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東莞RAKON晶振生產(chǎn)商
發(fā)布時(shí)間:2021-07-22 點(diǎn)擊量:423
變?nèi)荻O管D兩端所加電壓(即補(bǔ)償電壓)由溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)輸出,溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò)隨溫度自動(dòng)調(diào)節(jié)輸出電壓,變?nèi)荻O管容量隨之改變,以抵消諧振器頻率隨溫度的變化,可使輸出頻率基本不變。從以上原理分析可得溫補(bǔ)晶振補(bǔ)償過程如下:RAKON晶振溫度補(bǔ)償石英晶體振蕩器(TCXO)由于具有較高的頻率穩(wěn)定度,作為一種高精度頻率源被廣泛地應(yīng)用于通訊系統(tǒng)、雷達(dá)導(dǎo)航系統(tǒng)、精密測(cè)控系統(tǒng)等RAKON晶振應(yīng)用軟件采用VB6.0編寫,后臺(tái)數(shù)據(jù)庫采用MicrosoftAccess數(shù)據(jù)庫。運(yùn)行軟件,可以對(duì)程控儀器設(shè)備進(jìn)行操作和控制,實(shí)現(xiàn)測(cè)試過程的自動(dòng)控制、數(shù)據(jù)自動(dòng)測(cè)試以及自動(dòng)記錄,為溫補(bǔ)晶振補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)參數(shù)計(jì)算過程提供準(zhǔn)確可靠的輸入數(shù)據(jù)。。溫補(bǔ)晶振由石英晶體振蕩電路和溫度補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)兩部分組成。其中,溫度補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)化設(shè)計(jì)對(duì)于改善溫補(bǔ)晶體振蕩器的溫頻特性,提高振蕩器的頻率精度具有重要意義。RAKON晶振(1)直接補(bǔ)償型直接補(bǔ)償型TCXO是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補(bǔ)償電路,在振蕩器中與石英晶體振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時(shí),熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應(yīng)變化,從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移RAKON晶振一般的恒溫晶振要比溫補(bǔ)晶振頻率穩(wěn)定度高兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上。如溫補(bǔ)晶振一般能達(dá)到-7量級(jí),而恒溫晶振可達(dá)到-9量級(jí)。因此恒溫晶振一般用于高端測(cè)量?jī)x器,如頻率計(jì)、信號(hào)發(fā)生器、網(wǎng)絡(luò)分析儀等。而溫補(bǔ)晶振的開機(jī)特性較好。恒溫晶振就算采用現(xiàn)在最好的加熱元件,也需要一個(gè)加溫過程。想達(dá)到-7量級(jí),怎么也需要5分鐘左右,而達(dá)-9以上量級(jí)甚至需要一天。因此開機(jī)即需要工作的設(shè)備就不太適合。如武器。試想5分鐘導(dǎo)彈已經(jīng)到達(dá)目標(biāo),你的晶振還沒正常工作怎么用?。該補(bǔ)償方式電路簡(jiǎn)單,成本較低,節(jié)省印制電路板(PCB)尺寸和空間,適用于小型和低壓小電流場(chǎng)合。但當(dāng)要求晶體振蕩器精度小于±1pmm時(shí),直接補(bǔ)償方式并不適宜。RAKON晶振但通過分析與研究,由于精度、低功耗和小型化,仍然是溫補(bǔ)晶振的研究課題。在小型化與片式化方面,面臨不少困難,其中主要的有兩點(diǎn):一是小型化會(huì)使石英晶體振子的頻率可變幅度變小RAKON晶振(2)間接補(bǔ)償型間接補(bǔ)償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補(bǔ)償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度-電壓變換電路,并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上,通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化,對(duì)晶體振子的非線性頻率漂移進(jìn)行補(bǔ)償。該補(bǔ)償方式能實(shí)現(xiàn)±0.5ppm的高精度,但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補(bǔ)償是在模擬式補(bǔ)償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級(jí)模/數(shù)(A/D)變換器,將模擬量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。該法可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)溫度補(bǔ)償,使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高,但具體的補(bǔ)償電路比較復(fù)雜,成本也較高,只適用于基地站和廣播電臺(tái)等要求高精度化的情況。,溫度補(bǔ)償更加困難;二是片式封裝后在其接作業(yè)中,由于焊接溫度遠(yuǎn)高于溫補(bǔ)晶振的最大允許溫度,會(huì)使晶體振子的頻率發(fā)生變化,若不采限局部散熱降溫措施,難以將溫補(bǔ)晶振的頻率變化量控制在±0.5×10-6以下。但是,溫補(bǔ)晶振的技術(shù)水平的提高并沒進(jìn)入到極限,創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力仍較大。
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