶振的發(fā)展方向是向小型化、片式化、高精度和高穩(wěn)定度方向不斷發(fā)展，實現(xiàn)晶振的低噪聲、高頻化以及低功耗。近年來，國內(nèi)的溫補晶振產(chǎn)品水平得到了很大的提高，實現(xiàn)了在室溫下精度優(yōu)于±1ppm，第一年的頻率老化率為±1ppm，頻率（機械）微調(diào)≥±3ppm，電源功耗≤120mw壓控晶振晶體振蕩器電路由放大器和反饋網(wǎng)絡(luò)組成。反饋網(wǎng)絡(luò)從放大器獲取特定輸出，然后將其發(fā)送回放大器輸入。繪制出來時看起來很簡單。什么是晶體振蕩器電路?但是越深入，復(fù)雜性就越大。緊緊抓住!為了使晶體振蕩器電路有效運行，必須滿足兩個關(guān)鍵條件：(1)環(huán)路功率增益必須等于一致；(2)環(huán)路相移必須等于0、2Pi，4Pi等弧度。。最高精度可達±0.05ppm。由此可見，TCXO晶振的技術(shù)水平還有很大的提升空間，創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力還很大。然而，科學(xué)技術(shù)的發(fā)展不能一蹴而就，它將伴隨整個電子行業(yè)的發(fā)展一同前行。